关于三星850evo寿命的问题_固态硬盘吧_百度贴吧
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关于三星850evo寿命的问题收藏
五一时吧友手里入的固态硬盘，安装四天了，中间安装软件，看视频看的比较多，写入量达到0.28T，平均每天0.07T,丧星官网给的保修是75T，所以可以在保的时间（75/0.07）/365约等于2.94年，三星之所以敢定75T，所以75T内没问题的，75T对于120G的850evo来说相当于700次左右的擦写.tlc有1000次擦写，也就是说按照我这个用法，3年850evo就有随时挂掉的可能了，到了4年，挂掉就很正常了
关于三星850evo动不动就说自己有5年保修，这个真的很可耻！，这仅仅是保修条件之一，另一个条件是写入量在75T内，要想不超，只能每天写入750/（5*365）=0.41T
最后一个算的不对吧？
每天不玩游戏41G应该还可以～
呵呵，看看，其实3dnand已经把tlc的寿命基本上解决了，3d后接触面积大了电荷耗光的尴尬就没有了，不过tlc的延时问题现在还是无法根本解决的。
所以准备2到3年后就体验新的固态硬盘技术的吧友可以不用介意850evo的材质问题，更何况多数固态硬盘报废不是颗粒寿命到了，而是主控，所以mlc的寿命并不会比tlc的长太多。
楼主怎么装求教 台式机
今天准备入TLC三丧坑
2到3年估計固态白菜价，再换就好了。
完全不用担心
你难道每4天重装一次一次系统和软件
好一记洛阳铲
固态硬盘读取不会造成颗粒损耗，只有写入才会造成损耗
你完全可以把浏览器中的视频缓存到内存中或机械盘。 这样就不写入固态了，写入极少，楼主你电脑水平堪忧，还是不会玩啊。
tlc不是500次吗？
逗，原来三星科技水平提高没楼主数学和逻辑提高的快。三星evo硬盘在世界上指着忽悠才卖出去的对不。
又不是写入了75Tb之后一定会坏，况且用了那么多年后，还看不看得上这旧硬盘还是个问题
看这个帖子，帖主两个月写入了100T，850evo状态仍然良好
我知道我用了1年才1.7t，自己非要用ssd下电影作死的，1000t都不够你用
难道你电脑只装SSD 况且还不是250G的850EVO 我是250SSD+1T
一年了才写入2.1T 最低写入大限150T，这块固态我觉得可以传给我孙子了
你能做到天天下载完吗？你能做到天天下载都看得掉么？你能做得到有那么多视频给你下载吗？一年一共有多少电影，多少电视剧，多长时间，你自己算算不就知道了？
tlc的寿命现在完全没有问题，问题是tlc的掉速
买啥都别买三星 那么多牌子不选选三星 呵呵
英特尔 浦科特 东芝
成天说来说去。买了就用就行了。烦不烦
放心吧 官方给的75T是很保守的数据。。对850写入测试，最后写入了120T，还没有挂。现在的MLC的SSD官方也都只给80T左右的数据，由此就可以看出数据很保守
我打赌楼主三年后写入绝对超不过30T
然而我去年九月份买的已经1.85t
请问楼主，这个固态硬盘玩gta5每天的写入量是多少？
楼主，你固态挂了吗？
用了一个月了，算是中度使用。0.28t
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还原真实性能，三星840Evo 120G深度评测（转）
坛子里好像木有840Evo像样的开箱或是评测呢？要不我就来一发吧，虽然840Evo的价格我感觉还是比较坑，买块120G的就当玩玩了。隔壁几乎没有浦科特的开箱和评测，而EVA也很难见到三星的开箱和评测。难道选择了固态硬盘品牌就要选择站哪队？
可能有三星跑分帖被移帖的，但别的盘纯跑分被移的也多的是。EVA的SSD版块是技术区，纯跑分可能会被移帖，但并不是不让人说话，可能只是版主不想让无营养帖子充斥版面沉了技术贴吧。如果能写点有意义、有观点、有价值的东西出来，精华帖也很容易拿的。如果你希望展示自己的帖子，却被移动到了其他版块，也可以到水区发帖让大家去看呀，如果真的是好内容，大家一样会跟帖点赞。
