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STC单片机CPU子系统
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求大神 ！STC15W4K61S4单片机，启动看门狗后，要怎么关闭看门狗收藏
求大神 ！STC15W4K61S4单片机，启动看门狗后，要怎么关闭看门狗，或者怎么让看门狗停止计数，不让他溢出，不让他复位。下面是我遇到的问题。下面是一个样例程序，在这个程序中开机经看门狗复位，程序重新开始跑了，进入set();操作界面后，如果进入操作界面时间超过看门狗溢出时间，看门狗就会重复复位。#include &STCIAP15W4K58S4.H& sfr IAP_CONTR
// EEPROM控制寄存器
sfr WDT_CONTR
// 看门狗控制寄存器void delay1(unsigned int t)//T=t*2+5 us{ unsigned int
for (i=t;i&0;i--)
for(j=497;j&0;j--);
}void main (){
delay1(1000);
delay1(1000);
//SET（）；为一个设置界面的子程序；不去按按键退不出来。
while(1) { WDT_CONTR=0x3D;
delay1(1000); }}
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AVR单片机EEPROM的操作
11:09:00来源: eefocus
本程序简单的示范了如何使用ATMEGA16的EERPOM
&&&& 的简介
&&&& EEPROM的写操作
&&&& EEPROM的读操作
出于简化程序考虑，各种数据没有对外输出，学习时建议使用JTAG ICE硬件仿真器
&在打开调试文件到JTAG后，
&打开Debug -> JTAG ICE Options菜单，
&然后在JTAG ICE Properties中点击Dbug页面，将preserve eeprom选项选中。
&在每次仿真调试时候，就保护EEPROM内容了。
&否则，会按照默认设置擦除EEPROM的内容。&
&由于定义了EEPROM变量，JTAG调试时会询问是否初始化EEPROM,请选择[否]
&EEPROM的数据也可以在view->memory，选Eeprom窗口下察看
#include </io.h>
////时钟定为内部1MHz,F_CPU=1000000&&时钟频率对程序的运行没什么影响
GCCAVR(avr-libc)里面自带了EEPROM的读写函数。
下面列举部分常用函数(原型)
#define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR, EEWE)
检测EEPROM是否准备好。OK返回1（返回EEWE位）
#define eeprom_busy_wait() do {} while (!eeprom_is_ready())
等待EEPROM操作完成
extern uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr);
读取指定地址的一个字节8bit的EEPROM数据
extern uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr);
读取指定地址的一个字16bit的EEPROM数据
extern void eeprom_read_block (void *buf, const void *addr, size_t n);
读取由指定地址开始的指定长度的EEPROM数据
extern void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val);
向指定地址写入一个字节8bit的EEPROM数据
extern void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val);
向指定地址写入一个字16bit的EEPROM数据
extern void eeprom_write_block (const void *buf, void *addr, size_t n);
由指定地址开始写入指定长度的EEPROM数据
但不支持部分AVR，原文如下:
\note This library will \e not work with the following devices since these
&&& devices have the EEPROM IO ports at different locations:
&&& - AT90CAN128
&&& - ATmega48
&&& - ATmega88
&&& - ATmega165
&&& - ATmega168
&&& - ATmega169
&&& - ATmega325
&&& - ATmega3250
&&& - ATmega645
&&& - ATmega6450
在程序中对EEPROM&操作有两种方式
方式一：直接指定EERPOM&地址
&&&&即读写函数的地址有自己指定，用于需要特定数据排列格式的应用中
方式二：先定义EEPROM&区变量法
&在这种方式下变量在EEPROM&存储器内的具体地址由编译器自动分配。
&相对方式一，数据在EEPROM&中的具体位置是不透明的。
&为EEPROM&变量赋的初始值，编译时被分配到.eeprom&段中,
&可用avr-objcopy&工具从.elf文件中提取并产生ihex&或binary&等格式的文件，
&从而可以使用编程器或下载线将其写入到器件的EEPROM&中。
&实际上WINAVR&中MFILE&生成的MAKEFILE&已经为我们做了这一切。
&它会自动生成以 &.eep& 为后缀的文件，通常它是iHex&格式
&(这次测试发现 分配地址是从0x0000开始的，故增加了一个EEPROM变量Evalvoid[16])
如果同时使用方式1和2，请注意防止地址重叠,自己指定的地址应该选在后面。
unsigned char&TA;
unsigned char ORGDATA[16]={0x00,0x02,0x04,0x06,0x08,0x0A,0x0C,0x0E,
&&&&&&&& 0x01,0x03,0x05,0x07,0x09,0x0B,0x0D,0x0F};&//原始数据
unsigned char CMPDATA[16];&&&&&&&&&&&&//比较数据
//仿真时在watch窗口，监控这些全局变量。
unsigned char Evalvoid[16] __attribute__((section(".eeprom"))); //这个没用到
unsigned char Eval[16] __attribute__((section(".eeprom")));
int main(void)
&eeprom_write_byte (0x40,0xA5);&&//向EEPROM的0x40地址写入数据&0xA5
&TA=eeprom_read_byte (0x40);&&//读出，然后看看数据对不对？
&//上面两句编译是有如下警告，但不必理会
