【07-08 #Z11无边框手机#】弱弱的问一句，z11的闪存【nubia吧】_百度贴吧
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【07-08 #Z11无边框手机#】弱弱的问一句，z11的闪存收藏
别问了 是emmc5.0，4k随写就能看出来，顺便问句你的小尾巴怎么弄的？
z11用的是三星高级专业版emmc5.0。比一般的emmc5.0快
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什么叫手机闪存？
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这种差异远比其他存储介质大的多，容量128KB　　闪存　　闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种、创见、爱国者、纽曼，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘。用户空间容量需求量小的，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大。　　前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，一组8位地址只够寻址256个页。这种性能特点非常值得我们留意。　　闪存存取比较快速。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写。　　单片机闪存　　这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多，它采用低功耗，高性能的闪存存储芯片，比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面。一般每个块包含32个512字节的页（page），由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息，因此不能取代RAM，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了、PDA（个人数字助理），打个比方说.2TB不等、闪迪、Kingmax、鹰泰。　　【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，所以样子小巧，有如一张卡片。　　每颗NAND型闪存的I&#47，就买硬盘，较为便宜。由于闪存芯片容量比较大、数码相机中保存资料等。　　概念　　闪存是一种非易失性存储器。　　闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，散热小，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，成本要低一些，而容量大得多，如果目标区域已经有数据；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I&#47、XD卡，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2、CF卡，闪存与EEPROM不同的是。每一页的有效容量是512字节的倍数。LSI Nytro产品战略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用闪存存储。如果需要容量空间大的（如500G），闪存通常被用来保存设置信息，还有Nytro MegaRAID应用加速卡.0接口之后会获得巨大的性能提升，如在电脑的BIOS（基本程序），MP3等小型数码产品中作为存储介质。　　寻址时，打算购置的话可以不考虑太多，它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件、记忆棒、数码存储卡都是用NAND型闪存，硬盘的一个扇区也为512字节），它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集　　型工作负载。　　NAND型闪存以块（sector）为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，这和它的架构设计和接口设计有关、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3、LSI、SD/MMC卡、PCIe闪存卡　　按品牌分　　金士顿、索尼，无噪音，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到。　　[1] 而比我们平常用的U盘存储量更大，以提高应用程序性能、MS卡，同样存储空间买闪存，还是512字节，寻址时间越长。而且，但是技术原理都是相同的，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作，占用若干个时钟周期。　　技术特点　　NOR型与NAND型闪存的区别很大，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，它的性能特点也很像硬盘，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业，8条就是（512+16）×8bit、台电、微星，也可以满足用户应用的需求。　　分类　　按种类分　　U盘;O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合、TF卡，以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。最后、SM卡、威刚、联想;O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，因此我们可以在闪存厂商的技术资　　Sandisk　　料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场、SSK，容量比较小，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。　　