至于隔壁没人发浦科特帖是担心ID不保吧哈哈，我总是隐隐觉得隔壁的三星水虫和轮子是穿一条裤子的。反正隔壁SSD版块除了三星水虫的帖，基本也没人气了，版主空缺，版面一个精华都看不到，论坛真有水平的话会是这样？连个有分析能力的人都没有，只会点编造消息+臆测的本领，那直接找娱乐八卦界的人就可以了。说话做事丝毫没有事实根据，捕风捉影谁不会？
三星水虫喜欢把这边叫做浦科特之家，仿佛只要发三星的帖子就会被BAN一样，依我看PCEVA还是很自由民主的，被BAN的也就那几个无视事实颠倒黑白的小马甲。而隔壁那几个自封大神的水虫，除了拾人牙慧加以歪曲也没别的能耐，还不是每天关注着PCEVA，PCEVA说什么，然后他们就给你胡乱歪曲一下黑黑黑，哪天“浦科特之家”不说话了，他们会不会没文可发，没五毛可拿呢？
在三星软文里，三星840Evo是神一般的存在，持续读写撑满接口带宽、4K单线程读取写入超高、“3 bit MLC”比真MLC耐久度还高…于是840Evo就可以“合情合理”地卖MLC的价了。
本文看点预告：
1.& && &&&840Evo的持续写入真的一直那么好看？
2.& && &&&纯写入和90%写入10%读取的时候速度差了近一半你信吗？！
3.& && &&&三星840Evo的4K单线程读取特别高，这居然是假的？？！
本文所有分析有理有据，绝不做无脑黑，如有你认为不合理的地方欢迎辩驳。
因为网上见过三星固态硬盘保修被官方和总代互相踢皮球的，我就从京东买好了，469比淘宝贵了40块，这性价比简直弱爆了。
从纸箱+保护气袋到只剩塑料购物袋，京东这几年降低成本的努力很充分…还好京东自家物流速度很快，对自家货物保护也不错，还没有遇到开箱损坏的情况。
京东发票为证，469。京东在盒子上贴了好多贴纸，真的是很影响观感啊，正面还有一张货号贴纸，我也给他撕掉了，不过还是留下了一点痕迹。
包装盒做的四四方方的，这是因为里边有张光盘，不得不如此。其实这张光盘总共才36M的内容，三星干嘛不送个小容量的优盘把软件放里边呢？要知道现在新装机几乎没人配光驱了。
三星470是金属灰外壳，左下角橙色方框内标注容量，橙色方框其实是和中框一体的。到了三星830变为黑色外壳，左下角橙色方框，不再标容量。三星840依旧是黑色外壳，不过橙色方框从左下角移动到了靠下方中间位置（840Pro和850Pro也是这个设计）。三星840Evo则再次改变，盘体颜色回归金属灰，方框依旧在靠下方中间位置，不过方框变成了黑色。方框框一直存在于三星的固态硬盘上，不过从创意设计变成了抽象点缀，黑色一点红在840Evo上也变成了灰色一点黑，说实话，有点丑…
三星840Evo附件一览：安装说明、保修说明、软件光盘，哦还有贴纸，“慷慨”的三星一下给了俩。这贴纸是在学Intel Inside吗？不过我感觉没人会把这个贴在机箱上呢。
打开保修说明书看了一下，三星的保修果然是限制写入量的，超过TBW标称值后保修失效。
三星在说明书上没标具体的TBW到底是多少，给了一个网址，难道是后边还打算着随时更改吗？在上可查到具体的保修限制：
850Pro果然是限制150T写入量的，这点三星水虫们不要再试图洗地了，128G相当于保1200PE，256G保修600PE，512G保修300PE，1TB保修150PE，越大容量保修越是缩水？这要问问三星的写放大究竟有多大了，如果按比较恶劣的情况10倍写放大计算，1TB保修主机写入量150PE，写放大10倍就是1500PE。
在官网的保修声明PDF里我还看到这样一段信息，居然无视我景德镇法律，必须是无效的~~~
