小白一枚，求教大神仿S是小白鞋什么牌子好
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时间：2018-02-20 18:00
求大神指教：研究生小白一枚，导师是做图像处理方向的，开学后导师是要分方向，关于方向的选择有些疑惑 - FPGA|CPLD|ASIC论坛 -
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求大神指教：研究生小白一枚，导师是做图像处理方向的，开学后导师是要分方向，关于方向的选择有些疑惑
15:07:18
求大神指教：研究生小白一枚，导师是做图像处理方向的，开学后导师是要分方向，主要是纯软件、DSP和FPGA方向，对DSP和FPGA不是太了解，入门的话哪个容易一些？毕业后就业怎么样？希望有经验的前辈指导一下，现在比较迷茫，谢谢各位。
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在我看来，FPGA相对于软件来说更累点
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不做esd却能搞定esd仿真的才厉害呀。。。
问下楼主的heatsink是怎么设置的呀？直接用drain或者source做heatsink嘛？
UID257376&帖子116&精华0&积分5510&资产5510 信元&发贴收入890 信元&推广收入0 信元&附件收入18209 信元&下载支出13679 信元&阅读权限50&在线时间485 小时&注册时间&最后登录&
continuation 是直流仿真&&TLP是瞬态，考虑电容，所以不一样，我的经验是TLP容易收敛
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又有问题了，跑出来lattice temperature是常数，整个结构都是300K。。。有办法做热仿真吗？
hTemperature是有变化的。
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& &估计是你plot的时间不对
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知道问题了，我是用第二个程序跑的。couple里我没有加temperature
UID966202&帖子9&精华0&积分1605&资产1605 信元&发贴收入55 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出3110 信元&阅读权限30&在线时间217 小时&注册时间&最后登录&
我第一次做ESD仿真，也是仿真GGNMOS，有些问题想请教一下，有一个厂商的工艺流程所以一直都用sproess跑的仿真，不会用sde，汗一个，所以contact信息都在sprocess里设定好了，source、drain、gate、substrate四个contact，想问一下thermode能不能直接用substrate？还有器件表面应该是不导热的，衬底导热，那我只将衬底设置为thermode是否是对的？
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& &有些问题想请教一下，我用sprocess做了一个2D的NMOS管，在sdevice里，我用device语句，把NMOS管做成了一个device，在漏极上串联一个1e5欧姆的大电阻做直流仿真，仿真出了回滞曲线，但是仿真不出失效点，仿真后看晶格温度，温度最高的地方在源极和栅极交界处；TLP也仿了，在漏极用Isource_pbset加了一个脉冲电流，但是很难收敛，用了LZ写的收敛性很好的sdevice，收敛性解决了，但是仿真出的曲线很奇怪，之前没有用过sde，也没做过温度方面的仿真，我不知道是不是我的thermode设置的对不对，我在sprocess里用contact语句做好source、drain、gate、substrate后，直接用的substrate作为热电极，不知道这样做对不对，下面是我写的直流仿真的sdeviceDevice Nmos{
* input files:
Grid = &ESD_sp_fps.tdr&
* output files:
Plot = &n1_des.tdr&
Current = &n1_des.plt&
Electrode {
{ Name=&source&
Voltage=0.0&&}
{ Name=&drain&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&gate&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&substrate&
Voltage=0.0&&}
Thermode {
& && && & { Name = &substrate& Temperature = 300 }
& && && &}
Physics{ Hydrodynamic
& && && &RecGenHeat
& && && &eQCvanDort& && && && && && && && && && && && && &
& && && &AnalyticTEP
& && && &EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom))
& && && &Mobility(
& && && && && && &DopingDep
& && && && && && &CarrierCarrierScattering& && &
& && && && && && &HighFieldSaturation& && && && &
& && && && && && &Enormal& && && && && && && && && && &&&
& && && && && &&&)
& && && & Recombination(
& && && && && && && && &SRH( DopingDependence&&Tempdep )
& && && && && && && && &Auger& && && && && && && && &
& && && && && && && && &Avalanche(ElectricField)
& && && && && && && &&&)
&&Nmos nmos (drain=d source=0 gate=0&&substrate=0)
&&Resistor_pset&&r ( in& &d ){ resistance = 1e5 }
&&Vsource_pset&&vd ( in& &0 ){ dc = 0 }
File { Output = &n1_des.log& }
*--Density and Currents, etc
& &eDensity hDensity
& &TotalCurrent/Vector eCurrent/Vector hCurrent/Vector
& &eMobility hMobility
& &eVelocity hVelocity
& &eQuasiFermi hQuasiFermi
*--Temperature
& &Temperature
*--Fields and charges
& &ElectricField/Vector Potential SpaceCharge
*--Doping Profiles
& &Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
*--Generation/Recombination