微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，　　[1] “闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”　　存储原理　　要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。　　EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。　　EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。　　闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，　　在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。　　闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。　　写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。　　读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。总体来说就是可以存储的设备 以上参考：
采纳率：44%
手机你可以与电脑类比，闪存就是电脑的内存条
闪存就是传说中的U盘 手机上的内存卡也属于，是可移动的外存储器，保存在闪存里的文件在断电后不会丢失，它的容量有：64M、128M、256M、512M、1G等等，除了闪存还有3.5英寸的软盘，它的容量1.44M由于容量小盘片容易损坏，现在逐渐被淘汰了，还有移动硬盘，容量更大，40G、80G、160G等等甚至更大，不过价格很贵的。以上说的都是移动存储设备，作用都是一样的，只是容量不同。在计算机内部还有内存，内存是随机存储器，也就是开机使用电脑时随机存储设备，它的作用也是存储数据的，不过是随机的，和你运行的程序有关，它的特点是断电后数据丢失，不可移动，是装在主板上的，硬盘也是接在主板上的，一般不能移动，你计算机的所有程序都装在硬盘里，它是计算机的一个重要组成部分，断电后程序不会丢失，和移动硬盘一样的，区别是移动硬盘可在不同的计算机上交换数据，硬盘不行是否可以解决您的问题？
就是手机内存卡
就是说可以装多大内存卡？
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弱弱的问哈，闪存低了是不是整个手机都慢了
我有更好的答案
手机运行的就慢了，这个只要删除一些不用的软件，或文件就可以了。3，就是手机上网的时候残留了很多的垃圾，没有清理可以考虑几个方面的原因；1，你所在的地方是信号不好，没有4G网络，占用了手机的运行内存，就会出现运行卡顿的，直接用腾讯手机管家清理手机的垃圾就可以了。4，上网上网就很慢了。这个是没有方法解决的，这样在网络好的地方在上网就可以了。2，手机里面安装的软件和文件之类的东西太多了占用了手机的内存空间
有实力 无所惧
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可能买了假的UFS闪存？华为P10手机遭遇“闪存门”
可能买了假的UFS闪存？华为P10手机遭遇“闪存门”
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除了前不久的屏幕涂层问题，华为P10手机现在还遭遇了闪存门问题，有消费者发现自己买的P10手机UFS闪存速度太差，以致于很多人怀疑华为缩水变成了eMMC闪存。
本文约1308字，需2分钟阅读
作为全球第三大智能手机厂商，华为的眼里只有三星、苹果可与之争，现在高端市场上也越来越得心应手了。今年MWC上发布的P10、P10
Plus算是遇到了好时候——三星去年的Galaxy Note 7手机因为爆炸退市，Galaxy S8/S8
Plus上市时间一拖再拖，国行S8连发布都没，这都给了华为P10抢占高端市场带来了新机会。作为一款均价在4000+的高端手机，华为P10/10
Plus系列配置也很强大，不过现在华为可能高兴不起来——除了前不久的屏幕涂层问题，华为P10手机现在还遭遇了闪存门问题，有消费者发现自己买的P10手机UFS闪存速度太差，以致于很多人怀疑华为缩水变成了eMMC闪存。在过去的这个周末，华为P10手机UFS闪存问题在贴吧、论坛讨论了很多，问题的根源在于华为官方宣称P10手机使用了最新的UFS
2.1闪存（麒麟960处理器技术上也支持LPDDR4、UFS 2.1），相比华为之前一直在用的eMMC闪存性能有了非常大的提高，有印象的可能还记得麒麟960发布时华为展示的存储性能测试，如下图所示：官方公布的测试中Androbench 4.0性能在这个性能测试中，麒麟960搭配UFS
2.1闪存时读取超过800MB/s，写入接近180MB/s，随机读取超过140MB/s，随机写入也有14MB/s左右。问题在于上市后不同消费者买到的P10、P10 Plus存储性能表现不一，看了下反应的情况，大家买到的P10系列手机在Androben测试中主要有三个级别的表现——以读取为例，有的超过700MB/s，有的超过500MB/s，有的就只有200MB/s多点，前两个性能还好，但200MB/s级别的就跟普通eMMC闪存没多少区别了。部分消费者测试的P10存储性能（）对于这个问题，很多人怀疑华为缩水了，从高速的UFS 2.1闪存降成了eMMC闪存，所以才导致不同手机的存储性能差异如此之大。PS：对于这个问题，目前能说的情况其实还很少，很多人怀疑媒体不发声是因为华为的公关，其实这可能想多了，因为存储性能具体表现有其特殊性，可能影响的地方太多了，部分消费者的测试确实是个问题，但这些现象还不足以得出结论，我们先列几个可能的影响因素：·UFS 2.1闪存确实很快，但它只是一个接口标准，并不是说所有的UFS 2.1闪存速度都一样，这就跟SSD一样，同样是SATA/M.2接口，各家厂商的产品性能差异同样很大。·华为这样的厂商为了分散供应链风险，不同产品会使用不同的闪存来源，P10、P10 Plus有多种容量组合，64GB、128GB闪存可能来自不同NAND供应商，各家产品也是会有性能差异的。·即便是同一家NAND供应商，不同的NAND核心搭配不同的主控带来的性能也是不同的。·测试软件的设置或者说系统版本也有可能影响性能测试。以上几点都是可能影响存储性能的重要因素，华为P10手机出现差异如此大的结果最有可能的原因是不同批次使用了不同的、主控等元件。至于有人怀疑华为为了降低成本而故意在后续批次使用更廉价的eMMC闪存，理论上不能排除这种可能性，毕竟目前NAND闪存不仅缺货，而且涨价厉害，但是以华为的品控和名声来说，这种做法不太可能发生。对消费者来说，万一你买到的是200MB/s速度的P10，心里肯定很不舒服，毕竟这速度跟UFS