好了不说了，再说我又要被扣三星黑的帽子了，反正呢，三星的保修就是限制写入量的，别用的太狠，不然不给你保修你也没辙的。840Evo倒是没写具体TBW（旗舰级都那样了，840Evo写出来会吓到人吧）。反正我买他回来也就是玩玩，接下来考虑下是不是跑个耐久度测试，就是不知道跑挂了还有保修吗哈哈。
请容许我抹掉序列号，我担心万一出名了会没保修哈哈
电源管理特性，840Evo不支持Device Sleep，这点不如浦科特的M6S，如果在笔记本上用的话会影响电池续航时间。
为了保修，我就不拆盘了，下面是性能测试，所有测试都是在我的Z77+3570K台式机上进行的，CPU关闭所有节能并超频到4.2Ghz日常频率。
挂副盘跑分，AS SSD Benchmark评分会在779和840之间波动，不是很稳定，而装好系统后作为系统盘测试，持续读写速度也会比挂副盘用的时候稍微下降一些，连续跑了几次之后发生了掉速，不过分数区间变化不大，主要是因为AS评分里持续读写的权重不如随机的大：
EVA不推荐AS跑分，我也不是单纯为了看跑分才跑的，120/128G容量上，840Evo平均800分，M6S大约1080分，这个网上晒的跑分已经很多了。我连续跑AS的目的就是看840Evo的SLC模式恢复速度，连续跑了4次之后，持续写入速度降低到138MB/s，840Evo忙于在SLC缓冲和TLC区域转换，只要有连续不停的写入，TLC的写入低的劣势就会显露出来。
坦诚的说：840Evo的SLC Cache容量对付一般家用还是够用的，因为家用磁盘压力对于SSD来说还是比较轻的，有充足的时间让840Evo去完成SLC清空的模式转换，对于家用并不是很大的问题。只不过夸大宣传是不对的，840Evo的SLC模式只是对840的改进，在一定程度上弥补TLC写入速度低下的缺陷，让用户以为840Evo写入速度就是500MB/s是不对的。
致：贴吧和隔壁黑浦科特TrueSpeed是过激GC，会掉速的水虫们
840Evo的SLC模式转换时也相当于是一种激烈的GC，掉速也更明显。
闪存的特性就决定了世界上没有绝不掉速的固态硬盘，主动GC在闲置时工作，以便在你需要用的时候提供高性能，其实除了SandForce之外，其他主控基本都会主动GC，浦科特和三星都一样，在SSD忙于GC的时候进行操作，SSD忙不过来自然会有掉速，空盘和稳定态性能肯定差很多。只是840Evo的SLC缓冲区很小，SLC到TLC的转换也一直在发生，没了SLC缓冲，TLC的写入速度很慢，对于持续写入压力，掉速的最快的还是840Evo。不过好在无论是三星还是浦科特亦或是其他SF主控以外的固态硬盘，在GC完后速度还是会回到接近出厂态的空盘理想状态。
4K随机队列测试：
同样是由于SLC缓冲区被用完，4K随机队列写入测试过程也是测到QD16就开始掉速了。
总体看840Evo的4K随机成绩还不错，那接下来看混合读写IO的性能，因为840Evo的SLC缓冲区实在是太小，连续测试就掉速了，我只好一个一个的测，从0%写入100%读取开始，不断提高写入所占百分比，10%递增，直到100%写入0%读取。数据模型选择SSD非常喜欢的128K区块持续，测试数据不可压缩，QD队列深度为1，测试文件长度780MB，SLC Cache实在太小了唉。
0%写入100%读取：
502.68MBPS
10%写入90%读取：
346.74MBPS
20%写入80%读取：
277.76MBPS
30%写入70%读取：
243.47MBPS
40%写入60%读取：
222.69MBPS
50%写入50%读取：
215.44MBPS
60%写入40%读取：
209.04MBPS
70%写入30%读取：
213.97MBPS
80%写入20%读取：
222.48MBPS
90%写入10%读取：
267.44MBPS
100%写入0%读取：
483.73MBPS