& &SRH Band2Band * Auger
& &AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration
*--Driving forces
& &eGradQuasiFermi/Vector hGradQuasiFermi/Vector
& &eEparallel hEparallel eENormal hENormal
*--Band structure/Composition
& &BandGap
& &BandGapNarrowing
& &Affinity
& &ConductionBand ValenceBand
& &eQuantumPotential
& &Extrapolate
& &Derivatives
& &Iterations=300
& &RelErrControl
& &Digits=6
& &method= ILS(set= 2)
& &WallClock
& &Number_of_Threads = 4
& &Notdamped =330
& && & Poisson
& && & Coupled{ Poisson Electron Hole }
& && & Quasistationary(
& && && && && && && &&&InitialStep=1e-16 Increment=1.35
& && && && && && && &&&MinStep=1e-25 MaxStep=1
& && && && && && && &&&Goal{ Parameter=vd.dc Voltage= 4000 }
& && && && && && && & )
& && & { Coupled{ Poisson Electron Hole Temperature }}& && &
下面是我用LZ介绍的第三的sdevice写的TLP仿真
Device Nmos{
* input files:
Grid = &ALLFinalPixel_fps.tdr&
* output files:
Plot = &n1_des.tdr&
Current = &n1_des.plt&
Electrode {
{ Name=&source&
Voltage=0.0&&}
{ Name=&drain&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&gate&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&substrate&
Voltage=0.0&&}
Thermode {
& && && & { Name = &substrate& Temperature = 300 }
& && && &}
Physics{ Thermodynamic& && && && && && && && && &
& && && &AnalyticTEP
& && && &EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom))
& && && &Mobility(
& && && && && && &DopingDep ( UniBo )
& && && && && && &CarrierCarrierScattering ( ConwellWeisskopf )& && &
& && && && && && &HighFieldSaturation ( GradQuasiFermi )& && && && &
& && && && && &&&)
& && && & Recombination(
& && && && && && && && &SRH( DopingDependence&&Tempdep )
& && && && && && && && &Auger& && && && && && && && &
& && && && && && && && &Avalanche ( UniBo2 GradQuasiFermi )
& && && && && && && &&&)
&&Nmos nmos (drain=d source=0 gate=0&&substrate=0)
&&Isource_pset&&id ( d& &0 ){ pwl = (0.0e+00
& && && && && && && && && && && && & 3.0e-7
& && && && && && && && && && && && & 3.1e-7
& && && && && && && &4.1e-7& &&&0.04
& && && && && && && && && && && && & 4.2e-7& &&&0.0) }
File { Output = &n1_des.log& }
*--Density and Currents, etc
& &eDensity hDensity
& &TotalCurrent/Vector eCurrent/Vector hCurrent/Vector
& &eMobility hMobility
& &eVelocity hVelocity
& &eQuasiFermi hQuasiFermi
*--Temperature
& &LatticeTemperature Temperature
*--Fields and charges
& &ElectricField/Vector Potential SpaceCharge
*--Doping Profiles
& &Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
*--Generation/Recombination
& &SRH Band2Band * Auger
& &AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration
*--Driving forces
& &eGradQuasiFermi/Vector hGradQuasiFermi/Vector
& &eEparallel hEparallel eENormal hENormal
*--Band structure/Composition
& &BandGap
& &BandGapNarrowing
& &Affinity
& &ConductionBand ValenceBand
& &eQuantumPotential
& &method= ILS(set= 2)
& &transient=BE
& &WallClock
& &Extrapolate
& &Derivatives
& &AvalDerivatives
& &Digits=6
& &Iterations=300
& &Notdamped =330
& &RhsFactor=1e20
& &Number_of_Threads = 4
Solve { Poisson
& && & Coupled{ Poisson Electron }
& && & Coupled{ Poisson Electron Hole }
& && & Transient (
& && && && && && &InitialTime=0
& && && && && && &FinalTime=5e-7
& && && && && && &InitialStep=1e-15& &
& && && && && && &MaxStep=1e-5& &
& && && & MinStep=1e-20
&&Increment=1.3
& && & Plot {