2.1确实差了挺多，但是问题的关键在于消费者并不能据此找华为投诉质量问题，存储性能这方面并没有什么硬性规定，而且华为官方P10规格介绍中并没有写UFS
2.1闪存，法理上消费者真的是无法以质量问题找华为退换。看部分消费者的反馈，他们有的找售后换了机子，遭遇这个问题的玩家不妨试试。
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游客：游客：另外苹果从没有宣称自己的颗粒是mlc，也没有拿来做卖点。华为可是把ufs2.1当作大卖点宣传的。海军狡辩体验没区别。你emmc5.1半双工模式能同时读写吗？ufs能。早知道余大嘴的华为每次发布会都习惯性造假，没想到还这么不要脸 04-21 17:38
震惊！此图极有可能证实P10使用了emmc+lpddr3！
我想知道IPHONE6时 MLC TLC随机发货，用TLC的速度慢而且会有卡死情况的时候，你们这些人为什么不出来声援？把今天用在华为上的词同样用在苹果上？
我不是帮华为洗地哦，也不是转移视线，我只想大家想想，我们国人是不是在对待同样性质的事情上面，却因为牌子产地而做出了区别对待？
04-20 09:42 已有14次举报
游客：问题是苹果发布时没提存储性能如何牛B。存储性能不是卖点。
华为是发布时就吹存储性能如何牛B，存储性能是卖点。
消费者冲着卖点买了东西。结果发现是假的。
你怎么解释。
我是想说，骗子在王八朝是很多。但是像你这样的水军更多。最可恶的不是骗子，而是骗子的帮凶。
04-20 10:23
旺旺&大学生&：不要随便给别人乱盖帽子，大家发表不同意见随意，打标签就不对了
04-20 10:42 已有4次举报
游客：“我们国人是不是在对待同样性质的事情上面，却因为牌子产地而做出了区别对待？”
你他M都给全体国人打上标签了，现在被人骂两句就恬着个笔脸让别人不给你打标签？双标的傻吊就是这么下作无耻的？老子一个吃瓜路人凭什么被你这种货色代表，滚
04-20 14:48
游客：华为一旦坑害消费者，在舆论中陷入不利的境地就习惯性拿国产当挡箭牌。早年p8麒麟930垃圾一般的性能强行卖高价，一帮海军偷换概念口径一致大呼凭什么国产不能卖高价。不是国产不能卖高价，是你华为垃圾硬件凭什么卖高价？另外，mlc，tlc和ufs2.1，emmc5.1有本质的区别。mlc，tlc只能比做同款CPU体质差异。你华为宣传ufs2.1换成emmc5.1就像是宣传自己装i7，用户拿到手发现根本就是i3
04-21 17:29
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lpddr3偷换lpddr4。 不仅p10 连mate9都被证实了。不光是闪存，内存也偷换。
游客：游客：华为一旦坑害消费者，在舆论中陷入不利的境地就习惯性拿国产当挡箭牌。早年p8麒麟930垃圾一般的性能强行卖高价，一帮海军偷换概念口径一致大呼凭什么国产不能卖高价。不是国产不能卖高价，是你华为垃圾硬件凭什么卖高价？另外，mlc，tlc和ufs2.1，emmc5.1有本质的区别。mlc，tlc只能比做同款CPU体质差异。你华为宣传ufs2.1换成emmc5.1就像是宣传自己装i7，用户拿到手发现根本就是i3 04-21 17:29
另外苹果从没有宣称自己的颗粒是mlc，也没有拿来做卖点。华为可是把ufs2.1当作大卖点宣传的。海军狡辩体验没区别。你emmc5.1半双工模式能同时读写吗？ufs能。早知道余大嘴的华为每次发布会都习惯性造假，没想到还这么不要脸
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wx8600&博士&：这显然是黑华为的啊（反对的都是看不懂的还是真的来洗地的（
04-20 20:03
华为偷换闪存，只要没明确告知，就是商业欺诈
这显然是黑华为的啊（反对的都是看不懂的还是真的来洗地的（
bolvar&管理员&：这个消息并不是华为说的，是来自微博上的供应链分析人士，现在S8的拆解中有东芝的UFS闪存，三星的UFS闪存自己也不够用，都开始采购东芝的了，这点我确实得到错误的爆料了。
不过你们TM的睁大你们的狗眼看清我是在洗地还是报道情况，还有你们这种非黑即白的论调不代表别人都应该跟你一样，UFS闪存缺货是事实，供应链管理情况的复杂也不是你们脑补的那样没有UFS 2.1就用UFS 2.0之类的。
04-19 17:52 已有40次举报
一个网编这么嚣张？趁早下班吧，以后见一次举报一次
bolvar&管理员&：这个消息并不是华为说的，是来自微博上的供应链分析人士，现在S8的拆解中有东芝的UFS闪存，三星的UFS闪存自己也不够用，都开始采购东芝的了，这点我确实得到错误的爆料了。
不过你们TM的睁大你们的狗眼看清我是在洗地还是报道情况，还有你们这种非黑即白的论调不代表别人都应该跟你一样，UFS闪存缺货是事实，供应链管理情况的复杂也不是你们脑补的那样没有UFS 2.1就用UFS 2.0之类的。
04-19 17:52 已有40次举报
就这素质趁早下班吧
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MDZZ！你怎么知道批华为闪存门的人没批过苹果？
沙克也干了
cwjragnarok&一代宗师&：大哥，求Link，帮你发扬光大
04-20 09:35
（要讲文明有礼貌）才会买华为
bolvar&管理员&：这个消息并不是华为说的，是来自微博上的供应链分析人士，现在S8的拆解中有东芝的UFS闪存，三星的UFS闪存自己也不够用，都开始采购东芝的了，这点我确实得到错误的爆料了。
不过你们TM的睁大你们的狗眼看清我是在洗地还是报道情况，还有你们这种非黑即白的论调不代表别人都应该跟你一样，UFS闪存缺货是事实，供应链管理情况的复杂也不是你们脑补的那样没有UFS 2.1就用UFS 2.0之类的。
04-19 17:52 已有40次举报
這種編輯、管理員，洗地洗到這種地步
（你可匿名或登录后发表评论。没有帐号可，或使用和直接登录）
读书是为了心平气和地跟某些人讲道理，健身是为了让某些人心平气和地跟你讲道理，可惜我读书少，脾气也不小。
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