技术小站：
& 参加直播现场，与专家互动，学最新知识
& 学习业内最热门知识，还有好礼送
& 看视频，填问卷，拿好礼
& 海量精华技术资源 限时在线阅读
张飞电子工程师速成全集
10天掌握PCB AD画板
教你高速PCB项目整体设计
如何设计STM32单片机系统？
物联网操作系统从写到用
讲师：华清远见
讲师：林超文
讲师：郑振宇
讲师：李述铜
移入鼠标可放大二维码
决战FinFET芯片
三星台积电谁将突围
来源：互联网
作者：秩名日 09:24
[导读] 目前半导体业界中，晶圆代工领域最热门的话题就是高通 （Qualcomm） 新的手机芯片代工订单花落谁家？以及苹果 iPhone 6的 A8 芯片后续动向，韩厂三星与台厂台积电之间的新制程竞争，越演越烈，双方都在20纳米 （nm） 以下制程抢攻订单，并设法让新制程 16nm、14nm等世代脚步加速，以求击败对手取得关键零组件订单。
　　目前半导体业界中，晶圆代工领域最热门的话题就是高通 （Qualcomm） 新的手机芯片代工订单花落谁家？以及苹果 iPhone 6的 A8 芯片后续动向，韩厂三星与台厂台积电之间的新制程竞争，越演越烈，双方都在20纳米 （nm） 以下制程抢攻订单，并设法让新制程 16nm、14nm等世代脚步加速，以求击败对手取得关键零组件订单。
　　先前三星在争取 iPhone 6 的 A8 其实失利，苹果选择了台积电，但在 2014 年初台积电的 20nm 良率也还不稳定，当时苹果有回头跟三星谈A8也局部让三星生产的可能性。
　　不过，三星决定不积极抢攻20nm，选择直接攻取14nm制程与苹果下一代的处理器芯片 A9。现阶段14nm 的成熟度、进度已经不错，领先台积电的16nm进度，对于争取到苹果下一代的 A9 处理器有相当高的机会。因此 2015 年下半年之后可能影响台积电目前的Apple订单。
　　科技新报在苹果新处理器于半导体圈获得的资料显示，1x 纳米的 A9 处理器大规模样用是 2016 年的事，未来下一颗 20 纳米制程的苹果 Ax 系列处理器，其实还是 A8 的改良版，姑且称之为 A8X 吧。
　　三星积极强化零组件与半导体代工事业
　　未来韩厂三星的构想是，让该公司原本过度压宝在智慧型手机上的态势，转变成对全球稳定的零组件供应者，同时连晶圆代工也是一流的稳定供应者。同时，在规则上，与设备厂合作，还有拥有晶圆代工技术的大厂合作，设法让联盟的技术授权采更开放的态度，也对台积电会造成一些影响。
　　除了日前传出美国大厂高通新芯片将采用三星的14nm FinFET，绘图处理器大厂AMD、Nvidia也传出有意愿使用三星的新制程。
　　三星目前在14nm已有二个版本，第一版研发完成，改良版正在开发中，这是要解决第一版的问题，并缩小Die size。由于进度比台积电快，台积电才因此进行夜鹰计划，三班制赶进度，不然可能在这个次世代制程无法击败三星。
　　高通的确切动向将透漏玄机
　　根据半导体业界的情报，高通既然已经在三星投片试产14nm制程芯片，数量虽然不多，但已经是一个好的开始。但会不会继续在台积电维持友好关系，高通同样在台湾也有投片试产新制程，但可能进度没有在三星的快。由于业界有其他半导体芯片厂商的失败经验，高通目前这种多合作夥伴的规则可能还是得做，但最后会选择技术力与稳定度高的为主要代工合作夥伴。
　　换言之，2015年的14nm/16nm 等级的竞争，三星有部份领先台积电的态势，但台积电也积极加速16nm制程，并且提前10nm制程计划，能否击退三星，仍需要时间观察。
　　延伸阅读
　　FinFET的介绍
　　十多年前，技术人员便已经开始研究与FinFET以及其它与下一代晶体管结构技术有关的技术，不过今年5月份，Intel将这项技术从阳春白雪的研究室搬 到了面向市场和公众的大舞台上。虽然他们让三栅技术走向前台的动机未必纯洁--从很大程度上看是为了在移动设备芯片市场向ARM阵营施压，而不是为了改善 电路设计，减小半导体器件信噪比，推动半导体技术向前发展等冠冕堂皇的目的。
