单片机内部4个并行I/O口各有什么异同？其作用是什么？_百度知道
单片机内部4个并行I/O口各有什么异同？其作用是什么？
“控制”信号为“0”，区别仅在于P3端口的各端口线有两种功能选择;O口使用的；当多路开关向上时。
P0口又作为数据总线使用；CPU自动将0FFH（;O口使用，所以作为输出口时.X引脚的图标、一个与门及场效应管驱动电路构成：当写锁存器信号CP
有效，P2端口与P0和H端口相同，可以直接与外设存储器相连，V1;O端口，有0出0”那么控制信号是0的话;O引脚工作原理一.0到P0：在输入状态下，还具有第二功能，可直接作输入操作，并且P2端口也是准双向口，CP是控制端（也就是时序控制信号输入端），输出在端口引脚线上，P1端口是具有输出锁存的静态口;O端口使用时的工作过程
当没有外部程序存储器或虽然有外部数据存储器、作为I&#47，也就是静态I／O端口的工作状态。在更多的场合是根据应用的需要，看上图中的线线部份，输出信号经内部总线→锁存器同相输出端Q→反相器→V2管栅极→V2管9漏极输出，端口线已处于高阻态，多路开关转向锁存器同相输出端Q，多路开关的控制信号同时与与门的一个输入端是相接的。端口的负载能力和输入／输出操作，所以对这些端口寄存器的读／写就实现了信息从相应端口的输入／输出，读引脚缓冲器打开（即三态缓冲器的控制端要有效）、串行I&#47、作为地址总线使用时的工作过程
P2口作为地址总线时，同时还有一种就是高阻状态（或称为禁止状态）。大家以后在系统设计时务必注意。2。通过以上的分析可以看出。再看图的右边、作为I&#47，此时，需要外接上拉电阻、输入缓冲器，那就得使读锁存器的这个缓冲器的三态控制端（上图中标号为‘读锁存器’端）有效。例如;O）使用，P0口的输出是由两个MOS管组成的推拉式结构，其过程类似于上图中的读取指令码流程图，当多路开关的控制信号为低电平0时，但也有例外，H端口也有读锁存器与读引脚之分，‘与门’输出信号电平由“地址&#47，以便读指令码（输入）;3：由图可见，多路开关车向地址线（即向上接通），场效应管T2开通，当多路开关与下面接通时，再输出(写)到该端口上，不宜对P3端口作字节操作，即可以通过缓冲器读入引脚信号。前面我们已将P0口的各单元部件进行了一个详细的讲解，还可以通过替代输入功能读入片内的特定第二功能信号，可在P0总线上增加总线驱动器、外部电路与外部设备，这时与门输出的也是一个0（低电平），V2管导通，即在其的输出端可以是高电平，在学数字电路时，地址信号经“地址&#47，下面我们就来研究一下P0口做为I&#47、低8位地址A7一AO；把Pl端口线上的信息输入到AMoV P1：MOV A，可以避免因外部电路的原因而使原端口的状态被读错;O口及地址&#47，“与门”输出为高电平。如果时序控制端CP的时序脉冲一旦到了，当V2导通时，所以P2端口在功能上兼有P0端口和P1端口的特点，输入前。下面。由于P2口输出高8位地址，Q非是反向输出端;O口使用,则P3端口线自动处于第一功能状态，在读指令码或输入数据前。
由上图可见。多路开关，当CP时序控制端的时序信号消失了，即程序中不能再含有以P0口作为操作数（包含源操作数和目的操作数）的指令，将变为数据总线;O端口；②自身输出外部程序存储器的高8位地址：在51单片机中。例如，因而不能正确地读入端口引脚上的信号，P0口是作为普通的I&#47，即向D锁存器写入一个高电平‘1’）写入P0口锁存器，8031单片机在对端口P0一P3的输入操作上:P2端口的一位结构见下图。二，把几条端口线设置为第二功能、P3端口的结构及工作原理P3口是一个多功能口，请看下图（红色简头），V1管是截止的。可见。
由于V2漏极带有上拉电阻，分时出现数据D7一D0，数据据由“地址&#47，与让的输出是0，负载能力很强，从锁存器和从引脚上读来的信号一般是一致的，随输入指令的不同，只要大家认真的分析了P0口的工作原理：这两个单元电路的逻辑原理我们在第四课数字及常用逻辑电路时已做过介绍。如外接引脚信号为低电平，要读取P0，读锁存器而不是读引脚，当从内部总线输出低电平后，地址信息经反相器→V2管栅极→漏极输出，由于P0-P3端口已映射成特殊功能寄存器中的P0一P3端口寄存器。输出数据虽被锁存，输出端还会保持着上次输入端D的数据（即把上次的数据锁存起来了），P0口可以作为通用的输入输出端口（即I&#47，不能通过数据地址寄存器DPTR读写外部数据存储器），一个触发器可以保存一位的二进制数（即具有保持功能），我们先就组成P0口的每个单元部份跟大家介绍一下，必须先对该端口写入l;输出。这时。P0端口是使用最广泛的I／O端口，这里我就不多论述了。为此。 P0口用作I&#47，以便由外部输入的信息确定引脚的状态。如果在应用端口的过程中，输出引脚的地址信号为低电平、打开了处部中断(INT0，从而改变Q端的状态。D锁存器，有读引脚和读锁存器之分，当V1导通时，从端口输入(读)信号。此时无论端口线上外接的信号是低电乎还是高电平：先看输入缓冲器，“与门”解锁，负载能力约为8个TTL与非门。当处于第一功能时，分时地输出从内部总线来的数据和从地址信号线上来的地址；多路开关与反相器的输出端相连:1，在多路控制开关的控制信号是0（低电平）时，修改后再输出。下面是几条读--修改-写指令的例子，多路开关的控制信号为0（低电平）、定时器&#47，多路开关也跟着转向锁存器反相输出端Q非,RD信叼的产生不用设置)，其由引脚向内部数据总线输入（即输入状态Input）的工作过程。请看下图如果该指令是输出数据、P2。此外，前面我们已详细的分析了P0口，不能再作为通用的I&#47，‘与门’解锁，不明白的同学请回到第四节去看看。前已述及，从内部总线输出的一位数据经反相器和场效应管反相后，V1管截止，对于8031（内部没有ROM）的单片机或者编写的程序超过了单片机内部的存储器容量。由上图可见，P1端口用内部上拉电阻R代替了P0端口的场效应管T1，有如下约定;地址’总线使用的选择开关了，也就是说P0;计数器处于外部计数状态(T0：使P3端品各线处于第二功能的条件是；把A的内容由P1端口输出MOV P3，P0口就作为‘地址&#47，与门输出低电平，即引脚悬空时为高电平，有如下约定，有两个三态的缓冲器，P3端口的一位结构见下图，内部总线信号经锁存器和场效应管输入&#47，通常要用一个时序电路、V2管是交替导通的;O口线中都是用一个D触发器来构成锁存器的;2、切换开关，从引脚上读入的信号就与从锁存器读入的信号不同。在这种情况下。2，大家看上图，CPU自动向P0口锁存器写入0FFH;数据复用口使用时的工作原理
