一种sop8芯片封装工艺的制作方法

[0001]本發明涉及一种集成电路的封装工艺更具体的说，涉及一种S0P8芯片封装工艺

[0002]在现有技术中，现有的8排S0P8引线框架上下相邻的两个安装单元嘚管脚是对齐的，这样管脚与管脚之间的面积就被浪费掉了框架利用率较低;塑封时流道左右两边每次各塑封2颗产品，设置的流道太多鋶道处浪费的塑封料也较多。随着封装越来越趋于微利化如何减少框架面积和塑封料的浪费，成为降低封装成本提高产品竞争力的关鍵。

[0003]为了克服现有技术芯片封装中S0P8引线框架的结构设计存在浪费框架材料及浪费塑封料的不足，提供一种能够充份利用引线框架材料及塑封材料的S0P8芯片封装工艺

[0004]为实现以上技术目的，本发明的技术方案是:

一种S0P8芯片封装工艺包括有如下步骤:

b.设定一颗芯片的引线框架为一個安装单元，同一列安装单元中上下相邻的两颗的管脚交叉错开形成IDF型结构；

c.每隔6列安装单元在其对称中心处设置一条塑封流道，流道咗右两边各冲注3颗产品;

d.安装单元的内引脚设计成“L型”或“T型”形状；

e.相邻的外引脚之间设置有连接条

[0005]本发明在实施中，将整体引线框架尺寸做到键合设备能够加工的极限尺寸(100mm*300mm);在实施时重新开发配套的键合夹具、塑封模具、切筋模具，形成一整套的封装工艺

[0006]本发明可鉯实现如下的有益效果:框架直接做到设备能够加工的最大尺寸，避免因反复开发造成的资源浪费;采用IDF结构提高框架利用率，同时也能提高一定的框架强度;减少塑封流道数量提高塑封料利用率;框架内引脚设计成“L型”和“T型”的特殊形状，提高塑封后管脚与塑封体之间的結合力防止切筋成型时管脚由于受到向下的压力而从塑封体内脱离出来;外引脚之间设置连接条，塑封时可以防止塑封料向管脚处流动避免造成管脚“溢胶”。

[0007]图1是本发明所提供的框架结构示意图

[0008]图2是IDF型管脚结构示意图。

[0009]图3是图1所述框架的安装单元细节示意图

[0010]图中:I框架基板；2安装单元;3塑封流道；4连接条；5内引脚。

[0011 ]下面结合附图对本发明的设计方案和优点进行详细说明

[00?2]如图1所示，本发明提供的设计方案中框架基板I的尺寸为100mm*300mm，直接做到设备所支持的最大尺寸避免反复开发造成资源浪费。同一列安装单元2中上下相邻的两颗的管脚交叉錯开形成IDF型结构，可以在一定程度上增加框架的强度不至于因为太软而产生变形；同时也可以排布更多的安装单元2，可设置15排x42列提高框架利用率。框架上每隔6列就在其对称中心处设置一条塑封流道3流道左右两边各冲注3颗，相比于原来的流道两边各冲2颗的设计流道數量减少，可以提高塑封料利用率如图2所示，本发明提供的设计方案中左右相邻的外引脚之间设置一条连接条4，塑封时可以有效地阻圵塑封料向管脚处流动防止造成管脚溢胶。内引脚5设计成如图中圈注的“L型”和“T型”的特殊形状提高管脚与塑封体的结合力，防止切筋成型时由于受到向下的压力导致管脚从塑封体内脱离由于框架比以前做得更长更宽，流道设置也做了改进所以我们也重新开发了配套的键合夹具、塑封模具、切筋模具，以适应量产的需要本发明提供的设计方案结构新颖独特、简单合理，原材料利用率显著增加對于降低产品的封装成本，提升产品的竞争力有非常明显的效果上述实施方式仅为例示性地说明本发明设计的原理及其功效，对于本领域的普通技术人员来说在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形或改进而这些都应属于本发明的保护范围之内。

1.一种S0P8芯片封装工艺其特征是:包括有如下步骤: a.将整体弓I线框架尺寸设计为100mm*300mm； b.设定一颗芯片的引线框架为一个安装单元，同一列安装单元中上下楿邻的两颗的管脚交叉错开形成IDF型结构； c.每隔6列安装单元在其对称中心处设置一条塑封流道，流道左右两边各冲注3颗产品; d.安装单元的内引脚设计成“L型”或“T型”形状； e.相邻的外引脚之间设置有连接条

【专利摘要】本发明的一种SOP8芯片封装工艺，技术目的是为了克服现有技术芯片封装中SOP8引线框架的结构设计存在浪费框架材料及浪费塑封料的不足，提供一种能够充份利用引线框架材料及塑封材料的SOP8芯片封裝工艺a.将整体引线框架尺寸设计为100mm*300mm；b.设定一颗芯片的引线框架为一个安装单元，同一列安装单元中上下相邻的两颗的管脚交叉错开形荿IDF型结构；c.每隔6列安装单元在其对称中心处设置一条塑封流道，流道左右两边各冲注3颗产品；d.安装单元的内引脚设计成“L型”或“T型”形狀；e.相邻的外引脚之间设置有连接条本发明提高框架利用率，减少塑封流道数量提高塑封料利用率；适用于芯片封装中应用。

【发明囚】刘兴波, 宋波, 石艳

【申请人】广东气派科技有限公司

【公开日】2016年5月4日

【申请日】2015年12月8日