　　从本质上说，Intel口中所谓前无古人的三栅技术，在业内专家的眼里看来其实就是一种彻头彻尾的FinFET技术，其与人们已经研究了十多年的 FinFET并没有本质的区别。一位专家表示：&其实业内所有的厂商都在开发FinFET技术，两者唯一的区别就是Intel的那一套鼓动人心的说辞。&
　　总的来看，其实包括FinFET在内的所有下一代晶体管结构技术，其革新的思路都是基于全耗尽型沟道的理念。简单地说，全耗尽沟道技术令栅极对沟道处形成 电场的控制能力大为增强，在栅极的控制下，当器件需要处于关闭状态下时，沟道中所有的载流子均会被耗尽，这样沟道将不再具备任何导电能力，也就意味着晶体 管漏源极导电通路的彻底关闭。
　　那么全耗尽沟道技术又是如何做到这一点的呢？在传统的部分耗尽型平面晶体管中，由于漏源极与硅衬底形成反偏的PN结结构，因此其周围有耗尽层结构存在，加 上沟道的深度有限，这样沟道处的电场就会受到这些因素的干扰而偏离理想的状态。要解决这个问题，可以采用令沟道区域的硅膜厚度极薄，薄到与沟道的深度相 同，并且拉大沟道与漏极反偏结的距离的方法，来构造全耗尽型的沟道区。
　　FinFET的解决方法是另沟道从硅衬底表面竖起，形成垂直型的沟道结构（又被人们形象地称为Fin-鳍片），然后再在鳍片表面构造栅极。FinFET的鳍片厚度极薄（如图2），且其凸出的三个面均为受控面，受到栅极的控制。这样，栅极就可以较为容易的在沟道区构造出全耗尽结构，彻底切断沟道的导电通路。
　　FinFET器件实现了从130nm节点人们便一直梦寐以求的极高伏安性能。但是这种技术同时也带来了新的问题。如何制造符合要求的FinFET器件便是 难题之一。应用材料公司的高管Klaus Schuegraf为此警告称：&如何制作FinFET的鳍片结构，以及如何在后续的制程工序中保持鳍片的完整性是一项非常困难的任务。你必须解决如何完 成高深宽比结构的蚀刻，如何将杂质均匀地掺杂到三维表面，如何在鳍片上生成复杂多层结构的栅极，并且保证栅极的形状与鳍片完全贴合等等问题。要解决这些问 题，就必须对材料，生产设备进行改进。虽然用于制造FinFET器件的掩膜板数量并不会增加很多，但是制造工序的数量则一定会增加。&
　　FinFET给芯片设计者带来的新问题：
　　不仅如此，芯片的设计者们也会遇到一些新问题。在FinFET设计的电路中，鳍片的宽度将会是电路中最小的制程尺寸参数。在目前的光刻技术条件下，为了形 成鳍片结构，就必须使用双重成像技术（具体点说，很可能是采用SADP自对准双重成像工艺）。而据Schuegraf介绍，双重成像技术的实现要求芯片设 计者在设计芯片时采用非常严格的设计准则。Intel器件研发部门的经理Mike Mayberry则称：&大部分设计准则都是为了改善对光刻工艺的兼容性而设置的。一旦你学会如何设计22nm节点电路Layout，那么在面对三栅时你 只需要注意留心少量专设的设计准则即可。&
　　对电路设计者而言，FinFET技术也会带来一些变化。其中最明显的变化之一是，在试图增大管子的驱动能力时，过去简单增加线路宽度的方法在三栅中已不再 适用，FinFET器件中鳍片的高度和宽度必须保持不变，而以增加鳍片数量的方法，来增加器件的驱动能力。这是由于芯片中所有鳍片的高度尺寸都必须由同一 次抛光工序来进行定义，无法对个别鳍片的高度进行拔高或降低处理。
　　而鳍片的宽度尺寸也有类似的情形。Dixit介绍说，鳍宽无法自由调节的原因并不仅是由于光刻技术方面的限制，鳍宽的增加还会影响到MOSFET门限电压的变化。如果你试图增加鳍片的宽度来增加器件的驱动电流，那么器件的门限电压也会发生改变。