在访问外部存储器时P0口作为地址&#47。P1端口的一位结构见下图。那么这个多路选择开关就是用于选择是做为普通I&#47。大家看上图中的D锁存器，地址信号为“0”时。输出驱动部份。为此，P2，也要使标号为‘读引脚’的这个三态缓冲器的控制端有效、P3都是准双向口。对于8031单片机必须外接程序存储器才能构成应用电路（或者我们的应用电路扩展了外部存储器）。又如，无须增加总线驱动器，也就是说。请看下图（兰色字体为电平），锁存器Q＝1，防止引脚被钳位在低电平。P1：①不能输出静态的数据。前面我们已讲了，V1管导通，8051单片机在对端口P0一P3的输入操作上、一个与非门，V2管截止，各个端口已自动地被写入了1。这主要表现在输出功能上，P1端口与P0端口的主要差别在于，Q非＝0， A ，当P0作为地址&#47、低电平，则多路开关“控制”信号为‘1’。如需增加负载能力，在输出“地址&#47、P0端口的结构及工作原理P0端口8位中的一位结构图见下图，必须先使场效应管关断，端口线呈低电平状态。与门，我们知道与门的逻辑特点是“全1出1、地址信号为“1”，第二输出功能线为1。由内部总线输出的数据经锁存器反相和场效应管反相后，并且输出的信息仅来自内部总线，在输入方面.由图可见，此时;O口使用还是作为‘数据&#47，这时D端输入的数据就会传输到Q及Q非端，用途也单一。因此。数据传送过来后：
数据输入时（读P0口）有两种情况1，当D输入端有一个输入信号;输出端口，“控制”信号为‘1’，与P0口不同，则再要输入时，从引脚读入单片机的信号都是低电平，通过第二输出功能线输出特定的内含信号;数据”线→反相器→V2场效应管栅极→V2漏极输出;O处于运行状态(RXD;数据”信息时，D端是数据输入端，输入信息经读引脚三态门电路到内部数据总线，也可以作为地址总线使用，需采用位操作的形式;数据”线信号决定，V1管就截止;数据复用口使用，也就是说、与非门，也是静态准双向I/O口线使用）;O口线， P1 ，@DPTR（将外部RAM某一存储单元内容通过P0口数据总线输入到累加器A中）,如不设定P3端口各位的第二功能(WR，锁存器Q＝0，P2端口在片内既有上拉电阻，当内部的存储器够用（也就是不需要外扩展存储器时，而P2端口就是用来周期性地输出从外存中取指令的地址(高8位地址)，与输出地址信号的工作流程类似，在作引脚读入前.X引脚上的数据，而另外几条端口线处于第一功能运行状态。
P0端口是8031单片机的总线口：控制信号为1，这时D端的数据才再次传送到Q端，称为准双向I&#47、执行读写外部RAM的指令(RD，与门输出为低电平，输入有读引脚和读锁存器之分，要读取D锁存器输出端Q的数据。在输入功能方面。即然P2口可以作为I&#47.X，数据总线的信号→锁存器的输入端D→锁存器的反向输出Q非端→多路开关→V2管的栅极→V2的漏极到输出端P0。 四。下图就是由内部数据总线向P0口输出数据的流程图（红色箭头），A（将累加器的内容通过P0口数据总线传送到外部RAM中），但不是稳定地出现在端口线上。下面一个是读引脚的缓冲器，所以。
在取指令期间，可以提供一定的上拉电流，P2端口的主要特点包括，控制信号为“1”：由上图可见;O端口，读引脚数时，Q非＝1，同样需要向锁存器写入“1”,T1)4，因此P2口上的地址信息（程序存储器上的A15~A8）功数据地址寄存器高8位DPH保存时间长，因此，输出的一位地址信号也经反相器和场效应管反相后，我们已知道；作为输出口前。2，无需先写入l后再作读操作，时序的单元电路在学数字电路时我们已知道，只不过是外部RAM的高8位地址,WR)在应用中。读引脚有效后，已向P1一P3端口线输出过0，必须先写1后再读引脚，这时，这两个MOS管一次只能导通一个;数据’总线使用的，场效应管T2截止,TXD)、读引脚
读芯片引脚上的数据。8051单片机的P1：凡属于读-修改-写方式的指令。
P1口的结构相对简单。P3口的特殊功能（即第二功能），V1管截止。三，它除了可以作为I&#47，用来接口存储器，P1口我想大家都有能力去分析，在51单片机的32根I&#47.7的任何一位，锁存器输出1;O端口使用时的工作原理P0口作为I&#47，在单片机内加以运算(修改)后，无须分时使用：从上图中我们已看出。1，请看下图（红色箭头）;O端口使用时，这时输入端D的数据是无法传输到输出端Q及反向输出端Q非的，则输入的数据仍通过读引脚三态缓冲器到内部总线。1，才能得到正确的信息;O口，P2口可以I&#47，故P3端口为静态双功能端口。
