&&Intel和AMD两家公司，哪个生产的CPU强大？
Intel和AMD两家公司，哪个生产的CPU强大？
"CPU的厂商 1.Intel公司 Intel是生产CPU的老大哥，它占有80%多的市场份额，Intel生产的CPU就成了事实上的x86CPU技术规范和标准。最新的Core（酷睿）2成为CPU的首选。 2.AMD公司 目前用的CPU有好几家公司的产品，除了Intel公司外，最有力的挑战的就是AMD公司，最新的Athlon64x2和闪龙具有很好性价比，尤其采用了3DNOW+技术，使其在3D上有很好的表现。 3.IBM和Cyrix 美国国家半导体公司IBM和Cyrix公司合并后，使其终于拥有了自己的芯片生产线，其成品将会日益完善和完备。目前的MII性能也不错，尤其是它的价钱很低。 4.IDT公司 IDT是CPU厂商的后起之秀，但目前还不太成熟。 5.VIA威盛公司 VIA威盛是台湾一家主板芯片组厂商,收购了前述的 Cyrix和IDT的cpu部门,推出了自己的CPU 6.国产龙芯 GodSon 小名狗剩,是国有自主知识产权的通用CPU,目前已经有2代产品, 只可以赶上INTEL公司P2时代 在路由器中，无论在中低端路由器还是在高端路由器中，CPU都是路由器的心脏。通常在中低端路由器中，CPU负责交换路由信息、路由表查找以及转发数据包。在上述路由器中，CPU的能力直接影响路由器的吞吐量（路由表查找时间）和路由计算能力（影响网络(互联网)路由收敛时间）。在高端路由器中，通常包转发和查表由ASIC芯片完成，CPU只实现路由协议、计算路由以及分发路由表。由于技术的发展，路由器中许多工作都可以由硬件实现（专用芯片）。CPU性能并不完全反映路由器性能。路由器性能由路由器吞吐量、时延和路由计算能力等指标体现。 目前市场上产品丰富，琳琅满目，当你用着配置了最新款CPU的电脑（PC）在互联网络(互联网)上纵横驰骋，在各种程序应用之间操作自如的时候，有木有兴趣去想一想这个头不大、功能不小的CPU是怎麽制做出来的呢。在今日的半导体制造业中，计算机中央CPU无疑是受关注程度最高的领域，而这个领域中众所周知的两大巨头，其所遵循的CPU架构均为x86，而另外一家号称信息产业的蓝色巨人的IBM，也拥有强大的CPU设计与制造能力，它们最先发明了应变硅技术，并在90纳米的CPU制造工艺上走在最前列。在今日的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央CPU从一堆沙子到1个功能强大的集成电路芯片的全过程。 制造CPU的基本原料 假如问及CPU的原料是啥，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自那里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价钱昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历1个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，假如用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU，那么成品的质量会怎样，你还能用上像目前这样高性能的CPU吗？ 除去硅之外，制造CPU还要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制做CPU内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有有些原因的，在目前的CPU工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片没方法用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS(北木暴毕综合症)的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频率就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。这就是英特尔（intel）首次尝试铜互连技术的经历，它显然要有些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。 除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还要有些种类的化学原料，它们起着不一样的作用，这里不再赘述。 CPU制造的准备阶段 在必备原材料的采集工作完毕之后，这类原材料中的一部分要进行有些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业用的原料级别。而为了使这类硅原料能够满足集成电路制造的加工要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，之后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。 而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能CPU的要求，整块硅原料必须高度纯净，即单晶硅。之后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时1个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过目前英特尔（intel）和其它有些公司已经开始用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情形下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只需要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。英特尔（intel）为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得英特尔（intel）可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下边就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。 单晶硅锭 在制成硅锭并确保其是1个绝对的圆柱体之后，下1个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的CPU芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是不是有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品CPU的质量。 