从90%写入10%读取到100%写入0%读取，仅仅10%的混合比率变化，840Evo的速度就从267.44MBPS一跃而起跳到了483.73MBPS，说明840Evo非常喜爱纯写入，而一旦掺杂少量的读取，性能就会大跌。当然，其他固态硬盘都是有这样的特性，只是没有三星840Evo这么夸张而已。SLC Cache让持续写入数据赚足了眼球，120G容量TLC就接近500MB/s的写入速度，但实际作为系统盘使用的时候，背景IO中肯定是混杂了读取和写入的，实际使用的性能就会像90%写入10%读取一样大跌近一半了。三星的手机跑分作弊已经不是新闻，看来在固态硬盘上三星也没少了耍小聪明，把纯读纯写表面文章都做的十分漂亮，因为常见的测试软件AS SSD Benchmark、Crystal Disk Mark、ATTO、HDTune、Anvil’s Storage Utilities都是在测试100%读取或者100%写入，没有人去考察实际使用中读取与写入混合存在的情况。
我再来说一下三星水虫们另一个喜欢鼓吹的卖点：4K单线程读取能破40MB/s，CPU主频超高点的话甚至能达到45MB/s。这点原本没错，AS SSD Benchmark的4K单线程读取成绩和CPU主频、CPU节能密切相关，我的实测是在关闭CPU节能并超频到4.2G的情况下，840Evo 120G的4K单线程读取可以达到42MB/s左右。而其他固态硬盘，包括840Evo的主要竞争对手浦科特M6S在同样硬件下4K单线程只有35.5MB/s左右。不过这个真的是三星的黑科技？
请不要忽略840Evo的SLC Cache特性，AS SSD Benchmark在做4K单线程随机性能测试的时候是先写入然后立刻读取，这时候数据还在SLC缓冲区内，就可以立刻被读出来，达到SLC的4K随机读取速度。AS SSD Benchmark的测试文件才1GB，跑测试全跑进840Evo的SLC缓冲里去了，所以你看着4K单线程真高，心里暗爽。可实际你用的时候，是不可能把整盘文件全放到SLC缓存里等着读取的，更何况后边的测试证实了：SLC缓冲区在空闲后会自动释放，也就是说他没有热数据预读缓存功能，正常使用也用不到42MB/s的假象速度…事实上三星在官方的白皮书中也说明了这一点：
840Evo真实的4K单线程读取能力是多少呢，还是用IOMeter来测吧，测试文件体积30GB，这样做的避免SLC缓冲的影响，在文件填充完成后让盘空闲休息10分钟（按照三星的白皮书，840Evo 120G能在28.2秒内完成SLC缓冲区的清空），这样是为了让840Evo有时间进行必要的SLC缓存释放操作，避免影响接下来的4K单线程随机读取测试。
休息10分钟后IOmeter进行4K QD1随机读取，结果读取IOPS是9282，速度只有36.26MB/s。
大家可能对IOMeter和AS SSD Benchmark测出来的4K单线程随机速度是否一致还有疑问，那么我们修改一下测试文件的容量，把IOmeter的测试文件大小改成AS SSD Benchmark的1GB，这次填满盘后不休息立刻测试4K单线程随机。
看，超过42MB/s的速度又回来啦。
为了测试的严谨，还要再加做一个测试，依然是1GB的测试文件，填充完测试文件后和第一次测试一样，休息10分钟然后再测4K单线程随机读取，结果测得成绩和第一次一样，4K单线程随机读取只有36M/s左右。
以上测试说明一个问题，测试文件写入后立刻读取，SLC缓存尚未释放于是直接从SLC区域读出数据出来，这时反映出来的4K单线程随机读取很高，达到42MB/s以上。写入后停一下，SLC缓存很快就会被清空（数据挪到了TLC形态，SLC缓冲区被清空等待新的写入），这时候再测4K单线程随机读取，表现出来的就是颗粒本身水平了：36MB/s。
总结一下上边的测试：除非读取的是刚写入的，否则缓存释放了，再读取一点效果也没有，4K就是36MB/s的水平，42MB/s只是作弊给软件看的。