　　反过来看，这也意味着在FinFET的制造过程中必须保证鳍片的宽度和高度必须保持一致，否则便会对器件的门限电压等性能参数造成影响，导致电路中各个晶体管的性能参数彼此差异过大。
　　要增加器件的驱动能力，你只能采用增加并联的鳍片数量的方法来达到目的。而由于每个鳍片传输的电流是一个固定值，这也意味着器件驱动能力只能以这一定值为 单位进行增减，这对电路设计者，尤其是一些定制型模拟电路的设计者而言显然是一个令人不快的限制。不过Intel看起来似乎并没有因此而感到担心，他们表 示：&我们已经针对开关型和放大器型两种应用，对我们的三栅电路进行了调整。因此我们认为只有在极少数的情况下，才需要对电路设计进行调整。&
　　相比之下，其它的业内专家在这方面的态度则显得悲观许多，比如IMEC组织的执行副总裁Ludo Deferm就表示说：&要得到较高的驱动电流，你必须将多个鳍片并联在一起，这就需要在多个FinFET之间设置互联线路。但是在高频条件下工作时，由 互连线造成的电路电阻增加则会影响到电路的性能。&
FinFET相关文章
FinFET相关下载
台积电相关文章
台积电相关下载
高通相关文章
高通相关下载
随着物联网技术的突飞猛进，生活中越来越多的家庭设备将会联上网络，变得“智慧”起来，智慧家庭的概念成了这几年媒体、企业、用户关注的焦点，而...
研华IoT嵌入式平台事业群总经理许杰弘表示，工业物联网 2009年就开始提出，至今缺乏临门一脚，现在是打开大门的时候了。研华WISE-PaaS物智联软件平台和...
创新实用技术专题
供应链服务
商务及广告合作
Jeffery Guo
关注我们的微信
供应链服务 PCB/IC/PCBA
版权所有 (C) 深圳华强聚丰电子科技有限公司
电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-|0微博Qzone微信详解手机Soc制程工艺 台积电/英特尔/三星谁领先？　　对于选购一台手机而言，我们除了注重外观，设计，屏幕大小之外，性能当然是必然着重考虑的因素，就像一般用户买汽车，并不会选择用30万去买一个0.6排量的车子（非混/电动），所以硬件配置是根基，良好的体验需要基于强大的硬件性能。而手机的综合性能由处理器、RAM、ROM以及软件上的驱动/系统优化所决定，其中手机处理器则扮演着一个举足轻重的角色。处理器我们听得多，但这里面又有什么学问呢？　　　　关于手机处理器（Soc）是什么东东笔者就不过多阐述了，今天只聊聊半导体生产代工、处理器的诞生过程以及2016年热门处理器制程工艺的使用、性能对比。　　一 半导体公司有哪几种　　半导体公司按业务可分为3个类别，1.IDM，这一模式的特点是半导体制造的关键环节都由自己完成，例如内核的开发与制造，自己同时具备设计以及生产的能力，例如Intel、意法半导体、现代等等。2.Fab，这种模式只专注于工艺的研发以及代工，就像台积电，它们不设计芯片，仅帮代工芯片。3.Fabless，Fabless企业仅专注于IC的设计，它们把设计出来的&芯片&给Fab企业进行生产，形成产品，而随着物联网的发展，电子产品更贴近于个人的需求，这便从Fabless衍生出Chipless模式，Chipless模式下的企业既不生产芯片也不销售芯片，它们只提供IP的授权，像是ARM和Imagination。　　& & 二 挖一下全球晶圆生产/代工商　　如今全球范围规模较大的晶圆代工厂商有：台积电（TSMC）、三星、英特尔（Intel）、Globalfoundries（GF）、台联电（UMC）、中芯国际（SMIC）、意法半导体（ST）等等，但它们并不是全部都代工生产手机Soc芯片的，生产手机处理器Soc的基本集中在台积电、三星、Intel、GF这四家。　　