求NPN三极管Uce的电压计算公式_百度知道
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求NPN三极管Uce的电压计算公式
硅管：已知道了基极电流 Ib=（Ub-0.7）/Rb,而集电极电流等于（β*Ib），
Uc=（β*Ib)*Rc+Uce Uceo是穿透电压，与导通状态下的Uce不一样。这个穿透电压在制作的时候就已经测好了，看晶体管的参数时都会有这个参数值。这个参数的意思是：当三极管的基极开路的时候，加在三极管上的反向电压超过Uceo这个值时，三极管损坏。
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此电路处于截至状态，截止时Vce等于电源电压
Uce=+Vcc-Rc*Ic-Re*(Ic+Ib)
这个电路Ib=0，所以Ic、Ie也为0，Uce=Vcc。
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回答问题，赢新手礼包图说三极管的三个工作状态
大家都知道三极管是电流控制型元件，三极管工作在放大状态下存在Ic=&Ib的关系，怎么理解三极管的放大模型呢？这儿我们抛开三极管内部空穴和电子的运动，还是那句话只谈应用不谈原理，希望通过下面的&图解&让初学者对三极管有一个形象的认识。
&&& 三极管是一个以b(基极)电流Ib 来驱动流过CE 的电流Ic 的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门。
左边细管子里蓝色的小水流冲动杠杆使大水管的阀门开大，就可允许较大红色
的水流通过这个阀门。当蓝色水流越大，也就使大管中红色的水流更大。如果放
大倍数是100，那么当蓝色小水流为1 千克/小时，那么就允许大管子流过100
千克/小时的水。三极管的原理也跟这个一样，放大倍数为100 时，当Ib(基极
电流)为1mA 时，就允许100mA 的电流通过Ice。
有了这个形象的解释之后，我们再来看一个单片机里常用的电路。
我们来分析一下这个电路，如果它的放大倍数是100，基极电压我们不计。基极电流就是10V&10K＝1mA，集电极电流就应该是100mA。根据欧姆定律，这样Rc上的电压就是0.1A&50&O＝5V。那么剩下的5V 就吃在了三极管的C、E 极上了。好！现在我们假如让Rb 为1K，那么基极电流就是10V&1K＝10mA，这样按照放大倍数100 算，Ic 就是不是就为1000mA 也就是1A 了呢？假如真的为1安，那么Rc 上的电压为1A&50&O＝50V。啊？50V！都超过电源电压了，三极管都成发电机了吗？其实不是这样的。见下图：
我们还是用水管内流水来比喻电流，当这个控制电流为10mA 时使主水管上
的阀开大到能流过1A 的电流，但是不是就能有1A 的电流流过呢？不是的，因为上面还有个电阻，它就相当于是个固定开度的阀门，它串在这个主水管的上面，
当下面那个可控制的阀开度到大于上面那个固定电阻的开度时，水流就不会再增
大而是等于通过上面那个固定阀开度的水流了，因此，下面的三极管再开大开度
也没有用了。因此我们可以计算出那个固定电阻的最大电流10V&50&O＝0.2A
也就是200mA。就是说在电路中三极管基极电流增大集电极的电流也增大，当基
极电流Ib 增大到2mA 时，集电极电流就增大到了200mA。当基极电流再增大时，
集电极电流已不会再增大，就在200mA 不动了。此时上面那个电阻也就是起限流作用了。
上面讲的三极管是工作在放大状态，要想作为开关器件来应用呢？毫无疑问三极管必须进入饱和导通和截止状态。图4所示的电路中，我们从Q 的基极注入电流IB，那么将会有电流流入集电极，大小关系为：IC=&IB 。而至于BJT 发射结电压VBE，我们说这个并不重要，因为只要IB 存在且为正值时，这个结电压便一定存在并且基本恒定（约0.5～1.2V，一般的管子取0.7V 左右），也就是我们所讲的发射结正偏。既然UBE 是固定的，那么，如果BJT 基极驱动信号为电压信号时，就必须在基极串联一个限流电阻，如图5。此时，基极电流为IB=（Ui-UBE）/RB。一般情况省略RB 是不允许的，因为这样的话IB 将会变得很大，造成前级电路或者是BJT 的损坏。
& & & 图4 & & & & & & & & & & & &图5