&//EEPROM_main.c:103: warning: passing arg 1 of `eeprom_write_byte&#39; makes pointer from integer without a cast
&//EEPROM_main.c:104: warning: passing arg 1 of `eeprom_read_byte&#39; makes pointer from integer without a cast
&eeprom_write_block (&ORGDATA[0], &Eval[0], 16);&&//块写入
&//看看EEPROM数据是否是能失电永久保存，可以注释上面这句程序(不写入，只是读出)，然后编译，烧写,断电(一段时间),上电,调试。
&eeprom_read_block (&CMPDATA[0],&Eval[0], 16);&& &//块读出,然后看看数据对不对？
&&& while (1);&&&&
ATmega16&包含512&字节的EEPROM&数据存储器。
它是作为一个独立的数据空间而存在的，可以按字节读写。
EEPROM的寿命至少为100,000&次擦除周期。
EEPROM的访问由地址寄存器EEAR、数据寄存器EEDR和控制寄存器EECR决定。
也可以通过ISP和JTAG及并行电缆来固化EEPROM数据
EEPROM数据的读取:
&当EEPROM地址设置好之后，需置位EERE以便将数据读入EEDR。
&EEPROM数据的读取需要一条指令，且无需等待。
&读取EEPROM后CPU&要停止4&个时钟周期才可以执行下一条指令。
注意:用户在读取EEPROM&时应该检测EEWE。如果一个写操作正在进行，就无法读取EEPROM，也无法改变寄存器EEAR。
EEPROM数据的写入:
1 EEPROM的写访问时间(自定时时间，编程时间)
&&&&自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。(可以采用中断方式)
&经过校准的1MHz片内振荡器用于EEPROM定时,不倚赖CKSEL熔丝位的设置。
&改变OSCCAL寄存器的值会影响内部RC振荡器的频率因而影响写EEPROM的时间。
&EEPROM自定时时间约为8.5 ms&即1MHz片内振荡器的8448个周期
注意：这个时间是硬件定时的，数值比较保险，其实真正的写入时间根本就用不了8.5mS那么长,而且跟电压有关，但芯片没有提供其他的检测编程完成的方法&
&&&&&这个问题表现在旧版的AT90S系列上面，由于没有自定时，数值定得太短，ATMEL给人投诉到头都爆，呵呵！
参考:&《用ATmega8535替换AT90S8535》文档里面的
&&&&&写EEPROM定时的改进
&&&&&在AT90S8535中写EEPROM的时间取决于供电电压，通常为，。
&&&& ATmega8535中写EEPROM的时间为8448个校准过的RC振荡器周期&(与系统时钟的时钟源和频率无关)。
&&&&&假定校准过的RC振荡器为1.0MHz，则写时间的典型值为8.4ms，与VCC&无关。
2&为了防止无意识的EEPROM&写操作，需要执行一个特定的写时序
&&&& (如果使用编译器的自带函数，无须自己操心)
&写时序如下(&第3&步和第4&步的次序并不重要)：
&1.&等待EEWE&位变为零
&2.&等待SPMCSR&中的SPMEN&位变为零
&3.&将新的EEPROM&地址写入EEAR(&可选)
&4.&将新的EEPROM&数据写入EEDR(&可选)
&5.&对EECR&寄存器的EEMWE&写"1"，同时清零EEWE
&6.&在置位EEMWE&的4&个周期内，置位EEWE
&经过写访问时间之后，EEWE&硬件清零。
&用户可以凭借这一位判断写时序是否已经完成。
&EEWE&置位后，CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。
&1:在CPU&写Flash&存储器的时候不能对EEPROM&进行编程。
&&&在启动EEPROM&写操作之前软件必须检查&Flash&写操作是否已经完成
&&&&&&步骤(2)&仅在软件包含引导程序并允许CPU对Flash&进行编程时才有用。
&&&&&&如果CPU&永远都不会写Flash，步骤(2)&可省略。
&2:如果在步骤5&和6&之间发生了中断，写操作将失败。
&&&&&&因为此时EEPROM&写使能操作将超时。
&&&&&&如果一个操作EEPROM的中断打断了另一个EEPROM操作，EEAR&或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM&操作失败。
&&&&&&建议此时关闭全局中断标志I。
&&&&&&经过写访问时间之后，EEWE&硬件清零。用户可以凭借这一位判断写时序是否已经完成。
&&&&& EEWE&置位后，CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。
在掉电下的EEPROM写操作
&若程序执行掉电指令时EEPROM&的写操作正在进行，&EEPROM&的写操作将继续，并在指定的写访问时间之前完成。
&但写操作结束后，振荡器还将继续运行，并非处于完全的掉电模式。因此在执行掉电指令之前应结束EEPROM&的写操作。
防止EEPROM数据丢失
&若电压过低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM数据的毁坏(丢失)。
&& **这种情况在使用独立的EEPROM&器件时也会遇到。因而需要使用相同的保护方案。
&由于电压过低造成EEPROM&数据损坏有两种可能：
&&一是电压低于EEPROM&写操作所需要的最低电压；
&&二是CPU本身已经无法正常工作。
&EEPROM&数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
&&当电压过低时保持AVR RESET信号为低。
&&这可以通过使能芯片的掉电检测电路BOD来实现。如果BOD电平无法满足要求则可以使用外部复位。
&&若写操作过程当中发生了复位，只要电压足够高，写操作仍将正常结束。
&& (EEPROM在2V低压下也能进行写操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)
掉电检测BOD的误解
&&AVR自带的BOD(Brown-out Detection)，作用是在电压过低(低于设定值)时产生复位信号，防止CPU意外动作.
&&对EEPROM的保护作用是当电压过低时保持RESET信号为低，防止CPU意外动作，错误修改了EEPROM的内容
&&而我们所理解的掉电检测功能是指 具有预测功能的可以进行软件处理的功能。
&&例如，用户想在电源掉电时把SRAM数据转存到EEPROM，可行的方法是&
&&&&&外接一个在4.5V翻转的(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，输出接到外部中断引脚(或其他中断)
&&&&&一但电压低于4.5V,马上触发中断，在中断服务程序中把数据写到EEPROM中保护起来
&注意:&写一个字节的EEPROM时间长达8mS,所以不能写入太多数据，电源滤波电容也要选大一些
关键字：&&
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