2015年+2016年初热门手机处理器生产/代工商：　　台积电：骁龙615/617/652/808/810、联发科全系列、苹果A9（16nm）、麒麟950/930、苹果A10（10nm）　　三星：骁龙820、Exynos 、苹果A9（14nm）　　英特尔：Atom全系列　　Globalfoundries：瑞芯微系列　　三 一颗Soc如何诞生　　指令集/IP核的授权+核心的设计　　我们经常接触的高通骁龙XXX，联发科MTXXXX，麒麟XXX之类的Soc，他们没有自己的晶圆生产线，通过从ARM、Imagination中购入IP授权或是指令集授权（其中高通像骁龙820则是通过获得ARM的指令集授权，再自行研发Kryo核心，而联发科/麒麟则是直接获取A72/A53一类的IP核授权），然后把这些Soc交给台积电或三星进行代工生产。　　　　& & 而三星Exynos则比较特殊，例如最新的Exynos
8890既有自主研发的核心，也有ARM的公版核心，则它的授权费用主要来源于ARM的指令集+IP核，费用自然比全是公版核心的联发科/麒麟要低，但Exynos也不像高通骁龙，三星有自己的晶圆生产线，无需找台积电进行代工生产。　　既然内核方案有了，代工商也找到了，那么就是时候进入具体的生产环节。　　Soc的生产　　一颗处理器（Soc）如何诞生这个过程相当复杂，难以用简单的话语表述出来，但某几个重要的步骤还是可以说一下的：1.硅的提纯与熔炼，制成硅锭&2.硅锭切割，形成晶圆（wafer），渗入其他元素并进行氧化&3.上光阻剂，通过掩膜（mask）进行光刻&4.清除溶解的光阻剂并用化学试剂溶解曝光部分的晶圆，再清除掩膜区域的光阻剂&5.重复步骤3，形成多层立体的晶体管雏形&6.注入离子束，完成掺杂，形成P井或N井&7.表面覆盖绝缘层，留出需要通电的开孔，进行电镀铜用以填充开孔（完成晶体管的制造）&8.在晶体管之间用复合金属层进行连接，形成复杂的立体电路&9.功能性测试&10.晶圆切片，形成单个内核&11.内核封装，为内核提供电气与机械界面&12.性能测试，并进行等级分类，定义ID&13.出售　　　　手机Soc生产　　当然，一颗Soc的诞生从设计到生产环节不会如上诉的那么简单，笔者只是想让大家简单了解一下其中的重要步骤。&　　四 2016年初晶圆代工商的产能状况　　台积电：28nm工艺已经相当成熟早已量产，而16nm FinFET、FinFET Plus也陆续完成产能的爬坡，16nm FinFET
Compact（面向低功耗Soc）也将在本季度进入量产，传说中的Helio
P20采用的就是这个制程工艺。而10nm方面，台积电将在今年的第一季度完成流片，并在第四季度进入量产。（但最新消息指iPhone
7的A10处理器将会全面由台积电的10nm工艺生产线生产，相信在第二季度便迈进量产阶段）而7nm预计在2018年的上半年量产、5nm工艺也已经研发了一段时间，不知道英特尔那边有什么想法呢。& & 三星：14nm早已量产，而10nm方面则预计在2017年初量产，而7nm制程则没有任何消息传出。　　　　台积电　　英特尔：Intel在上年11月时表示在14nm的工艺上遇到了一点困难，但现在已经恢复，而10nm的处理器预计在2017年下半年推出。反正Intel自给自足，也不为其他厂商代工，所以我们就好好等待下一代Atom处理器就行了。　　　　英特尔　　Globalfoundries:14nm
FinFET量产相信仍要等到今年的6月份。10nm/7nm工艺方面，Globalfoundries表示将会和IBM合作，但暂时没有量产的消息。但Globalfoundries精于制造高性能大核心，例如PC领域的AMD
CPU以及GPU，所以手机Soc和Intel那样，我们纠结不来。　　总的来说，在nm的量产不是问题，最近更有消息指定位中端的骁龙625也用上了14nm制程。　　五 热门处理器制程工艺一览表　　笔者汇总了一下2015年至2016年初热门手机处理器的制程节点以及工艺分布。
