0.4 ～0.6Mpa G. 防护：无较大灰尘腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害； 1.1.2 设备功能简介 此设备具有以下测试单元 注：开关时间二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装後测试静态参数及雪崩 测试需要在加电容前测试。 ? 开关时间测试单元 开启延迟时间 （Td(on)） 上升时间 （） 关断延迟时间 （Td(off)） 下降时间 （Tf） 開启损耗 Eon 关断损耗 Eoff ? 二极管反向恢复测试单元 反向恢复时间 （r） 反向恢复电荷 （Qrr） ? 栅极电荷测试单元 阈值电荷 （Qg （th）） 栅电荷 （Qg） ? 静態全参数测试单元 RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25 ? 雪崩测试单元 雪崩电流 （I）雪崩电压(V)，雪崩能量(E) 1.2动态测试参数 1.2.1 开通和关断波形及其相关参数的定义 图1.1 mosfet 开通过程及其參数定义 图1.2mosfet 关断过程及其参数定义 3 1.2.2 加电容后可测试的参数 表格 1.1 可测量的MOSFET 动态参数 参数名称 符号 参数名称 符号 开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off) 上升时间 下降时间 tf 开通时间 ton 关断时间 toff 开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff 栅极电荷 Qg 拖尾时间 tz 表格 1.2 可测量的DIODE 动态参数 参数名称 符号 参数名称 符号 反向恢复时间 r 反姠恢复电荷 Qrr 1.3静态参数测试 1.3.1加电容前可测试的参数 表格 1.3可测量的 mosfet 静态参数 参数名称 符号 参数名称 符号 门极开启电压 VGS(th) 集射极耐压