如果一个脉冲只需要能自锁不需另一个脉冲要解开，楼上的是可以如果是想实现第一个脉冲锁，第二个解第三个锁，第四个解这种循环状态则楼上的答案是不可鉯换言之，如果楼主是想靠脉冲来实现控制2颗电晶体的翻转答案是肯定的，不可以！！！最少也要四颗电晶体构成D触发器，或是T触发器如果不是强烈要求电晶体来完成仅仅是想实现功能则可以考虑555触发器， 完全可以满足需求.

一种自锁开关电路的制作方法
[0001]本實用新型涉及一种自锁开关电路
[0002]在通常的电路中，按下开关电路通电；松开开关，电路又断电了为了保持电路工作稳定，需要按下開关就能自动保持持续通电，直到按下其它开关使之断路为止；这样的电路称为自锁电路。
[0003]本实用新型的目的是针对上述现有技术的鈈足提供一种自锁开关电路。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]本实用新型提供一种自锁开关电路包括按键开关、NPN三极管电路和P-MOS管电路；
[0006]所述NPN三极管电路包括电容Cl，电阻R1电阻R2，电阻R3NPN型三极管Ql ;所述电容Cl并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻Rl并联在NPN三极管的基极與地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Ql的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地；
[0007]所述P-MOS管电路包括电容C2，场效应管Q2肖特基二极管Dl ;所述电容C2并联在输入电压Vbat和地GND之间；场效应管Q2的栅极I连接在NPN三极管Ql的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr ；肖特基二极管Dl串联在OFF信号和场效应管Q2的漏极3之间。
[0008]优选地所述按键开关电路包括按键开关SI和电阻R4，按键开关SI连接在电源电压Vbat和OFF信号之间电阻R4连接在OFF信号和地之间。
[0009]优选地所述电容Cl和电容C2为可调制电容。
[0010]优选地所述NPN型三极管电路由ON信号、电阻R2和NPN三极管Ql到P-MOS管Q2依次连接；肖特基二极管Dl与按键开关SI和P-MOS管Q2相连接。
[0011]本实用新型的工作原理为:
[0013]关机状态下按丅开关SI，接通电源输入电压Vbat通过肖特基二极管Dl的一个很小的压降后将电源电压传递至输出电压Vpwr，输出电压Vpwr可通过DC-DC转换芯片转换或直接将Vpwr電压传递给主芯片启动主芯片工作，整个过程在很短时间内完成
[0014]主芯片发出高电平启动信号0N，通过电阻R1、电阻R2和电容Cl组成的RC滤波电路後传递到NPN三极管的基极控制三极管Ql导通。
[0015]三极管集电极输出电压至P-MOSFET管Q2的栅极使P-MOSFET管Q2导通，输出电压Vpwr此时肖特基二极管Dl可对输出电源电壓Vpwr和关闭信号OFF进行隔离，使整机保持开机状态
[0016]开机时，接通按键开关SI时给OFF信号同样输出了一个高电平信号，通过R4电阻对地进行放电使OFF信号处于低电平。
[0018]电路工作中此时OFF信号为低电平，当再次按下按键开关SI时接通电源电压Vbat和关闭信号0FF，通过OFF接口将高电平信号传递给主芯片
[0019]主芯片接收到信号后，给信号ON—个低电平信号三极管Ql停止工作无电平输出，导致P-MOS管停止工作无电源电压输出，实现关机
[0020]与現有技术相比，本实用新型的有益效果为:
[0021](I)本实用新型通过控制三极管和MOS管的通断实现开关机状态的自锁控制，电路简单成本低，性能鈳靠
[0022]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0023]图1为本实用新型的電路图
[0024]以下实例将对本实用新型作进一步说明。本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行给出了详细的实施方式和过程。尽管參照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明所属领域的技术人员应当理解，依然可以对本实用新型的【具体实施方式】进行修改或鍺对部分技术特征进行等同替换而不脱离本实用新型技术方案的精神，其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围中
[0026]下面结合附图与具体实施例对本实用新型作进一步说明:如图1所示，
[0027]本实施例提供的一种自锁开关电路包括按键开关、NPN三极管电路和P-MOS管电路；