接下来进入我们最关心的问题：RB 如何选取。前面说到过IC=&IB，为了使晶体管进入饱和，我们必须增加IB，从而使IC 增大，RC 上的压降随之增大，直到RC 上几乎承受了所有的电源电压。此时，UCE 变得很小，约0.2～0.3V（对于大功率BJT，这个值可能达到2～3V），也就是我们所说的饱和压降UCE（sat）。如果达到饱和时，我们忽略UCE（sat），那么就有ICRL=&IBRL=Vcc。也就是只要保证IB&IC/&或IB&Vcc/(&RL)时，晶体管就能进入饱和状态。我们看这样一组数据：Vcc=5V，&=200，RL=100&O。那么要求IB&5/(200&100)A=0.25mA。如果Ui=5V，那么取RB&（Ui-UBE）/IB&(5-0.7)/0.25k&O=17.2k&O就能满足要求了。但是，实际上，对于这种情况，如果取一个10k&O以上的电阻都可能导致BJT 无法进入饱和状态。这是为什么呢？
因为我们的器件不是理想的，我们在来看下面一个图。
这是我们常用的一款小信号BJT，型号为MMBT3904 的直流电压增益曲线。从图中可以看出，BJT 的共射极直流电压增益hFE（也就是通常意义下的&）不仅是温度的函数，而且与集电极电流有关。在一定的集电极电流范围内，hFE 基本为常数；当集电极电流大于一定值时，hFE 将急剧下降。产生这一现象的机理我们在这里就不讨论了。我们在使用BJT 作为开关时，大多数情况下用于驱动外部负载，如LED、继电器等，这些负载的电流一般较大，此时hFE 已经下降到远小于我们计算时使用的那个值。如前面的例子，如果这个BJT 为MMBT3904，集电极电流达到近50mA，此时的&（或hFE）已经下降到只要100 左右了，计算基极电阻时使用的&也应该取100 而不是200。
而实际应用中，IB 并不是越大越好，因为IB 对外电路来说是没有实质作用的，它仅仅是维持BJT 可靠导通的必要条件。IB 越大，驱动部分的损耗也就越大，从而降低了电路的效率。而且IB越大还会影响三极管的开关速率，这个我们后面再深究。
电子元件基础之三极管静态工作点
我们都知道，三极管的工作状态有三个，截止区，放大区，饱和区。那么三极管工作在什么工作状态是由什么决定的呢？是由基极电流（Ib）来决定的,和其他因素完全没有关系。
&如果Ib ＝ 0，则三极管工作在截止区。
&如果0 & Ib &&&饱和电流，则三极管工作在放大区。
&如果 饱和电流&Ib &&,则三极管工作在饱和区。
虽然说三极管的工作状态是由基极电流决定的，但是能够影响基极电流的因素就有几个，其中最重要的就是静态工作点。
&&& 在放大电路中，当有信号输入时，交流量与直流量共存。那什么是三极管的静态工作点呢？三极管静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些电流、电压的数值可用BJT 特性曲线上一个确定的点表示，该点习惯上称为静态工作点Q。用我们的大俗话就是三极管处于静态工作状态的时候的基极电流。就是当没有交流信号输入到基极的时候，三极管的基极电流。
&静态工作点是怎样影响三极管的呢? 静态工作点直接就会影响三极管的基极电流, 从而影响三极管工作在什么区域。 如果静态工作点靠近饱和区, 那么就很有可能部分的交流信号进入饱和区,没有进行放大, 造成饱和失真。 如果静态工作点靠近截止区, 那么也很有可能有部分的交流信号进入截止区, 造成截止失真。
那什么因素会影响静态工作点呢? 影响静态工作点的因素有很多, 最突出的两个就是偏置电阻和温度。 如果偏置电阻过大, 那么造成基极电流较小, 静态工作点比较靠近截止区. 如果偏置电阻过小,那么造成基极电流较大, 静态工作点比较靠近饱和区。 所以偏置电阻的选择很重要, 另外的一个重要因素是温度. 大家都知道, 温度的升高会造成半导体器件的导电性能增强, 对于三极管来讲, 就是放大倍数的增加。 所以也就产生了,很多种的抑制静态工作点漂移的电路了。
电子元件基础&MOS管
平时在实验室常用的器件还是三极管相对较多，对MOS管用得甚少，今年11月份雨滴科技有限公司寄来了六套STM32 DEMO_V1.2评估板，板子上面就有几颗MOS管，为了更好认识MOS管，在课本和网上查了许多资料，现在整理出来给大家分享。
由于水平有限在这儿我们只谈应用不谈原理。我们知道MOS管有P沟道和N沟道之分，给出一个MOS的电路符号，你是怎么判断它是N沟道，还是P沟道？下面我们就来看图1这颗MOS管电路符号。
请问：哪个脚是S（源极）、哪个脚是G（栅极）哪个脚是D（漏极）？D和S，是N沟道还是P沟道MOS？1脚和3脚之间存在一个二极管，这个二极管有什么作用？如果接入电路，一般哪个接输入哪个接输出？
MOS三个极怎么判断
它们是N沟道还是P沟道
寄生二极管
在图1我们看到D极和S极之间存在着一个二极管，这个二极管叫寄生二极管。MOS的寄生二极管怎么来的呢？翻开大学里的模拟电路书里面并没有寄生二极管的介绍。在网上查了一番资料才知道，它是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面，N&MOS衬底接最低的电压，P&MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。那么寄生二极管起什么作用呢？当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。（起到保护MOS管的作用）&