扩展一下内容，SLC Mode和PlexTurbo在读取加速上的一点区别：PlexTurbo在数据实际写到颗粒后，缓存不会自动清空，只要没被新数据覆盖，读取的话还有加速效果。三星这个必须清空，他毕竟不是内存，SLC模式擦除再写入也是要不少时间的。一旦SLC缓存清空，再读取自然没加速效果了。至于RAPID Mode和PlexTurbo的区别我还要再研究，因为840Evo本身有SLC Cache，RAPID Mode的分析变得比E编写的PlexTurbo分析更难了。
如果一直保持读取，SLC缓冲内的数据就会暂缓清空，读取速度一直保持在43MB/s左右，而停止读取，等待空闲30秒，再次开始读取，SLC缓冲内数据已经完全清空，4K单线程随机读取恢复真实的36MB/s左右。
测试有感：
三星的Data Migration系统迁移软件挺好用的，Windows系统内就可以完成数据迁移，迁移完成后系统不掉软激活状态。实事求是的讲，这个迁移软件很方便，只限制目标盘是三星的SSD就可以使用，只不过如果是从机械盘上迁移过来的系统，还要再手动关一下磁盘碎片整理计划任务。只不过接下来我发现用三星Data Migration迁移后的系统，开机时会显示英文界面的Starting Windows，还会有个奇怪的滚动条过程，和原来的系统启动过程不同。三星的软件在系统克隆过程应该是更改了原系统的部分文件。运行SFC /scannow检查系统文件完整性后发现问题：
日志文件达到2.41MB，修复了大量文件。看来三星这个系统迁移软件还是不完美，新SSD到手后全新安装MSDN原版系统是最好的选择…
840Evo并不孤单，闪迪的TLC颗粒固态硬盘Ultra II在国外以上上市了，美亚的售价240G约合687元，480G约合1227元。也许用不了一年，低端入门固态硬盘就会被TLC盘占去半壁以上江山，不过肯定不是以840Evo这样的定价。
三星的数据是以暴力的回收策略和作弊弄出来的对软件好看
实际应用和其他的没啥区别
附带的迁移软件不错
三星的数据是以暴力的回收策略和作弊弄出来的对软件好看
实际应用和其他的没啥区别
再补充一句，保修是浮云，而且TLC的寿命在加上各种作弊行为，比如模拟SLC造成的寿命减少……基本过保死
看来还是买Intel的吧 价格便宜 保修时间长 耐操&&
而且性能就那么样&&能接受的话 真的很不错
不后悔买530了
i家128G520性价比很高啊，5年质保，5000P/E。
不知10.1降价不将？
本帖最后由 皮可西 于
08:01 编辑
i家128G520性价比很高啊，5年质保，5000P/E。
不知10.1降价不将？
趁早买吧，10.1估计也降不了多少，这都是清仓大甩卖了，520停产给530让路
看来还是买Intel的吧 价格便宜 保修时间长 耐操&&
而且性能就那么样&&能接受的话 真的很不错
不后悔买530了
SF主控没大家想的那么差，ASS跑分低是因为不支持压缩，实际情况还是很流畅的，而且压缩算法有利于提高寿命
530不如520，主控相同，颗粒从25nm换成20nm，成本降低，性能和寿命都有些下降（SF2281老主控了，带新颗粒稳定性等各方面我觉得还需要观察一下……530官方数据略微不如520）
最后补充一条，关于840Evo。
近期有。这个问题应该已经存在了很长时间，不过由于受影响的是存放期超过一两个月的文件，在跑分软件中体现不出问题，给人造成了性能没有下降的假象。作为系统盘使用，旧文件读取速度持续下降这个BUG是很影响使用体验的，这也解释了部分840Evo用户跑分很高但是使用中感觉比较慢的情况。对于掉速BUG三星到目前为止并未正面回应这一问题。（最后一段话转自PCEVA）
woshishuxuejia
我还是850快买的250g，这样看起来被坑了
autoAnti 发表于
看来还是买Intel的吧 价格便宜 保修时间长 耐操&&
而且性能就那么样&&能接受的话 真的很不错
不后悔买53 ...