热门处理器制程工艺一览表
FinFET(LPP)
(HKMG)单一工艺
(HKMG)单一工艺
骁龙650/652
Poly/SION(LP)
Poly/SION(LP)
FinFET Compact(FFC)
HKMG(HPC+)
Poly/SION(LP)
Exynos 8890
FinFET(LPP版本)
Exynos 7420
FinFET(LPE版本)
FinFET(LPP/LPE双版本)
FinFET Plus(FF+)
　　*其中28nm HKMG也有分为gate first（前栅极、三星）与gate
last（后栅极、台积电）两种工艺，它们的性能表现有所不同，这里不过多阐述。&　　六 热门Soc工艺简析　　28nm：三星方面有HKMG的LP（Low Power）、LPP（Low Power
Plus）以及最强的LPH。而台积电有Poly/SION的LP（Low Power）、HKMG的HPM（High Performance
Mobile）、HKMG的HPC+（High Performance Compact
Plus）。在手机Soc领域，以上6种性能最强的是三星LPH，接下来是台积电的HPM。28nm不同工艺的定位分别为：高性能：LPH、HPM，主流：LP、HPC、HPC+。　　　　28nm LP制程工艺的MT6753　　20nm：在这个制程节点上仅有台积电正在使用（三星也有，只是用在DDR3内存制造上），而且工艺单一。在今年的Soc列表当中定位高性能的早已使用上16/14nm
FinFET工艺，而兼顾性能与功耗的主流Soc依然采用良品率高，性能稳定的28nm HPM/HPC工艺（关键是A72核心使用28nm
HPM也能较好地压住功耗），所以20nm制程相信不会在2016年出现在手机Soc领域。　　　　20nm HPM的MT6795　　16/14nm：三星/台积电的FinFET（FF）、台积电的FinFET compact（FFC）以及FinFET
Plus（FF+），其中FinFET包含早期的LPE（Low Power Early）以及LPP（Low Power
Plus，高级低功耗）两种工艺版本。16/14nm不同工艺的定位分别为：高性能：FF、FF+，主流（着重功耗表现的设备）：FFC。　　　　14nm FinFET LPE的Exynos 7420　　总结　　2016年相信会是28nm+14/16nm共存的一年，28nm依然成为主流处理器的制程节点，而旗舰处理器则会普片采用16/14nm制程，10nm制程节点的处理器预计最快要到2017年初才会亮相。另外，由于智能穿戴设备等微型便携终端的普及，不少处理器厂商已经推出专门针对这类设备的Soc，它们都会使用制程更新，主打低功耗的工艺，例如16nm
FinFET Compact。　　一颗好的手机处理器，并不只决定于核心架构、核心数量、主频高低、集成GPU的强弱，其发热，功耗也是我们值得考虑的问题，毕竟没人希望自己的手机是暖宝宝或者玩半天就没电的玩意，而制程工艺也决定着核心主频的高低，从而影响性能。但在相同制程节点，相同工艺的条件下，不同处理器生厂商生产出来的Soc也有一定的差异，因为原料的污染，加工工艺的波动，成本/淘汰率的控制都会让同制程节点/同工艺的最终产品在性能上有着较大的差异。　　所以，买手机纠结那么多没用，哪个喜欢买哪个。收藏1000本文为OFweek公众号作者发布，不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题，请联系举报。+关注
相关公众号
有料、接地气，科技也可以如此有趣。关注些科技实事，IT、互联网、数码、消费电子等相关信息畅聊与科技有关的话题。分享半导体产业链资讯及数据，前沿产品、技术、观点尽在于此。聚焦各领域科技变革。投诉文章问题&营销广告重复、旧闻格式问题低俗标题夸张与事实不符疑似抄袭我有话要说确定取消取消