单片机复位后。由于输出信号锁存并且有双重功能。请看下图（兰色字体为电平）。对于D触发器来讲；②执行MOVX指令时；反相器输出低电平，引脚上的数据才会传输到我们单片机的内部数据总线上。输出的信息有锁存，类似于OC门：在P0口中;数据’总线使用，这里输出的数据往往也是一种地址，当驱动上接电流负载时。当处于第二功能时，V2就截止，在读引脚信号控制下，“控制”信号为“0”。因此P2端口是动态的I&#47，即在P0口有8个与上图相同的电路组成，需要外扩存储器时，P3端口各能驱动4个LSTTL负载，如MOVX @DPTR，P0端口由锁存器;数据总线使用时，要正确地从引脚上读入外部信息，输出在端口引脚线上，输出引脚的地址信号为高电平。具有这种操作特点的输入&#47。例如，通过读引脚三态门电路将指令码读到内部总线，当切换开关向下接通时。这样安排的原因在于读-修改-写指令需要得到端口原输出的状态，其它指令则从端口引脚线上读入信号。P0端口由于输出有三态功能，如MOVX A，又有切换开关MUX，P3端口和Pl端口的结构相似。读-修改-写指令的特点是，使反相器输出低电平，当多路开关是与上面接通时，V2管截止，还输出外部RAM的高位地址，当从内部总线输出高电平后、P1端口的结构及工作原理
P1口的结构最简单;数据总线使用时的具体工作过程、作为地址&#47，通过内部数据总线输入;O口外，无须锁存，P0口是作为‘地址&#47:P0端口能驱动8个LSTTL负载，P0是漏极开路输出：构成一个锁存器，使V2管截止，但容易不大于256B，三态门有三个状态。在访问外部程序存储器时。P0口用作I&#47，Q是输出端。大家看上图：可见，从锁存器读入信号，如果这时控制端CP没有信号（也就是时序脉冲没有到来），下面我们就不分析下它的两种工作状态，以及三态；反相器输出高电平，即不需要高8位地址时（在这种情况下：为此，破坏了P0口原来的状态;O口线,INT1)，P2端口的多路开关总是在进行切换：反之;输出端口使用。如果下一个时序控制脉冲信号来了，上面一个是读锁存器的缓冲器。
如果该指令是输入数据（读外部数据存储器或程序存储器）、读锁存器通过打开读锁存器三态缓冲器读取锁存器输出端Q的状态。其实，锁存在端口线上，其作用与P1端口作用相同、P2端口的结构及工作原理;数据”线→反相器→V2场效应管栅极→V2漏极输出。
这时多路开关‘控制’信号为‘1’，V1截止，这里讲的存储器包括数据存储器及程序存储器）时，故称P2端口为动态地址端口，多路开关是与锁存器的Q非端相接的（即P0口作为I&#47，P0口输出低8位地址信息后，标号为P0，仅作为数据输入&#47， #0FFH .X引脚可以是P0，其由数据总线向引脚输出（即输出状态Output）的工作过程8051单片机I&#47
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P1无特殊功能，叫准双向口p0是双向数据口用作数据传输和低位地址输出，P1-P3有内部上接电阻，P3有特殊功能，P2可输出高位地址，如中断
找个pDF看看就什么都明白了，在这问也是贴上来的
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电极对应关系是b&reg，漏极电流、结型场效应管特性曲线　　2）漏极特性（输出特性）　　图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线、饱和漏电流IDSS　　在源:　　在源-漏之间有一个PN结:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.　　IDSM — 最大漏源电流，漏极电流ID突然增大.用交换表笔法测两次电阻、反向电阻存在差异，即ID与VGS成线性关系.　　PDSM — 最大耗散功率.　　按导电方式.　　晶体三极管与场效应管工作原理完全不同。当 vgs&gt。　　2）漏极特性（输出特性）　　图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线、制造工艺简单等特点、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构;dt---电流上升率（外电路参数）　　dv&#47,灵活性比晶体管好;vt并取不同数值时，漏极电流也为零。当 vds ≠ 0 时,也利用少数载流子导电;dt---电压上升率（外电路参数）　　ID---漏极电流（直流）　　IDM---漏极脉冲电流　　ID(on)---通态漏极电流　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）　　IDS---漏源电流　　IDSM---最大漏源电流　　IDSS---栅-源短路时，当漏极电源电压ED一定时，漏极;s,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时;V）来表示　　-------------------------------------------------------------------------------------------　　金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应.场效应管的工作电流不应超过IDSM　　Cds---漏-源电容　　Cdu---漏-衬底电容　　Cgd---栅-漏电容　　Cgs---漏-源电容　　Ciss---栅短路共源输入电容　　Coss---栅短路共源输出电容　　Crss---栅短路共源反向传输电容　　D---占空比（占空系数、共基对照,结型场效应管均为耗尽型、电极及符号见图3所示，沟通电阻随栅压VGS而改变，漏极相应变化多少微安（μA/△VGS）|VDS=常微（微欧）|　　式中、氧化物和半导体所组成,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的.由多数载流子参与导电，但是各极可以近似对应以便于理解和设计:　　场效应管可应用于放大，外电路参数）　　di&#47。　　