净电荷表面为什么只带有一种电荷？

点击联系发帖人 时间：2022-05-22 02:28

净电荷为零

有时我们把物体或物体局部存在不能被抵消的正电荷或负电荷称为净电荷。给一个电容器加上电压,在电容器的极板上就存在净电荷;将电介质置于电场中,介质表面(甚至内部)就出现净电荷(束缚电荷);静电感应使得导体表面产生净电荷。这些都是人们熟知的事实。但给一导体通以电流,导体内何处出现净电荷,出现净电荷的条件是什么,净电荷的数值,正负与什么有关等问题,在电磁学教科书中没有专门介绍,一般参考文献中也没有讨论。而对这些问题的研究,在理论和实际上都有一定的意义。

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当前位置： > >>>>如何能使导体（1)净电荷为零而电势不为零；（2)有过剩正或负电荷，而其电势为零；（

如何能使导体 (1)净电荷为零而电势不为零； (2)有过剩正或负电荷，而其电势为零； (3)有过剩负电荷而其电势为正； (4)有过剩正电荷而其电势为负．

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设无限远处电势为零，判断下列情况中哪些是可能的：（1) 导体净电荷为零，但电势不为零；（2) 导体电势为零，但净电荷不为零；（3) 导体带负电荷但电势为正；（4) 导体带正电荷但电势为负。

在正六边形的顶角上，相间放置电荷相等的正负点电荷，则在中心处

A．电场强度为零，电势也为零

B．电场强度为零，电势不为零

C．电场强度不为零，电势为零

D．电场强度不为零，电势也不为零

如图所示，＋ｑ和－ｑ电荷组成一电偶极子，下面说法正确的是：（）

A．o点场强为0，电势不为零．

B．o点场强、电势都为零．

C．o点电势为零，场强不为零．

D．o点场强、电势都不为零．

关于带电导体球中的场强和电势, 下列叙述中正确的是

A．导体内的场强和电势均为零

B．导体内的场强为零, 电势不为零

C．导体内的电势与导体表面的电势相等

D．导体内的场强大小和电势均是不为零的常数

【判断题】导体接地，电势为零，但电荷不一定全跑光。（）

取无限远处为零电势点,在一对等量同号点电荷连线的中点处（)

A．点0的电场强度和电势均为零

B．点0的电场强度和电势均不为零

C．点0的电场强度为零,电势不为零

D．点0的电场强度不为零,电势为零

下列说法正确的是（)。（A) 电场强度为零的点，电势也一定为零（B) 电场强度不为零的点，电势也一定不为零

下列说法正确的是( )。

(A) 电场强度为零的点，电势也一定为零

(B) 电场强度不为零的点，电势也一定不为零

(C) 电势为零的点，电场强度也一定为零

(D) 电势在某一区域内为常量，则电场强度在该区域内必定为零

一热机在1000 K和300 K的两热源之间工作．如果(1)高温热源提到1100 K，(2)低温热源降到200 K，求理论上的热机效率各增加多少?为了提高热机率哪一种方案更好?

点电荷q=4．0×10-10C，处在导体球体球壳的中心，壳的内外半径分别为R1=2．0 cm，R2=3．0 cm．求： (1)导体球壳的电势； (2)离球心r=1．0cm处的电势； (3)把点电荷移开球心1．0 cm后球心O点的电势及导体球壳的电势．

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当前位置： > >半导体表面的空间电荷与电场分布

半导体物理的课本中都会提到，表面附近存在空间电荷区，从而会有非零的电场随深度的分布。但是在叙述这一现象时，课本往往使用MIS结构进行讲解，即外加电压下，载流子重新分布，从而通过外加电场解泊松方程得到电场分布。但是，我觉得这一现象应该是由于表面态导致的，即使没有外加电压，空间电荷层应该依然存在。

请问，我的这种认识正确吗？如果正确，应该用什么方法计算或测量半导体表面的电场或电势分布？（如普通的单晶硅片）
我知道通过很多方法可以得到半导体表面的功函数，请问功函数和表面电场有什么联系吗？

表面态当然会造成电荷重新分布，但这本身也仍是费米面不平造成的。因为电子净的流动完全由费米面决定，（如果没有这一条规则，表面态也不会引起空间电荷区）费米面不平造成的电荷在空间上的积累是普遍的现象。两者并没有任何矛盾的地方。

在表面态影响显著的体系中，无非是不能简单用块体材料能带结构描述而已，最终电子是否重新排布，怎么排布还是由费米面决定

表面态当然会造成电荷重新分布，但这本身也仍是费米面不平造成的。因为电子净的流动完全由费米面决定，（如果没有这一条规则，表面态也不会引起空间电荷区）费米面不平造成的电荷在空间上的积累是普遍的现象。两者并 ...

你的描述应该是非平衡条件下的吧？
因为半导体物理课本的普遍描述方式是，平衡条件下，固体表面、半导体异质结、金属-半导体接触等情况下，费米能级都是平的，而导带、价带，和真空能级是弯曲的。是这样吗？

功函数计算是很常规的工作，VASP里面讲得很清楚，CASTEP和VASP同源，应该不会错的。
metaliium从费米面平衡角度出发讲这个问题，半导体物理的书就是这么介绍的。如果你是模型级工作，加上电子数守恒，无穷远处波函数为0等边界条件就能算波函数及电荷分布。
如果你是DFT，平衡条件下算得功函数就是系统的费米能级和真空能级的差，电荷重新分布已经在电子自恰计算过程中完成了

你的描述应该是非平衡条件下的吧？
因为半导体物理课本的普遍描述方式是，平衡条件下，固体表面、半导体异质结、金属-半导体接触等情况下，费米能级都是平的，而导带、价带，和真空能级是弯曲的。是这样吗？...

我说的是平衡态。平衡态下费米能级（一般）是平的本身是电荷重新分布的结果（电荷重新分布导致空间局域出现净电荷，形成电势差，因此产生能带弯曲；同时也改变了局部的电子浓度，最终导致费米面拉平）。。。而电荷之所以会重新分布是因为最开始费米面是不平的。。。

我说的是平衡态。平衡态下费米能级（一般）是平的本身是电荷重新分布的结果（电荷重新分布导致空间局域出现净电荷，形成电势差，因此产生能带弯曲；同时也改变了局部的电子浓度，最终导致费米面拉平）。。。而电荷 ...

谢谢，这样一说我就理解了。

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