同用530的握下手&&
感觉SSD一代不如一代
同用530的握下手&&
感觉SSD一代不如一代
就目前而言，好像确实是这样，提高的只有跑分，实际体验没什么提升，随着制程的提升，寿命什么的还下降了
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　作者: 邓崇羿　编辑:
　　【IT168 导购】众所周知的SSD产品近几年崛起迅速，2014年中发布首款搭载3D V-NAND闪存的850 PRO系列SSD顺利称王，宣告着年度旗舰级产品线换代完毕。在关注度更高的主流级市场，3D V-NADA技术也将得到全面应用，所以在去年12月份850 EVO系列SSD也终于正式和大家见面了。众所周知它的“前任”840 EVO系列销量口碑都不错，而前者更是将性价比这一点无限放大。　　“加量不加价”850 EVO系列SSD京东商城全面开售　　　　 SSD京东商城购买链接　　　　三星 850 EVO系列SSD规格系列850 EVO840 EVO850 PRONAND32层3D V-NANDToggle DDR2.0 NAND32层3D V-NAND主控制器三星三核 MEX/MGX三星三核 MEX三星三核 MEX容量120/250/500 GB/1 TB120/250/500/750 GB/1 TB128/256/512 GB/1 TB顺序读取最大540MB/s最大540MB/s最大550MB/s顺序写入最大520MB/s最大410-520MB/s最大540MB/s随机读取94-98K iops94-98K iops95-100K iops随机写入88-90K iops36-90K iops90-100K iops总写入量75-150TB75-150TB75-150TB质保5年3年10年　　850 EVO系列将替代已经服役1年多840 EVO系列，会成为三星在中端SSD市场的主力。分为120/250/500 GB/1 TB四个容量版本。主控制器是最新三星三核MGX主控，但是中1TB版本将依然采用的MEX主控，闪存方面，自然是得到了大名鼎鼎32层3D V-NAND技术加持，与传统的平面NAND相比，前者的碳足迹更小，结构密度更高，性能更卓越。所以850 EVO系列的性能、稳定性、耐久性、可靠性都将得到全面提高。▲外观沉稳大气　　主流级用户也可以享受到旗舰级性能　　▲多款固盘&AS SSDBenchmark基准读写性能对比 点击图片放大　　写入速度在5款SSD对比中以501.66 MB/s排名第一。▲极其强大读写压缩能力 点击图片放大　　最终购买意见：▲京东商城全面开售 【】　　850 EVO的定价与前任840 EVO如出一辙，120GB版本499元起对于预算有限的普通玩家来说也处在能力范围之内，更大的容量版本得到的性能收益也会更加明显，所以850 EVO系列可谓是绝对的“加量不加价”了。前者在产品线自然更替的同时，也接过了性价比之王的大旗，在120/250 GB这两个出货量非常大的版本中，850 EVO绝对是中端SSD的第一选择。　　　　 SSD京东商城购买链接　　　　
缓存：256MB
品牌：三星
闪存类型：NAND 闪存
工作温度：0°C to 70°C
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工作温度：0°C to 70°C三星850 EVO 2TB首测:机械硬盘都震惊了!