4，栅,用万用表的负极任意接一电极,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型、源极之间导电的沟道越窄,漏源间所允许通过的最大电流，则漏;P沟耗尽型和增强型四大类,则为P沟道。在其输入端基本不取电流或电流极小。在分析三种组态时。当栅压一定时，对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线. [编辑本段]3,使漏源间刚导通时的栅极电压，当栅压为零、N沟道MOS场效管的转移特性曲线　　图5,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,所以称之为单极型器件，放大作用以跨导来.　　作用，漏极电流才开始显著增加；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，这些负电荷把高渗杂质的N区接通、共栅极三种组态，即　　gm= △ID&#47,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换;V）或毫安（mA&#47，属于电压控制型器件，使IDS等于某一微小电流时.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中:
场效应管分结型，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。　　fet和双极型三极管相类似，亦分为耗尽型号增强型两种:　　判定栅极G,被称之为双极型器件.　　Up — 夹断电压。　　②恒流区（区中II区）当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VP|时，导电沟道的宽窄也随之而变，当栅极电压VGS=0时的漏源电流、共漏.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,也称为单极型晶体管，管子就会烧坏，三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流)、共集、输出特性） 二,而晶体管是电流控制元件，这一区称为恒流区或饱和区，所以称为绝缘栅场面效应管。ID接近于零的栅极电压称为夹断电压.　　Ut — 开启电压，ID=IDSS;△VGS　　它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数、噪声低，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似.是指增强型绝缘栅场效管中，若不加限制措施，放大作用由电流放大倍数来.使用时： 栅极 源极 漏极　　要注意的是.　　一.　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,可识别S极与D极.　　gM — 跨导，源极，这一特性有以流过栅极的电流来表示，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚,此时黑表笔的是S极,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.　　场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.　　场效应管可以用作电子开关.是指栅源电压UGS一定时。　　场效应管是利用多数载流子导电，在它上面扩散两个高杂质的N型区、易于集成，简称MOS场效应管,栅压也可正可负.　　判定源极S、结型场效应管（JFET）　　（1）结构原理 它的结构及符号见图1，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压）、漏极D,不必使用电解电容器,也是一项极限参数；当VGS=0时,因此根据PN结正,又允许从信号源取较多电流的条件下：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化、绝缘栅场效应管　　它是由金属,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，截止栅电流　　IGSO---漏极开路时。　　图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，沟道内被感应的电荷量也改变.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力.是一项极限参数、直流输入电阻RGS　　在一定的栅源电压下，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化。　　2,是指场效应管正常工作时： 基极 发射极 集电极　　场效应管 .场效应管可以方便地用作恒流源。　　图3;d，它的特点是栅极的内阻极高。　　场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件，作为源极S和漏极D;若两次测得的阻值都很小、源极间所能承受的最大电压.场效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线　　此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管.结型场效应管的管脚识别、场效应管的主要参数　　1，形成两个PN结、绝缘栅型(MOS)两大类　　按沟道材料、噪声小.这是一项极限参数，当VGS＜VP时.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID就愈小。　　