& && && && & Range = (3.0e-7 4.3e-7) Intervals=14} )& && && && && &
& && && && &{ Coupled { nmos.poisson nmos.electron nmos.contact nmos.Temperature circuit }&&
& && && && &}
如果有问题请楼主指出，谢谢
UID702422&帖子58&精华0&积分3379&资产3379 信元&发贴收入365 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出1046 信元&阅读权限50&在线时间185 小时&注册时间&最后登录&
跪求qfliuyang的联系方式，可否加为QQ好友：。有问题想作更详细的请教。
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NOR Flash: Scaling 的挑战、可靠性及表征(下载奖励信元和资料）(摄影师丹尼斯)
(木夕Goodmary-)
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不做esd却能搞定esd仿真的才厉害呀。。。
问下楼主的heatsink是怎么设置的呀？直接用drain或者source做heatsink嘛？
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continuation 是直流仿真&&TLP是瞬态，考虑电容，所以不一样，我的经验是TLP容易收敛
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又有问题了，跑出来lattice temperature是常数，整个结构都是300K。。。有办法做热仿真吗？
hTemperature是有变化的。
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& &估计是你plot的时间不对
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知道问题了，我是用第二个程序跑的。couple里我没有加temperature
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我第一次做ESD仿真，也是仿真GGNMOS，有些问题想请教一下，有一个厂商的工艺流程所以一直都用sproess跑的仿真，不会用sde，汗一个，所以contact信息都在sprocess里设定好了，source、drain、gate、substrate四个contact，想问一下thermode能不能直接用substrate？还有器件表面应该是不导热的，衬底导热，那我只将衬底设置为thermode是否是对的？
UID966202&帖子9&精华0&积分1605&资产1605 信元&发贴收入55 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出3110 信元&阅读权限30&在线时间217 小时&注册时间&最后登录&
& &有些问题想请教一下，我用sprocess做了一个2D的NMOS管，在sdevice里，我用device语句，把NMOS管做成了一个device，在漏极上串联一个1e5欧姆的大电阻做直流仿真，仿真出了回滞曲线，但是仿真不出失效点，仿真后看晶格温度，温度最高的地方在源极和栅极交界处；TLP也仿了，在漏极用Isource_pbset加了一个脉冲电流，但是很难收敛，用了LZ写的收敛性很好的sdevice，收敛性解决了，但是仿真出的曲线很奇怪，之前没有用过sde，也没做过温度方面的仿真，我不知道是不是我的thermode设置的对不对，我在sprocess里用contact语句做好source、drain、gate、substrate后，直接用的substrate作为热电极，不知道这样做对不对，下面是我写的直流仿真的sdeviceDevice Nmos{
* input files:
Grid = &ESD_sp_fps.tdr&
* output files:
Plot = &n1_des.tdr&
Current = &n1_des.plt&
Electrode {
{ Name=&source&
Voltage=0.0&&}
{ Name=&drain&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&gate&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&substrate&
Voltage=0.0&&}
Thermode {
& && && & { Name = &substrate& Temperature = 300 }
& && && &}
Physics{ Hydrodynamic
& && && &RecGenHeat
& && && &eQCvanDort& && && && && && && && && && && && && &
& && && &AnalyticTEP
& && && &EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom))
& && && &Mobility(
& && && && && && &DopingDep
& && && && && && &CarrierCarrierScattering& && &
& && && && && && &HighFieldSaturation& && && && &
& && && && && && &Enormal& && && && && && && && && && &&&
& && && && && &&&)
& && && & Recombination(
& && && && && && && && &SRH( DopingDependence&&Tempdep )
& && && && && && && && &Auger& && && && && && && && &
& && && && && && && && &Avalanche(ElectricField)
& && && && && && && &&&)
&&Nmos nmos (drain=d source=0 gate=0&&substrate=0)
&&Resistor_pset&&r ( in& &d ){ resistance = 1e5 }
&&Vsource_pset&&vd ( in& &0 ){ dc = 0 }
File { Output = &n1_des.log& }
*--Density and Currents, etc
& &eDensity hDensity
& &TotalCurrent/Vector eCurrent/Vector hCurrent/Vector
& &eMobility hMobility
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*--Temperature
& &Temperature
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& &Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
*--Generation/Recombination
& &SRH Band2Band * Auger
& &AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration
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& &BandGapNarrowing
& &Affinity
& &ConductionBand ValenceBand
& &eQuantumPotential
& &Extrapolate
& &Derivatives
& &Iterations=300
& &RelErrControl
& &Digits=6
& &method= ILS(set= 2)
& &WallClock
& &Number_of_Threads = 4
& &Notdamped =330
& && & Poisson
& && & Coupled{ Poisson Electron Hole }
& && & Quasistationary(
& && && && && && && &&&InitialStep=1e-16 Increment=1.35
& && && && && && && &&&MinStep=1e-25 MaxStep=1
& && && && && && && &&&Goal{ Parameter=vd.dc Voltage= 4000 }
& && && && && && && & )
& && & { Coupled{ Poisson Electron Hole Temperature }}& && &
下面是我用LZ介绍的第三的sdevice写的TLP仿真
Device Nmos{
* input files:
Grid = &ALLFinalPixel_fps.tdr&
* output files:
Plot = &n1_des.tdr&
Current = &n1_des.plt&
Electrode {
{ Name=&source&
Voltage=0.0&&}
{ Name=&drain&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&gate&
& && &&&Voltage=0.0&&}
{ Name=&substrate&
Voltage=0.0&&}
Thermode {
& && && & { Name = &substrate& Temperature = 300 }
& && && &}
Physics{ Thermodynamic& && && && && && && && && &
& && && &AnalyticTEP
& && && &EffectiveIntrinsicDensity (BandGapNarrowing (OldSlotboom))
& && && &Mobility(
& && && && && && &DopingDep ( UniBo )
& && && && && && &CarrierCarrierScattering ( ConwellWeisskopf )& && &
& && && && && && &HighFieldSaturation ( GradQuasiFermi )& && && && &
& && && && && &&&)
& && && & Recombination(
& && && && && && && && &SRH( DopingDependence&&Tempdep )
& && && && && && && && &Auger& && && && && && && && &
& && && && && && && && &Avalanche ( UniBo2 GradQuasiFermi )
& && && && && && && &&&)
&&Nmos nmos (drain=d source=0 gate=0&&substrate=0)
&&Isource_pset&&id ( d& &0 ){ pwl = (0.0e+00
& && && && && && && && && && && && & 3.0e-7
& && && && && && && && && && && && & 3.1e-7
& && && && && && && &4.1e-7& &&&0.04
& && && && && && && && && && && && & 4.2e-7& &&&0.0) }
File { Output = &n1_des.log& }
*--Density and Currents, etc
& &eDensity hDensity
& &TotalCurrent/Vector eCurrent/Vector hCurrent/Vector
& &eMobility hMobility
& &eVelocity hVelocity
& &eQuasiFermi hQuasiFermi
*--Temperature
& &LatticeTemperature Temperature
*--Fields and charges
& &ElectricField/Vector Potential SpaceCharge
*--Doping Profiles
& &Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
*--Generation/Recombination
& &SRH Band2Band * Auger
& &AvalancheGeneration eAvalancheGeneration hAvalancheGeneration
*--Driving forces
& &eGradQuasiFermi/Vector hGradQuasiFermi/Vector
& &eEparallel hEparallel eENormal hENormal
*--Band structure/Composition
& &BandGap
& &BandGapNarrowing
& &Affinity
& &ConductionBand ValenceBand
& &eQuantumPotential
& &method= ILS(set= 2)
& &transient=BE
& &WallClock
& &Extrapolate
& &Derivatives
& &AvalDerivatives
& &Digits=6
& &Iterations=300
& &Notdamped =330
& &RhsFactor=1e20
& &Number_of_Threads = 4
Solve { Poisson
& && & Coupled{ Poisson Electron }
& && & Coupled{ Poisson Electron Hole }
& && & Transient (
& && && && && && &InitialTime=0
& && && && && && &FinalTime=5e-7
& && && && && && &InitialStep=1e-15& &
& && && && && && &MaxStep=1e-5& &
& && && & MinStep=1e-20
&&Increment=1.3
& && & Plot {
& && && && & Range = (3.0e-7 4.3e-7) Intervals=14} )& && && && && &
& && && && &{ Coupled { nmos.poisson nmos.electron nmos.contact nmos.Temperature circuit }&&
& && && && &}
如果有问题请楼主指出，谢谢
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