MOS管选用N沟道还是P沟道
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　　正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。　　第一步：选用N沟道还是P沟道　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。　　要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V.　　第二步：确定额定电流　　第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。　　选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在&导通&时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。　　技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS（ON），那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。　　在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS（ON）。为了减少最大VDS对RDS（ON）的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS（ON）的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS（ON）的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS（ON）会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS（ON）与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS（ON）。结果是晶片尺寸可减小达35%.而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。　　第三步：确定热要求　　选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。　　器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散]）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS（ON）。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。　　雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率，使器件的温度升高，而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。除计算外，技术对雪崩效应也有很大影响。例如，晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。对最终用户而言，这意味着要在系统中采用更大的封装件。　　第四步：决定开关性能　　选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。
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场效应管(MOSFET)N、P沟道区分及导通条件
&&经常弄不清楚如何区分场效应管(MOSFET)N、P沟道及导通条件,通过上网收集整理,简易的得出了区分的方法。
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你可能喜欢增强型 N,P沟道导通条件也是G高电平导通的吗?_百度知道
增强型 N,P沟道导通条件也是G高电平导通的吗?
我看了一下有关MOS的百度帖子，但还有点疑问，就是MOS管分为增强型和耗尽行的，它们各有N，P沟道之分，我把它们分为四块，想知道它们各自的导通条件。有两个是从书上等出来的结论，还有两个书上也没有明确的说出来所以想问一下。
谢谢你，我的两个问题你没有回答，你说的E型 D型，我知道就是这两个问题你帮忙看下 增强型
导通条件？？？有没有高手来回答啊 ？？？回答我把分全给你
我有更好的答案
结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS&开启电压(N沟道)或UGS&开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。
希望可以帮到你
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引用z456706的回答：结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS&开启电压(N沟道)或UGS&开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。
希望可以帮到你
只有当UGS&开启电压(P沟道)或UGS&开启电压(N沟道)才可能出现导电沟道。
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MOS管电路工作原理及详解
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你可能喜欢N沟道还是P沟道MOSFET
百度文库网址：
http://wenku.baidu.com/view/a2f60b4c659e.html
如何区分场效应管是N沟道还是P沟道？
答：在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。
N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。（用表笔二极管档测s极和D极的一组数值（600-800）红S黑D是N沟道黑S红D是P沟道）。
场效应管分为N沟道和P沟道，它的导通条件分别是什么？
答：都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
（复杂点的看下文）
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。 但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。
N沟G极高电平时导通,电流从D极流向S极;P沟G极低电平时导通,电流从S极流向D极.
PNP是指三极管
MOS管是N沟道和P沟道 至于电流的流向
只要G级满足导通条件 MOS管就相当于导线怎么流都是可以的
关键在于G级
在技术中：论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这。理想的mos管，不管nmos还是pmos，沟道打开的时候，电流可从源到漏，也可从漏到源。但是实际的mos管，由于制造工艺的原因，在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。可简单归纳为“n正驱（栅极电位高于硅基底）反通（漏极高于源极），p反驱正通”。
N沟道MOS管漏源之间加负电压是什么现象
在正向开启的栅源电压下,给N沟道MOS管漏源之间加负电压,请问会有什么变化,
可以产生回路吗?
另一个问题,P沟道MOS 栅源电压为负,开启后,漏源电压为负,电流是从源级,流向漏极的吗?如果是,那么我在漏源间加正电压,又会是什么情况呢,可以形成回路吗?
源漏互换了.
其实一个mos管物理实现上是不区分源漏的,两边完全对称,只有外加电压后才有源漏一说.
追问：能不能说具体点啊， 你的意思是 外家栅源电压后， 漏源才有区分，那假如是N沟道的话，只能是漏源电压正，才可以有电流是吧
追答：是的，但是你那样说是不准确的。只要源漏间有压降，沟道就会有电流，而电流的方向又决定了提供载流子的一端为源极，即载流子从源级流向漏极。
追问：假如是N沟道的话，只能是漏源电压正，才可以有电流是吧, 如果漏源加负电压呢，会有电流吗
追答：就源漏互换了啊，没有看懂我最开始的回答么。。原来的漏极变成新的源级，电流方向和原来相反
追问：就是说只要栅源的开启电压达到阈值，开启后， 漏源电压无论正负都有电流是吧。 漏源其实就是指一个电流的流向是漏到源，无论怎么正负电压，电流总是从漏极流向源级。是这意思吧
追答：是的，但是源漏的互换不是突变的，需要花一定的时间。另外开启条件也是和源级电位有关：Vgs&Vth
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