寄生二极管方向判定
MOS管的应用
我们笔记本主板上用得最多的电子器件便是MOS管，可见MOS管在低功耗方面应用得非常广泛，MOS管都有哪些应用呢？先来看下面的原理图
相信你从图5可以看出MOS管在电路中的作用了吧，以上的MOS开关实现的是信号切换（高低电平的切换），那么MOS在电路中要实现开关作用应该满足什么条件呢？还有前面提过MOS管接入电路哪个极接输入哪个极接输出（提示：寄生二极管是关键）？我们先看MOS管做开关时在电路的接法。
想一想为什么是这样接呢？反过来接行不行？那是不行的。就拿NMOS管来说S极做输入D极做输出，由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用，同理PMOS管反过来接同样失去了开关作用。接下来谈谈MOS管的开关条件，我们可以这么记，不论是P沟道还是N沟道，G极电压都是与S极电压做比较：
N沟道：& UG&US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
P沟道：& UG&US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？这要看具体的MOS管，不同的MOS管要求的压差不同。比如笔记本上用于信号切换的MOS管：N2E，2N7002K，2N7002D，FDV301N等。UG比US大3V---5V即可。
如果我们想实现线路上电流的单向流通，比如只让电流由A-&B，阻止由B-&A，请问该怎么做？
但这样的做法有一个缺点，二极管上会产生一个压降，损失一些电压信号。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。下面我们来看一个防电源反接电路。
这个电路当电源反接时NMOS管截止，保护了负载。电源正接时由于NMOS管导通压降比较小，几乎不损失电压，比在电源端加保险管再在负载并联一个二极管的方案好一些。
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北京市公安局备案编号： 京ICP备：号新手求教关于三极管计算的问题。 如图，Rb取多大值时，能令Ic取到最大值?此时Ic，Ib，Ie的值_百度知道
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新手求教关于三极管计算的问题。 如图，Rb取多大值时，能令Ic取到最大值?此时Ic，Ib，Ie的值
新手求教关于三极管计算的问题。如图，Rb取多大值时，能令Ic取到最大值?此时Ic，Ib，Ie的值各为多少?
我有更好的答案
当三极管临近饱和时，Ic 最大，取饱和临界点电压 Uce=0.5V，β=100；那么有 Urc + Uce + Ue = Vcc ；Ic*Rc + 0.5 + Ie*Re = 15；Ib*Rb + 0.7 + Ue = 3；余下的，自己去完成吧
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回答问题，赢新手礼包这个图怎么解释三极管的放大ic/ib？？？？_百度知道
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这个图怎么解释三极管的放大ic/ib？？？？
我有更好的答案
正常放大电路都会工作在事先指定的工作区域 3、不同功能的电路有不同的工作点，如放大电路要求工作在特性曲线的线性区，开关电路工作截止或饱和区 4，随着ib的继续增加ic也增大，注意ic 增大β会变小，ib↗继续增大使ic达到ic的最大值（由负载决定），ib再增大，ic进入饱和区；即ic不再增大了，仅有直流工作点1、静态时，三极管电路中；当ib逐步减小，当ib&=0时，处于截止区，当发射结下正偏时，ib↗，工作点的大小是通过调整偏置电阻取得的，一般事先调整好，使其工作在指定工作区，电路进入放大区，此时，ic=βib， ic逐步减小； 2、动态时，电路的工作状态的主要受输入电流的变化、电路不同的工作状态或者是说工作区域是通过改变为基极电流来控制，也就是说，工作状态也不尽相同
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回答问题，赢新手礼包三极管做开关用的时候基极取多大电阻怎么确定？ - 维库电子市场网
三极管做开关用的时候基极取多大电阻怎么确定？
作者：chaojijing　栏目：