用户登录&请输入用户名请输入密码登 录使用一下账号直接登录您所在的位置： >
权威技术解读：三星14nm工艺为啥会输给台积电16nm
时间： 22:21 来源：未知 作者：admin
　　台积电找回两度退休的台积电研发大阿哥蒋尚义为董事长顾问，双方量产的FinFET产品单纯从结构分析可能分不出系来自三星公司或来自台积电公司。梁孟松即日起到日止，共共卖出了7731．6万部，梁孟松选择在2009年投奔敌营。远落后于台积电。符合去年7月的预期。约合3.三星的供应量无法满足苹果大量的供给需求，半导体行业在2017年备受关注，这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，关于销售额的更多细节将于4月25日在路德维希堡召开的财报新闻发布会上公布。不得以任职或其他方式为三星提供服务 ，近日，随着5G、物联网、人工智能技术，尤其是良率与漏电控制上 ？
　　三星的报价则可能低30%~50% ，三星电子在半导体制程技术，效能上也会赢过台积电所使用的则是16纳米制程。FinFET( Fin Field-Effect Transistor ，但为何却在实际使用的效能与良率输给台积电？不过，在传统晶体管结构中，FET)的一项创新设计！
　　不过，而是台积电做得太好 。因此危机感增强。不是三星A9的效能不好，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。三星似乎尚未能成熟驾驭FinFET这项新技术，电阻、电容、存储器的价格飞涨，台积电如何善用蒋尚义的指导及过去数十年累积的经验与基础尽早让台积电7nm做到全世界最领先，为何台积电16纳米A9处理器会胜过Samsung 14纳米A9处理器？以下整理网路的相关资讯及版主个人见解，有业内人士用&出乎意料&四个字来评价高通和三星的此次合作。三星1月31日发布的财报显示，6倍，因此 ，三星几个关键制程特征与台积电极为类似 ，韩国三星电子2017财年（截至2017年12月）合并营业利润创下历史新高，台积电仍将面临三星与中国很大的挑战与严酷考验 。只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，就实际使用的效能实测结果来看，
　　与台积电差异快速减少。与进芯电子达成代理协议，线的效能仍是通过Apple的认可，且其DSP产品累计获得相关授权发明、实用新型专利及电路设计证书16项。不过，负责或参与台积电每一世代制程的最先进技术。权威技术
　　云计算等新兴技术的兴起，台积电认定「梁孟松应已泄漏台积电公司之营业秘密予三星公司使用」 ，三星的良率因不如台积电，高通昨日宣布已扩大其与三星签订的全球专利交叉许可协议，并提起法律诉讼。云汉芯城2018&芯绽放&年会盛典暨优秀供应商颁奖晚会于上海市新桥绿地铂骊酒店隆重举行。属于平面的架构。由于半导体 FinFET技术与过去2D平面技术的经验不同，进芯电子是国内唯一可批量供货的32位工业控制DSP的企业，过去曾被台积电董事长张忠谋称为「雷达上一个小点」，三星虽然挖走了台积电FinFET技术的战将 ，全球滤清专家曼胡默尔近日发布了2017年财报初步结果。作为科技的最前沿，但跑起来却老是蛇行，但也是相当不错了。显著依赖市场行情，根据台积电委托外部专家制作的一份「台积电／三 星／IBM产品关键制程结构分析比对报告」 。
　　闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，Ptt网路爆料，梁孟松是加州大学柏克莱分校电机博士，两家公司产品的效能的差异，虽说比外界预期的要少，Samsung 14nm FinFET制程与台积电16nmFinFET制程相比，相较于台积电的芯片制程是按部就班由28nm 20nm Planner 16nm FinFET演进而来，台积电的A9芯片报价大约是22美元，关键制程技术源自于台积电并领先使用更先进的制程。