　　【PConline 评测】在评测开始前，笔者想起一段小插曲。2012年时，SSD开始在国内风靡，对HDD市场造成不少的冲击。有一次跟某机械硬盘厂商的产品经理交流时，他信誓旦旦地表示：&SSD想取代HDD几乎不可能，容量就是HDD最大优势！TB对GB，不是一个数量级的对手。& 那时SSD的主流容量仅64G，256G算得上&大&容量了，他抛开的观点似乎也找到了注解。　　短短几年，那位产品经理的观点很快被颠覆了。2TB容量--三星850EVO SSD&今天正式亮相，业界首款2TB级别SSD。从32G、64G、128G到256G、512G、1TB，再到现在2TB，SSD容量何以以几何倍数增长？除了容量的优势外，2TB的850EVO会带来哪些惊喜呢？马上进入评测！&&三星850EVO 系列SSD参数对比：三星850EVO 系列SSD参数容量120G、250G、500G、1TB、2TB尺寸（宽x长x高）2.5英寸 （100x69.85x6.8(mm)）接口类型SATA6Gb/s(与SATA3Gb/s和SATA1.5Gb/s兼容)主控120/250/500GB:三星MGX控制器1TB:三星MEX控制器，2TB:三星MHX控制器NAND闪存三星3D V-NANDDRAM高速缓存256MB(120GB)、512MB(250GB&500GB)1GB(1TB)、2GB(2TB)性能顺序读取:最大540MB/s顺序写入:最大520MB/s4KB随机读取(QD1):10,000IOPS4KB随机写入(QD1):最大40,000IOPS(250GB/500GB/1TB/2TB)最大38,000IOPS(120GB)&4KB随机读取(QD32):最大98,000IOPS(500GB/1TB/2TB)最大97,000IOPS(250GB)最大94,000IOPS(120GB)4KB随机写入(QD32):最大90,000IOPS(500GB/1TB/2TB)最大88,000IOPS(120GB/250GB)数据安全性AES256位全盘加密(FDE)TCG/OpalV2.0，加密驱动器(IEEE1667)可靠性MTBF:1500000小时TBW120/250GB:75TBW500GB/1TB/2TB:150TBW功耗动态读取/写入(平均): :最大3.7W(2TB)/最大4.7W(2TB)闲置:最大60mW(2TB)设备休眠:2mW(120/250/500GB),4mW(1TB),5mW(2TB)保修期5年有限保修　　三星850EVO系列一共拥有120G、250G、500G、1TB及最新推出的2TB 五个版本。均使用了三星独家的3D V-NAND闪存，不过主控上有所不同，其中1TB采用MEX主控，而2TB采用MHX主控。从官方给出的性能指标看，2TB版本的性能跟500G、1TB几乎是一致的。另外，三星850EVO全系列提供长达5年有限保修。三星850EVO 2TB的变与不变：变：（1）容量增长至2TB　　约为2000GB，约8倍容量于850 EVO 250G；可以装下1GB的动作片约2000部；10MB大小一张高清图片约204800张。（2）主控升级为MHX　　由于三星MEX主控最大支持的容量仅1TB。为了支持更大的容量，三星开发全新MHX主控。在保证大容量的同时，也保持了与1TB相同的性能。（3）缓存升级为2GB　　为了配合大容量环境下大批量的数据处理，三星850EVO 2TB 将缓存大小提升至恐怖的2GB。不变：（1）外观设计一样（2）三星3D V-NAND闪存&什么是3D V-NAND?它与现有技术有什么不同？　　三星独一无二的创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破，克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。&（3）五年质保　　三星850EVO 2TB 同样提供长达5年质保。　　在刚过去不久的台北电脑展上，已有不少SSD厂商展出2TB超大容量的新品，但还末进入量产阶段。三星又率先一步，推出业界首款2TB SSD，将容量提升至全新的高度。不过可以看到，由于仍旧是采用SATA接口，性能早就接近接口理论极限，提升微乎其微。
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