三极管做开关用的时候基极取多大电阻怎么确定？&&&汗，看人家的电路能知道三极管是开关用的，从来没细想过那里面的电阻为什么取那个值，现在自己要作个三极管简单电路就搞不明白怎么取基极电阻了。&&&希望大家莫笑我菜，不吝赐教。三极管基极高电平是5V，需要多大的基极电阻？是否和三极管其他参数有关，具体怎么设计的，请说说，谢谢先
作者： t 于
10:49:00 发布：
作者： 张骏洋 于
11:22:00 发布：
一般我用的是1K的，&
作者： chunyang 于
12:13:00 发布：
以NPN管为例大致计算一下典型3元件开关电路的选值：设晶体管的直流放大系数为100，Ib＝（驱动电压－0.7Vbe结压降）/Rb，Vce＝Vcc－100Ib×Rc，令Vce＝0，由此可算出临界值，只要Rb小于临界值即可，但其最小值受器件Ib容限限制，切勿超过。
作者： chaojijing 于
12:14:00 发布：
1K不行吧我得实际应用电路如图，是用单片机来控制小喇叭发声音的
作者： chaojijing 于
12:23:00 发布：
谢谢chunyang我得hfe约170,按照你的公式算出来Rb约4K，但是我现在用的就是的，怎么它没法导通呢？
作者： gangy 于
13:05:00 发布：
应小于计算值.取2-3K.&
作者： chaojijing 于
15:11:00 发布：
弄到1K还是不行啊而且把单片机这个脚设为始终高电平发现三极管还是没导通，三极管坏了？
作者： gangy 于
15:57:00 发布：
负载多大? 用什么驱动?&
作者： liuzhongqi 于
16:05:00 发布：
应考虑单片机的最大输出电流和三极管的直流放大系数&&&&由于单片机的输出能力有限，最好查清楚其最大输出电流。另外，再计算驱动小喇叭的最大电流。两个电流相除即为直流放大倍数，再根据直流放大倍数选择三极管（一只不行还可复合）。加基极电阻的目的是限制三极管基极电流，防止三极管的基极因电流过大而损坏。如果单片机的内阻很大，输出的电流不超过10mA，此电路中完全可不加基极限流电阻。
作者： chaojijing 于
16:34:00 发布：
三极管没坏呵呵，搞定，本以为单片机带一个三极管没问题，看来还是要加上拉才行啊..... * - 本贴最后修改时间： 17:54:08 修改者：chaojijing
作者： droum 于
17:30:00 发布：
其实30k都够了也许通了你以为没通,也许3极管坏了你以为没坏,也许单片机坏了也许电阻坏了也许喇巴坏了你把单片机输出高电平,量一下单片机输出电压和三极管集电极电压,把数据报上来
作者： lghua2004 于
17:46:00 发布：
试几个电阻 就是了&
作者： 赖城基 于
1:07:00 发布：
晶体管开关设计方法晶体管开关设计方法1）负载电流，首先要知道开关的负载电流是多少。2）推动电流，必须知道前级电路可以提供多少推动电流。3）选择晶体管，根据1）和2）选择合适的晶体管----Ic&开关的负载电流(主选参数)；晶体管类型，当2）X 10　& 1) 选择普通晶体管（这里的10是晶体管作开关时的常规参数），而当2）X10 && 1) 时，选择达林顿晶体管。（这里没有晶体管放大倍数的选择，恐怕现在是难得见到&10的晶体管了）4）根据2）选择晶体管基极电阻 R =& （前级电路推动电位―0.7）/ 2）。说明1：以上方法是指可以工作的安全条件，实际电路取值还与1），2）的比值相关，与实际电路要求的饱和深度，开关频率相关，与实际电路结构相关。说明2：说明1是在假设2）是干净的，以0 电位为基准的方波。当这一条件不符时，由于电路结构将发生变化，1）2）3）4）均无效。
作者： chaojijing 于
9:01:00 发布：
呵呵，赖兄的理论好长虽然没完全明白，不过还是受益了：）
作者： rickyice 于
9:54:00 发布：
作者： 赤铸 于
11:26:00 发布：
两点1. 为确保三极管能进入饱和区，确定最大值Rmax2. 为确保功耗和输入电流不过大，确定最小值Rmin在Rmin,Rmax之间凭经验选择即可
作者： lai832 于
1:03:00 发布：
我来个简单点的IB&&IC/B IC是饱和电流，B是放大倍数。&&指远大于的意思）还有要适当考虑与前一级的匹配。&&&到于要考虑的因素还有BE阻抗等因素，不过都是为是达到上式的要求，（当然，不是无
作者： 小菜 于
10:14:06 发布：
此图不是用到三极管的开关作用吗&
&怎么还考虑它的放大呢？
作者： QQ: 于
16:06:51 发布：
销镇流器测试针、继电器T4、T5直管
作者： 笑居 于
11:26:34 发布：
在学校时不认真；现在学习学习！
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