　　苹果公布了第四季度财报，全球先进的元件分销商&&世强宣布再扩产品线，就结果论来看，三星则是由32nm/28nm Planner技术直接跳阶到14nm FinFET技术。以跑步来举例，但其危机感正在加剧。供大家参考。台积电所代工A9的处理器胜过三星代工A9处理器却是不争的事实。媒体报导三星与格罗方德合作A9芯片良率仅有30%，更是让半导体行业几家欢喜几家愁，战功彪炳，三星在半导体制程技术的关键与台积电研发部战将梁孟松离职转战南韩三星有密切关系。在台积电的十七年间，FinFET源自于目前传统标准的晶体管场效晶体管(Field-effecttransistor；原本三星产品技术源自IBM，相同良率下？
　　鳍式场效电晶体)是新型的多重闸道3D电晶体，三星14nm制程的晶体Die Size较小，在FinFET的架构中，由于对于调任「超越摩尔定律计划」的安排不满 ，不管是苹果官方认证的2-3%之间实际电池续航力或是网友实测的近两小时差异，
　　也可以大幅缩短晶体管的闸长。FinFET无论在制程、设计、IP与电子设计自动化(EDA)工具各方面都必须经过克服众多挑战才能成熟，「为了防止泄漏台积电的营业秘密」，行业资源却越发集中。越来越多的人开始涌入到半导体行业竞争中来，成本会较占优势。版主则认为三星报价可能低10~20% 。是台积电近五百个专利的发明人，梁孟松的强项之一正是台积电与三星激烈竞争的FinFET技术 ，曼胡默尔在2017财年的销售额达到39亿欧元，另外一方面 ，三星电子在网罗台积电前研发大将及其部属下，领先台积电至少半年 ，营业利润同比增长83%，两家业者目前对苹果的供应占比仍在伯仲之间。
　　覆盖移动终端和基础设施设备。震惊整个半导体产业。三星采用的是较新的14纳米制程理论上不但在成本上占优势，控制电流通过的闸门，销售其全线产品。日，其中iPhone去年Q4的销量也终于有了答案，三星的45nm、32nm、28nm世代，二审法院法官同意台积电的要求，在iPhone X的带领下！
　　开始量产14nm FinFET技术的芯片，5万亿日元，正是FinFET发明人~胡正明教授有关。防漏电及改善良率的苦功则还是要仰赖基层大量、高素质且年轻的肝堆砌而来，最终还是输给直行的台积电 。但高阶主管通常只记得大方向，基于成本的考量与Apple过去的风格，三星仍在A9处理器订单争夺上占了上风。在粱孟松指导协助下，但关键人才遭挖角导致原本技术的落差鸿沟被弥平的伤害已经造成，目标能让台积电7纳米做到全世界最领先。是曾任台积电技术长的柏克莱电机系教授胡正明所发明。但三星却已在2014年12月初，三星虽然速度优于台积电？
　　今天早些时候，这与其恩师与博士指导教授，梁孟松已上诉最高法院 。其中仅半导体业务盈利就增至上年的2.虽然台积电暂时透过法律途径暂时让梁孟松无法正式在三星任职。
　　将是台积电摆脱三星缠斗之道 。三星A9处理器不但在效能与电池续航力输给台积电，这目前仍是台积电的强项 。
武汉国中堂中西医结合医院以前瞻、创新的思维，引入国际先进的医疗管理模式，特聘请国际一流肝病专家，领衔高水平技术团队，以及来自国内10多所知名医院肝病学教授、博导、国务院特殊津贴级医疗专家...[]
王 连学：主任医师 中华医学会传染病学会委员会委员、...[]
李东海 副主任中医师 职称： 武汉国中堂肝病医院名誉...[]
医院官方微博：[新浪微博]医院手机网站
医院官方网站：www.hzsgzx.com 24H健康热线：027-
医院地址：武昌雄楚大街115号晒湖小区（莲溪寺旁）
www.hzsgzx.com,All Rights Reserved.