新的切片中要掺入有些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今日的半导体制造多选取CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情形下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情形下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，由于在制造过程的后期，要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。 在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。之后将每1个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在英特尔（intel）的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。 准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖1个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，并且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。 光刻蚀 这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的1个步骤，为啥这么说呢？光刻蚀过程就是用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，要用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是1个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所要的数据量都可以用10GB的单位来计量，并且制造每块CPU所要的刻蚀步骤都超过20步(每一步进行一层刻蚀)。并且每一层刻蚀的图纸假如放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小仅有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。 当这类刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，之后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。 掺杂 在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另1个二氧化硅层制做完成。之后，加入另1个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处用到了金属原料(因此称作金属氧化物半导体)，多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。之后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。 重复这一过程 从这一步起，你将持续增加层级，加入1个二氧化硅层，之后光刻一次。重复这类步骤，之后就出现了1个多层立体架构，这就是你目前用的CPU的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今日的P4CPU采用了7层金属连接，而Athlon64用了9层，所用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。 测试，测试，测试... 接下来的几个星期就要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检查晶圆的电学特性，看是不是有逻辑错误，假如有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每1个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工要。 而后，整片的晶圆被切
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来源：pconline 原创&
作者：Eric65535&
责任编辑：chenziwei&
1存储控制器：被忽视的另一个性能指标　　【PConline 评测】一直以来，我们都是通过比较CPU性能来判断AMD与Intel平台孰强孰弱，却忽视了两个平台之间的另一个性能指标&&存储控制器（硬盘/内存）。现在机械硬盘性能已经成为整机性能的短板，难道存储控制器的不同才是造成AMD/Intel平台体验不同的罪魁祸首？我们接着往下看。&●在选定CPU的同时，也基本确定了平台储存性能　　如今的PC平台和以前不同，CPU整合了内存控制器，所以确定CPU的同时内存性能也已经确定，这一点很容易理解；不同时期的CPU对内存性能的影响不仅仅是内存频率的支持度不同，更多的是表现在内存带宽/内存延迟上的差异。　　AMD与Intel两家每次在CPU大幅度升级的时候都会推出配套的主板芯片组，磁盘控制器也经过了一代又一代的更新，直接影响到硬盘性能。以AMD为例，南桥由SB600/SB650升级到SB750就是一个很大的进步。　　而现在的主板已经没有所谓的&南北桥&概念，直接由一个单芯片担负起磁盘控制器和信号通道的工作，并且往往是&一个萝卜一个坑&，CPU接口的频繁更换相信Intel用户深有体会。&●硬盘系统的三种形态，以及AMD/Intel两家的主板驱动差异　　PC平台硬盘系统，现在大致上可以分为机械硬盘、固态硬盘以及比较特殊的一个形态&&磁盘阵列，因为它涉及到RAID驱动，与主板芯片组关联比较紧密，可以单独列出来讲。Intel这两年来一直在强化主板芯片组对SSD的支持力度，AMD这方面暂时还没有太大动静。　　主板驱动主要是针对AHCI/RAID做优化。要使用SSD或者打开机械硬盘NCQ功能必须开启AHCI。Windows 7/Windows 8系统默认自带了通用版AHCI驱动，也可以自己更新专用驱动：Intel主板驱动包含在RST套件里，AMD主板驱动则需要单独下载&AMD Chipset Driver&，我们可以通过《AS SSD Benchmark》这款软件来了解自己电脑是否安装了对应驱动。　　