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时间：2020-11-19 09:25
按IEC61196-1测试同轴电缆的方法测試带屏蔽的平衡电缆，短路8根芯线后用50Ω信号源激励。被测试线长1米，测试频率30MHz频率越高，线长越短导体表面转移阻抗主要用于评估連接硬件的屏蔽效率，其实测值不超过以下计算值
转移阻抗与屏蔽电缆和连接硬件的屏蔽效率相关，其数值可通过实验室高频密封箱测量屏蔽插入损耗计算得出。
Ri1＝Ri2＝50Ω——网络分析仪特性阻抗
R1＝50Ω——馈电电阻
R2＝50Ω——终端电阻
U1＝信号发射电压（V）
U2＝信号接收电壓（V）
Uc＝被测设备两端电压
Zcond=连接器特性阻抗（Ω）
由于屏蔽插入损耗（αs）为20?lg(U2/U1)dB转移阻抗(Zt)也可以表示为：
耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt＝Pr/Pi（Pr：线缆接收功率；Pi：在内导体上产生的噪声功率）
将电缆近似看作电磁场中的全向天线其接收到的電磁功率Pr＝λ2/4π?PD（λ：信号波长，PD：电磁场功率密度）
内部内部导体产生噪声功率Pi＝内部导体产生噪声功率Vi2/Z（Vi：内导体上的噪声电压；Z内導体阻抗，50Ω）
4屏蔽系数（GB）
按下图装置测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数γ0s＝VC/VS（线芯上的感应电压mV；电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV）。
GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差与10.9.3耦合衰减（CouplingAttenuation）意义相同。
采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽電缆的屏蔽耦合损耗的分贝差
夲回答由新乡市祥泰复合材料有限公司提供
在电缆结构上的所谓“屏蔽”，实质上是一种改善电场分布的措施电缆导體由多股导线绞合而成，它与绝缘层之间易形成气隙导体表面不光滑，会造成电场集中
在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电这一层屏蔽，又称为内屏蔽层在绝缘表面和護套接触处，也可能存在间隙电缆弯曲时，油纸电缆绝缘表面易造成裂纹这些都是引起局部放电的因素。在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电。
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