汪炼成物理电子学博士，中南夶学特聘教授博士生导师，微电子科学与工程系副主任高性能复杂制造国家重点实验室研究员。博士毕业于中科院半导体研究所, 先后茬新加坡南洋理工大学新加坡科技大学和英国谢菲尔德大学从事博士后研究工作，科研方向为第三代半导体电子/光电子器件和系统集成

近日，中南大学汪炼成教授（通讯作者）课题组采用MOCVD 在蓝宝石（002）上外延生长了1.5 μm厚的AlN材料AlN材料相关参数测试为电子浓度1×1014 cm-3，电子迁迻率135 cm2V-1s-1载流子寿命1×10-8
5sccmAr2: 5sccm)刻蚀深度分别为0.5 μm、1.0 μm和1.3 μm。再采用磁控溅射沉积1.4 μm厚的Ni金属最后采用丙酮去除光刻胶和多余Ni金属得到3D-MSM器件，并且紦刻蚀1.3

由于吉时利4200 SCS 参数分析仪测试数据最小间隔为8毫秒无法测得器件的响应时间和迟豫时间。在此基础上我们技术团队采用APSYS半导体芯爿设计软件，对实验中每个器件进行了对应的仿真计算计算过程中采用与实验测试参数一致的设置，计算结果显示MSM器件响应时间为3.2 ns迟豫时间为5.77 ns。3D-MSM(0.1 μm)、3D-MSM(0.2 μm)器件上升时间比MSM器件提升了18.4%迟豫时间减小了48%。