这一次，我们先选择最常见的磁盘形态&&机械硬盘进行测试，使用默认的Windows磁盘AHCI驱动，内存采用DDR3-1600双通道，模拟用户日常使用环境，看看AMD与Intel两个平台对储存系统这块&短板&的影响有多大。2测试方法介绍、硬盘性能对比测试1、测试平台及测试方法介绍AMD 平台CPUA10-5800K主板华硕 F2A85-M ProIntel 平台CPUIntel&Core i3-3220主板华硕 P8Z77-M Pro共用配件硬盘主盘：三星830固态硬盘（256G）副盘：西部数据 1TB 黑盘（空盘，测试用）显卡NVIDIA GTX670内存芝奇DDR3-（8-8-8-24，双通道）电源酷冷Slient Pro M2 1000W软件平台操作系统Windows&8 Pro X64驱动程序显卡：NV显卡驱动314.14WHQL评测方案硬盘性能测试：HD Tune ProSiSoftware Sandra内存性能测试：AIDA64SiSoftware Sandra　　首先是主板，选择了A85X和Z77，这两款是目前AMD、Intel最新的主板芯片组型号，对应的磁盘控制器也是最新，比较有参考意义；对应的CPU选择了A10-5800K、Core i3-3220作为内存控制器测试对象。　　内存方面使用双通道DDR3-1600，时序锁定在8-8-8-24-1T，为了避免内置GPU占用内存对测试结果产生影响，我们加多了一张GTX670独立显卡；硬盘选择未分区的西部数据1TB黑盘，接在主板原生SATA3.0接口。　　本次测试的主要目的是探讨不同芯片组之间的储存性能差异，所以关注点应该是在使用相同硬盘/内存的情况下，不同平台之间的性能数据有何差别，后面我们会重点对测试数据进行对比分析。&2、HD Tune Pro 磁盘性能测试&Intel平台硬盘读取/写入性能测试&AMD平台硬盘读取/写入性能测试HD Tune Pro 硬盘性能测试成绩汇总对比测试项目Intel平台AMD平台成绩对比平均读取速率（MB/s）108.2108.20%平均写入速率（MB/s）107.5107.4+0.09%突发读取速率（MB/s）274.4258.7+6.07%突发写入速率（MB/s）209.3177.8+17.72%硬盘性能测试成绩百分比　　测试小结：测试的结果，AMD平台与Intel平台在硬盘持续读写速率上并无二致，HD Tune Pro描绘出的性能曲线也几乎相同；但在突发读写速度上Intel平台要明显高于AMD平台。&什么是&突发读写速率&？　　突发读写速率 就是硬盘在突发情况下所能达到的数据传输率，也称外部数据传输率，指的是系统从硬盘缓冲区读取数据的速率，单位为MB/s。突发数据传输率与硬盘接口类型和硬盘缓冲区容量大小有关。&350%的差距？AMD/Intel平台内存性能测试3、SiSoftware Sandra 硬盘性能测试　　SiSoftware Sandra是一套功能强大的系统分析评比工具，拥有超过30种以上的分析与测试模组，还可将分析结果报告列表存盘。这里我们用它来测试AMD/Intel两个平台之间的硬盘性能。SiSoftware Sandra软件截图SiSoftware Sandra 硬盘性能测试成绩汇总对比测试项目Intel平台AMD平台成绩对比平均读取速率（MB/s）108.13108+0.12%平均写入速率（MB/s）108108+0%随机存储时间-读取（ms）9.4410+5.93%随机存储时间-写入（ms）5.515-9.26%硬盘性能测试成绩百分比　　测试小结：从SiSoftware Sandra的测试结果上看，两个平台的硬盘平均读写速率同样处在同一水平，随机储存时间测试上则是互有胜负。&4、AIDA64内存带宽测试　　下面来测试一下两个平台之间内存性能的差异，首先选择的是系统分析软件AIDA64，使用内置的内存/缓存性能Banckmark，我们只取其中内存测试部分的分数进行比较。&intel/AMD平台内存性能测试截图AIDA64&内存性能测试成绩汇总对比测试项目Intel平台AMD平台成绩对比内存读取速度（MB/s）1867011223+66.35%内存写入速度（MB/s）183708806+108.61%内存复制速度（MB/s）2027815414+31.56%内存延迟（ns）47.863+31.80%内存测试成绩汇总　　测试小结：这一次测试的结果呈现一面倒局势，Intel平台的内存性能全面领先AMD平台，在关键的内存延迟测试项目上，Intel平台也已经领先AMD平台30%以上。&5、SiSoftware Sandra内存带宽测试　　同样的这次用SiSoftware Sandra自带的内存测试模块来对比内存带宽性能，在每次测试之后SiSoftware Sandra都会生成一个详细的测试结果，下面继续进行对比：软件截图SiSoftware Sandra&内存带宽测试成绩汇总对比测试项目Intel平台AMD平台成绩对比总体内存性能（GB/s）21.6614.19+52.64%整数内存带宽（GB/s）21.7514.15+53.71%浮点内存带宽（GB/s）21.5814.23+51.65%时间复制容量（&s）369564+52.85%内存测试成绩汇总　　测试小结：SiSoftware Sandra测试的是内存带宽，从结果上看依然是Intel平台全面领先，成绩超出AMD平台50%以上&&由此可见Intel的内存控制器性能确实比AMD高出不少。&总结：　　通过测试可以发现，AMD与Intel平台在内存控制器性能上存在不小的差距，在同样的时序环境下Intel平台的内存延迟比AMD缩短30%，内存带宽提高50%，理论上Intel平台在运行数据密集型应用时会比AMD平台更为顺畅&&不过现在的内存带宽动辄10G/s，已经不存在瓶颈问题了，这50%的带宽差距在日常应用中感受并不明显。　　除非是把内存当做显存，可偏偏Intel核芯显卡对显存带宽不敏感；AMD现在在内置GPU方面占据优势，想必也不会急着去升级内存控制器吧，难得AMD与Intel这么有默契呢。　　磁盘测试部分，这一期评测选择的是机械硬盘，AMD与Intel平台测试结果没有太大差别。近两年来Intel一直在针对SSD优化磁盘性能，并作为一项卖点来宣传，假如改用SSD测试结果又会如何呢？AMD/Intel自家的AHCI驱动对比Windows自带驱动是否会有性能上的提升？这些我们都将在后续的文章中做进一步的探讨&&力求榨干PC平台的每一滴性能。
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聊天吐槽赢奖品从天梯排名来看，e5300比x2 215好那么一点，如果非在这俩选 那就选e5300吧[]}