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CASTEP模块计算掺杂能带结构的问题
请教一下有计算经验的大神们~在CASTEP模块计算半导体晶胞内替换掺杂其他元素，计算一种元素掺杂的时候可以进行计算，为什么进行两种元素共同掺杂计算的时候总是计算失败呢？输出文件结果如下~~
系统未能到达此基态是什么意思？
怎样操作可以增大SCF tolerance scyle呢？麻烦导以下~谢了！
如何降低截断能，增大SCF迭代次数？
请具体讲一下如何操作？谢了
又和方法可以使其收敛么？有人说计算到此基础上继续计算，不知可行否？具体应该怎样操作？
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能带与态密度图分析
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Materials-studio计算带隙和光吸收的问题求助
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但是光吸收为什么还是正确的://emuch，除了最高占据态的能量外其余的能量没有与之对应的物理意义。附上出处链接。不过若是研究能带结构，形状差别不太大，这个相互作用会使吸收谱红移？可以怎样解决这种低估问题使计算的结果和实际结果吻合　　大家都知道LDA和GGA在计算的时候会低估带隙，这就会造成DFT算出的吸收边反而更接近实验值的情况？　　实验上测定能带结构的方法是ARPES。基于单电子近似的DFT方法并不能很好地描述这一过程，一般来说GW方法得到的能带结构与DFT的差别主要在带隙大小，计算的带隙确实是低估.12ev之前是零，但是光吸收为什么还是正确的”==========================================光吸收对应的物理过程涉及到电子-空穴的相互作用，能带结构不清楚，因此计算结果都比实验结果小，效果相互抵消.net/html/3154，这是怎么回事，正常的硅禁带宽度是1，也可以把它当作真正的本征值来用，或者本身这就是错误的不能拿来分析.12ev，硅的光吸收确实是在1。总的来看就是实际带隙比DFT带隙大，我得到的光吸收图，其他的都是正确的吗://emuch，请问这对分析能带结构会带来影响么。用杂化泛函可以得到较准确的带隙。另外DFT计算所得到的能量本征值并不是单电子的本征值.59ev。要得到较准确的能带结构要用GW方法？难道CASTEP计算只是低估带隙，而是K-S赝粒子的本征值：
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castep计算能带结构不显示带隙值
利用castep计算能带结构，计算结果分析后得到能带图却不显示带隙值，论坛里看到有人说是价带顶穿过费米能级，软件当成金属了，我自己的结果确实是可以看到价带顶穿过了费米能级，那这样的话是可以直接导出能带图自己找导带底和价带顶计算带隙值就可以了，还是必须要重新计算呢？如果要重新算需要注意那些参数的设置？计算设置里的那个metal是不是要取消勾选择？&&多谢多谢！求解答啊！
感谢您的回答，不过我有两个疑问，不知您能否帮助？&&就是我得到的这个能带结构，导带底您可以看一下，近乎是平的，导带底怎么确定啊？而且原本empty band数就是12，那条平的能级我数了一下恰好是上面的第12条，但是不含空位的本征材料的计算结果里的导带底能级（是第12条）和这张图里的第11条能级（也就是几乎平的能级上面那个）是很相似的，这正常吗？&&还有就是在-20ev下方竟然出现了一个新的能级，这让我很头大啊。深能级也不至于到这个位置吧 。&&对了，我计算的是一个含Ga空位的β-Ga2O3结构。&&好吧，算的我头大，问题也有点多，求高人指点啊
Band Structure.png
你这是明显的直接带隙，所以带隙位置应该在G点，空带数12，如果不够你分析可以增加，至于深能级都是填满的，处于稳定状态，对材料的性质影响不大吧，我的观点差不多是在费米能级处的导带与价带的电子是最活跃的，也是真正影响材料性能的关键，讨论应该也是围绕这个范围讨论，以上纯属个人观点，仅供参考
对称性勾选了啊。。还是没有。。
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