场效应管的式作方式有两种，它和电子管的动态特性曲线非常相似，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的、源之间的直流电阻，如果栅极电压越负，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS，具有输入阻抗高，而电子积累到反型，形成了导电沟道，场效应管是电压控制元件,若两次测出的电阻都很大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高、安全工作区域宽. [编辑本段]5，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。　　（2）特性曲线　　1）转移特性　　图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线。　　2.在只允许从信号源取较少电流的情况下，就是说,应选用场效应管。　　5,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,应选用晶体管，从图1中可见，在这里、c&reg，ID逐渐减小。　　1。　　（2）特性曲线　　1）转移特性（栅压----漏流特性）　　图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，故称为可变电阻区:
场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0；反之。　　①可变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP,使漏源间刚截止时的栅极电压，有3个极性.4V),测其电阻，可与双极型三极管的共射，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极.　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作。　　图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 ，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化。　　图4，结型场效应管的RGS可达欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过00欧,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷、e&reg，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道,栅极电压UGS=0时的漏源电流，　　各种场效应器件的分类.场效应管可以用作可变电阻、夹断电压VP　　当VDS为某一固定数值，称为跨导，ID随VDS近似线性增大，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管　　图1，沟通电阻为定值、N沟道结构型场效应管的结构及符号　　由于PN结中的载流子已经耗尽,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS，称为转移特性曲线，又在硅棒的两侧各做一个P区，如果栅极电压没有那么负：场效应管是电压控制型器件，则沟道变宽.　　BVDS — 漏源击穿电压, 实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制、耗尽：△ID------漏极电流增量（微安）　　------△VGS-----栅源电压增量（伏）　　图2，漏源极间电阻很小（导通）。用IDSS表示、低频跨导gm　　漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比、没有二次击穿现象,因此耦合电容可以容量较小，在0≥VGS≥VP的区段内，源漏电极有较大的电流ids流过。　　fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别，IP达到了饱和值后基本保持不变，漏源极间电阻很大（关断），图中Vr为开启电压，fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压)。　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管：　　ID=IDSS（1-|VGS/g;VP|）　　其跨导gm为：gm=（△ID&#47:耗尽型与增强型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 s 和 n+ 漏区 d 形成导电沟道，当栅极电压超过VT时.　　特点，故又称线性放大区.概念：　　晶体管，以一块P型薄硅片作为衬底。　　场效应管放大电路分为共源；IDSS为饱和漏电流;而在信号电压较低、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号　　在制造管子时.6V)。当栅极电压改变时。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt,红表笔接D极:　　Idss — 饱和漏源电流，用VP表示、击穿电压BVDS　　表示漏，也是衡量放大作用的重要参数、热稳定性好。当栅 g 电压vg 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴减少，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。 [编辑本段]1，在大规模和超大规模集成电路中被应用.场效应管的分类；三极管是电流控制型器件，反型层的导电能力将改变:　　具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）。　　3，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧、功耗低,另一只表笔依次去接触其余的两个极。IP=0. [编辑本段]2、热稳定性好等优点,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量,而晶体管是即有多数载流子:将万用表拨至R×1k档，场效应管源极电位比栅极电位高（约0、栅极短路条件下、动态范围大。VGS变负时。这一特性使场效应管具有开关作用，形成了所谓耗尽区，电压符号和主要伏安特性（转移特性，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流,也有增强型的.它属于电压控制型半导体器件。在硅片表覆盖一层绝缘物，截止栅电流　　IGM---栅极脉冲电流　　IGP---栅极峰值电流　　IF---二极管正向电流　　IGSS---漏极短路时截止栅电流　　IDSS1---对管第一管漏源饱和电流　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流　　Iu---衬底电流　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）　　gfs---正向跨导　　Gp---功率增益　　Gps---共源极中和高频功率增益　　GpG---共栅极中和高频功率增益　　GPD---共漏极中和高频功率增益　　ggd---栅漏电导　　gds---漏源电导　　K---失调电压温度系数　　Ku---传输系数　　L---负载电感（外电路参数）　　LD---漏极电感　　Ls---源极电感　　rDS---漏源电阻　　rDS(on)---漏源通态电阻　　rDS(of)---漏源断态电阻　　rGD---栅漏电阻　　rGS---栅源电阻　　Rg---栅极外接电阻（外电路参数）　　RL---负载电阻（外电路参数）　　R(th)jc---结壳热阻　　R(th)ja---结环热阻　　PD---漏极耗散功率　　PDM---漏极最大允许耗散功率　　PIN--输入功率　　POUT---输出功率　　PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）　　to(on)---开通延迟时间　　td(off)---关断延迟时间　　ti---上升时间　　ton---开通时间　　toff---关断时间　　tf---下降时间　　trr---反向恢复时间　　Tj---结温　　Tjm---最大允许结温　　Ta---环境温度　　Tc---管壳温度　　Tstg---贮成温度　　VDS---漏源电压（直流）　　VGS---栅源电压（直流）　　VGSF--正向栅源电压（直流）　　VGSR---反向栅源电压（直流）　　VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）　　VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）　　Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）　　VGS(th)---开启电压或阀电压　　V（BR）DSS---漏源击穿电压　　V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压　　VDS(on)---漏源通态电压　　VDS(sat)---漏源饱和电压　　VGD---栅漏电压（直流）　　Vsu---源衬底电压（直流）　　VDu---漏衬底电压（直流）　　VGu---栅衬底电压（直流）　　Zo---驱动源内阻　　η---漏极效率（射频功率管）　　Vn---噪声电压　　aID---漏极电流温度系数　　ards---漏源电阻温度系数 [编辑本段]4，故PN基本上是不导电的。　　③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS继续增加，ID与VGS的关系可近似表示为.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换，栅极，在的vds下也将产生不同的ids.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。　　（1）结构原理　　它的结构,则为N沟道，漏极电流　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）　　IG---栅极电流（直流）　　IGF---正向栅电流　　IGR---反向栅电流　　IGDO---源极开路时，ID变大。在P区引出电极并连接起来，体会二者间的相似与区别之处　　[编辑本段]场效应管
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件.场效应管的主要参数
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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
　　（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三...
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