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省天天低价，畅选无忧SSD中闪存颗粒TLC和MLC有什么区别？它们分别能写多少数据？_百度知道
SSD中闪存颗粒TLC和MLC有什么区别？它们分别能写多少数据？
slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。简单地说SLC的性能最优，价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC综合性能最低，价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。
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& >&请不要再谈SLC MLC固态硬盘才是主流
请不要再谈SLC MLC固态硬盘才是主流天极网硬件频道 06:00
　　大部分用户不知道什么是SSD
　　如今大家还是会选择机械硬盘多一点，因为500块不到便能获得1TB的存储容量，这是非常直观的，1TB的容量可以存储50部的1080P电影，可以存储20万张高清的照片，可以存放100个大型的游戏。但是超过500块的只能给到你120G的容量，而唯一提升的性能对于初次使用或者是初次认识的用户而言是模糊的。在他们的脑海里完全没有速度提升的概念，完全没有150M每秒和500M/秒的概念，因此绝大部分厂家的宣传对于大部分用户而言是无效的。
　　大部分品牌的宣传用户看不懂
　　但就算是了解SSD的用户也不一定会买账，厂商会提供拥有硬盘阵列功能，帮助提供多硬盘用户提供运行时的工作效率；而第三方软件厂商还提供了一些利用大，组建虚拟磁盘，达到远超SSD读写性能得效果；另外，的出现也加快了系统的启动，缩减了一半的启动时间，拉近了与SSD作系统盘的启动时间。上述这些功能无一不是在缩短机械硬盘与SSD之间的性能差距。因此固态硬盘虽是未来主流，但要完全淘汰如今的机械硬盘，其长路漫漫修远兮。
　　三种闪存芯片
　　说到SSD就必须说到Flash芯片，介绍flash芯片就必须说到SLC、TLC、MLC这三种类型的闪存芯片。
　　SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命
　　MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
转投MLC闪存行列的三星840系列
　　最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
　　SLC技术：存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell只能存取1bit数据，有点儿类似于开关电路，虽然简单但却非常稳定。如同电脑的部件一样，要想在一定体积里容纳更多的晶体管数，就必须提高生产工艺水平，减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问题，要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术，这就意味着厂商必须更换现有的生产设备，投入大不说而且还是个无底洞。
　　TLC技术：2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
　　MLC技术：而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量，厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证，自然比SLC架构更受欢迎。
　　SLC早已过时
　　从上面的介绍中可以了解，若采用SLC技术无疑是加大了生产成本，最后便是高价而无法普及平民化。因此采用MLC单元才是SSD未来的固态硬盘的发展趋势。虽然其相对SLC容易产生读写错误，但是技术的提升已经可以基本忽略不计这样的错误，也就是说基本不可能发生。好比你乘坐飞机，它坠毁了这是非常小的几率；相对于每天上下几千上万次的航班，其几率只有几千万分之一甚至几亿分之一。但是容量的提升却是显而易见，同样的价格下，大部分用户还是会理智的选择采用容量更大的MLC固态硬盘。
（作者：赵成责任编辑：赵成）
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软件数码办公IT新闻slc，mlc，tlc闪存芯片颗粒哪个好？有什么区别_百度知道
slc，mlc，tlc闪存芯片颗粒哪个好？有什么区别
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在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下。slc、mlc、tlc闪存芯片颗粒区别介绍 SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
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　　SLC（Single-Level Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。根据外文资料显示：　　slc &约10万次擦写寿命mlc&约8000---10000次擦写寿命tlc&约3000---5000次擦写寿命【】【】另外，关于擦写次数：ssd 存储空间完全擦写完一次算一次p/e （寿命单位） 比如你ssd 容量250g 那么要存储读写250g的东西以后算一次p/e . 现在的ssd 一般3000——5000p/e 。那么你一天存储读写100g 大概五天两次p/e 一年120次p/e 能用多久应该有数了！
　　LC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；　　MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。　　结论：SLC & MLC & TLC　　目前大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。　　而SSD固态硬盘中，目前MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TCL芯片颗粒，大家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，　　SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。
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SSD中SLC，MLC，TLC的区别是什么？
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速度和寿命不同。你这个顺序，是依次递减的。但价格也依次递减。真正的SLC，常常就上万了，所以几乎不会有产品。MLC都算奢侈的。现在流行TLC了。但TLC技术成熟，一些大厂的TLC的速度和寿命也相当不错。
数码爱好者
SLC，MLC，TLC的区别是主要是寿命1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。价格：SLC&MLC&TLC
单层单元多层单元三层单元每个单元存储的数据比特(位)不一样，其中SLC只有一个，MLC是两个，TLC则是三个。据说TLC寿命短
价格也低一点MLC性价比最高
SLC速度快成本也高价格贵对于厂商来说 TLC比MLC成本低 目前貌似TLC的SSD也就三星在做 毕竟人家自己有厂 能做闪存颗粒推荐MLC
日常用完全足够 开机快0.1秒慢0.1秒什么的没什么区别
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