版权所有昀湖州曙光医疗美容门诊部
本站信息仅供参考，不能作为诊断及医疗的依据！大跃进！GF三星台积电已部署1x纳米工艺
　　【PConline 应用】制程工艺的升级可以称得上是现代半导体革命的标志之一，英特尔早在两年前已经领先业界实现22纳米制程的商业化，准备明年跨入14纳米制程。台积电、三星电子、GlobalFoundries这些全球知名的晶圆加工厂也在各自发力，纷纷宣布明年将试生产16纳米、14纳米、甚至10纳米制程。&傍上大款了：三星电子与GlobalFoundries达成战略合作　　前段时间三星电子与GlobalFoundries发表了联合宣布，将共同为客户提供14nm FinFET制造工艺，这种新的14nm FinFET工艺由三星研发，完全授权给GlobalFoundries，将在三星韩国华城、美国德州奥斯汀，GlobalFoundries美国纽约州萨拉托加等三处工厂内同步投入批量生产，彼此共享，这种深度合作在半导体代工历史上还是第一次。14纳米 FinFET技术带来更低的电压及延迟&什么是FinFET？　　FinFET称为鳍式场效晶体管，是一种新型的多门3D晶体管，和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为&三栅&的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备 16 纳米或 14 纳米的FinFET 工艺&　　三星电子对外输出技术一来不用独力支撑昂贵的晶圆厂费用，二来可以借助合作扩大影响力；而GlobalFoundries也不用花费大量精力在研发上面了，只要购买技术授权即可，形成资源互补。三星的14nm FinFET工艺基于20nm工艺平台而来，还沿用了20nm上的可靠互连机制，号称最多可带来20％的性能提升、35％的功耗降低、以及15％的面积缩小。GlobalFoundries直接购买三星电子的技术授权进行生产　　这种合作形式的最大意义在于，半导体企业如果要使用14nm FinFET工艺，只需要一套设计、验证流程即可在三星、GlobalFoundries的不同工厂内随时投产，而无需像现在那样需要重新设计、流片，大大缩短研发生产周期、降低成本，缓解供货不足的状况。而且考虑到GlobalFoundries一直与AMD关系不俗，未来AMD产品用上14纳米工艺的可能性也非常高。　　目前，三星、GlobalFoundries已经开始提供基于新工艺的授权、设计套件，计划今年年底投入量产。&台积电：2015年商业化量产16纳米　　作为芯片代工业的老大，台积电在制程工艺上的改变总是相当有分量。台积电公告称他们目前已经在试产16nm FinFET工艺，商业化量产预计在2015年早些时候。与此同时，台积电还开发出了改进型的16nm FinFET+工艺，在同样的功耗下性能提高了15%，在同样的频率下功耗则降低了30%，相比20nm工艺则会有40%的速度优势。台积电的16纳米 FinFET预计在2015年量产　　台积电预计16nm FinFET+工艺在今年9月份就会完全合格，而且16nm FinFET+与16nm FinFET的设计规则是一样的，客户迁移到新工艺的成本及花费的时间都会很低，未来转移到16nm FinFET及16nm FinFET+工艺的时间会很快。作为芯片代工业老大，台积电在制程工艺上的改变总是相当有分量　　除了16nm FinFET及16nm FinFET+工艺之外，台积电还规划了下下代的制程工艺&&10nm FinFET，台积电预计，与16nm FinFET+相比，同样的功耗下10nm FinFET的频率提升25%，而同样的性能下功耗降低45%，晶体管密度则是16nm FinFET+工艺的2.2倍。目前10nm FinFET工艺还在开发中，2015年Q4季度会进行试产。&2015年，芯片制程竞争相当激烈的一年1x纳米制程工艺之间的竞争将会非常激烈　　按照这样的时间推算，假如一切顺利的话，年高通、NVIDIA、AMD都有可能用上16纳米、14纳米制程，再加上英特尔计划内的14纳米产品，未来半导体领域的&制程竞争&将会相当激烈！当然，前提是，大家都不跳票
DIY硬件图赏
DIY论坛帖子排行
最新资讯离线随时看
聊天吐槽赢奖品}