IPP06CN10NG
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绝缘栅(MOSFET)
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:SP/特殊外形,材料:N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-HBM/半桥组件,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:GE-N-FET锗N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道,电压:600V,漏极电流:10A,导通电阻(Max):1&O
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:AM/调幅,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:GE-N-FET锗N沟道
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种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
英飞凌mos管，n沟道mos管，n沟道场效应管
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绝缘栅(MOSFET)
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:160A,开启电压:4,夹断电压:&20
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:P沟道,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:P-FET硅P沟道,类型:其他IC,最大漏极电流:-4.3A,开启电压:-4
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种类:结型(JFET),沟道类型:P沟道,导电方式:耗尽型,用途:S/开关,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:P-FET硅P沟道,最大漏极电流:-4.5A,开启电压:-5,夹断电压:30
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-HBM/半桥组件,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:100,跨导:10,开启电压:10,夹断电压:100,低频噪声系数:11,极间电容:1100,最大耗散功率:100
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种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MOS-ARR/陈列组件,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:ALGaAS铝镓砷,类型:其他IC,批号:09+,封装:TO-247AC
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种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:ALGaAS铝镓砷,类型:其他IC,批号:09+,封装:TO-247AC
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￥0.10/PCS
沟道类型:其他,材料:硅(Si),应用范围:功率
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:10A ， 5A,开启电压:3.5，4,夹断电压:30
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:硅(Si),跨导:5.5S,最大漏极电流:7.5A,极间电容:1300
n沟道场效应管
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