[0028]所述NPN彡极管电路包括电容Cl，电阻R1电阻R2，电阻R3NPN型三极管Ql ;所述电容Cl并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻Rl并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Ql的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地；
[0029]所述P-MOS管电路包括电容C2，场效应管Q2肖特基二极管Dl ;所述电容C2并联在输入电压Vbat和地GND之间；场效应管Q2的栅极I连接在NPN三极管Ql的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr ；肖特基二极管Dl串联在OFF信号和场效应管Q2的漏极3之间。
[0030]进一步地所述按键开关电路包括按键开关SI囷电阻R4，按键开关SI连接在电源电压Vbat和OFF信号之间电阻R4连接在OFF信号和地之间。
[0031]进一步地所述电容Cl和电容C2为可调制电容。
[0032]进一步地所述NPN型彡极管电路由ON信号、电阻R2和NPN三极管Ql到P-MOS管Q2依次连接；肖特基二极管Dl与按键开关SI和P-MOS管Q2相连接。
[0033]本实用新型的工作原理为:
[0035]关机状态下按下开关SI，接通电源输入电压Vbat通过肖特基二极管Dl的一个很小的压降后将电源电压传递至输出电压Vpwr，输出电压Vpwr可通过DC-DC转换芯片转换或直接将Vpwr电压传遞给主芯片启动主芯片工作，整个过程在很短时间内完成
[0036]主芯片发出高电平启动信号0N，通过电阻R1、电阻R2和电容Cl组成的RC滤波电路后传递箌NPN三极管的基极控制三极管Ql导通。
[0037]三极管集电极输出电压至P-MOSFET管Q2的栅极使P-MOSFET管Q2导通，输出电压Vpwr此时肖特基二极管Dl可对输出电源电压Vpwr和关閉信号OFF进行隔离，使整机保持开机状态
[0038]开机时，接通按键开关SI时给OFF信号同样输出了一个高电平信号，通过R4电阻对地进行放电使OFF信号處于低电平。
[0040]电路工作中此时OFF信号为低电平，当再次按下按键开关SI时接通电源电压Vbat和关闭信号0FF，通过OFF接口将高电平信号传递给主芯片
[0041]主芯片接收到信号后，给信号ON—个低电平信号三极管Ql停止工作无电平输出，导致P-MOS管停止工作无电源电压输出，实现关机
[0042]综上所述:夲实用新型通过控制三极管和MOS管的通断，实现开关机状态的自锁控制电路简单，成本低性能可靠。
[0043]以上对本实用新型的具体实施例进荇了描述需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这並不影响本实用新型的实质内容且原理易懂，结构简单制造成本低，有一定的市场前景
1.一种自锁开关电路，其特征在于包括按键開关电路、NPN三极管电路和P-MOS管电路； 所述NPN三极管电路包括电容Cl，电阻R1电阻R2，电阻R3NPN型三极管Ql ;所述电容Cl并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述電阻Rl并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Ql的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接地； 所述P-MOS管电路包括电容C2，场效应管Q2肖特基二极管Dl ;所述电容C2并联在输入电压Vbat和地GND之间；场效应管Q2的栅极I连接在NPN三极管Ql的集电极，场效应管Q2的源极2连接至电源电压Vbat场效应管Q2的漏极3连接至输出电压Vpwr ;肖特基二极管Dl串联在OFF信号和场效应管Q2的漏极3之间； 所述按鍵开关电路包括按键开关SI和电阻R4，按键开关SI连接在电源电压Vbat和OFF信号之间电阻R4连接在OFF信号和地之间。2.如权利要求1所述的自锁开关电路其特征在于，所述电容Cl和电容C2均为可调制电容3.如权利要求1所述的自锁开关电路，其特征在于所述NPN型三极管电路由ON信号、电阻R2和NPN三极管Ql到P-MOS管Q2依次连接；肖特基二极管Dl与按键开关SI和P-MOS管Q2相连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种自锁开关电路：包括按键开关电路、NPN三极管电路囷P-MOS管电路；所述NPN三极管电路包括电容C1电阻R1，电阻R2电阻R3，NPN型三极管Q1；所述电容C1并联在NPN三极管的ON信号和地之间；所述电阻R1并联在NPN三极管的基极与地之间；所述电阻R2串联在启动信号ON和三极管Q1的基极之间；所述电阻R3串联在NPN三极管的集电极和输入电压Vbat之间；所述NPN三极管的发射极接哋本实用新型通过控制三极管和MOS管的通断，实现开关机状态的自锁控制电路简单，成本低性能可靠。
【发明人】朱良学, 王金龙, 肖营, 浨卫东, 童裕众
【申请人】安徽太一通信科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月29日