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华强电子网特别声明stm32f207/stm32f407擦除内部flash讲解 - CSDN博客
stm32f207/stm32f407擦除内部flash讲解
STM32F4Discovery开发包使用的STM32F407VGT6芯片，内部FLASH有1M之多。平时写的代码，烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。
【STM32F4 内部Flash的一些信息】
STM32F407VG的内部FLASH的地址是：0x，大小是0x。
写FLASH的时候，如果发现写入地址的FLASH没有被擦除，数据将不会写入。FLASH的擦除操作，只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。
在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分，我们现在只操作Main memory：
参考Demo中的例子，将FLASH的页的其实地址（基地址）可定义如下：
/* Base address of the Flash sectors */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8&&&& ((uint32_t)0x) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9&&&& ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10&&& ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11&&& ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */
在库里边，FLASH的Sector编号定义如下，这是供库里边的几个函数使用的。需要将地址转换成Sector编号：
#define FLASH_Sector_0&&&& ((uint16_t)0x0000) /*!& Sector Number 0 */
#define FLASH_Sector_1&&&& ((uint16_t)0x0008) /*!& Sector Number 1 */
#define FLASH_Sector_2&&&& ((uint16_t)0x0010) /*!& Sector Number 2 */
#define FLASH_Sector_3&&&& ((uint16_t)0x0018) /*!& Sector Number 3 */
#define FLASH_Sector_4&&&& ((uint16_t)0x0020) /*!& Sector Number 4 */
#define FLASH_Sector_5&&&& ((uint16_t)0x0028) /*!& Sector Number 5 */
#define FLASH_Sector_6&&&& ((uint16_t)0x0030) /*!& Sector Number 6 */
#define FLASH_Sector_7&&&& ((uint16_t)0x0038) /*!& Sector Number 7 */
#define FLASH_Sector_8&&&& ((uint16_t)0x0040) /*!& Sector Number 8 */
#define FLASH_Sector_9&&&& ((uint16_t)0x0048) /*!& Sector Number 9 */
#define FLASH_Sector_10&&& ((uint16_t)0x0050) /*!& Sector Number 10 */
#define FLASH_Sector_11&&& ((uint16_t)0x0058) /*!& Sector Number 11 */
Demo中有将地址转换成Sector的代码：
uint32_t GetSector(uint32_t Address)
& uint32_t sector = 0;
& if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
&&& sector = FLASH_Sector_0;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
&&& sector = FLASH_Sector_1;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
&&& sector = FLASH_Sector_2;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
&&& sector = FLASH_Sector_3;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
&&& sector = FLASH_Sector_4;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
&&& sector = FLASH_Sector_5;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
&&& sector = FLASH_Sector_6;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
&&& sector = FLASH_Sector_7;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
&&& sector = FLASH_Sector_8;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
&&& sector = FLASH_Sector_9;&&
& else if((Address & ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
&&& sector = FLASH_Sector_10;&&
& else/*(Address & FLASH_END_ADDR) && (Address &= ADDR_FLASH_SECTOR_11))*/
&&& sector = FLASH_Sector_11;&&
有了这些定义之后，我们就可以开始正式操作FLASH了
首先，要向FLASH写入数据需要先将FLASH解锁。根据手册定义，解锁FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR写入0x之后再向这个寄存器写入0xCDEF89AB。这两个数据在库中已经定义成了：FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.
使用库函数不用这么麻烦，函数FLASH_Unlock()即可完成对FLASH的解锁。
解锁FLASH之后，使用函数FLASH_ClearFlag清除FLASH的状态寄存器。然后就可以对FLASH进行写操作了。我按照示例工程，擦除两块FLASH。
下边是操作FLASH的代码，首先擦除两块FLASH，然后向这两块FLASH中写入数据。最后进行校验：
要写入的数据定义：
#define DATA_32&&&&&&&&&&&&&&&& ((uint32_t)0x)
开始FLASH操作：
& FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。
//下面这个清flash的状态标志很重要，如果没有清可能会导致擦除flash失败或者不能擦除，我就遇到了这个问题，希望后面的兄弟一定要记得。
& FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |&
&&&&&&&&&&&&&&&&& FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
& /* Get the number of the start and end sectors */
& StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR);& //获取FLASH的Sector编号
& EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);
& //擦除FLASH
& for (i = StartS i & EndS i += 8)& //每次FLASH编号增加8，可参考上边FLASH Sector的定义。
&&& /* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will
&&&&&& be done by word */&
&&& if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
&&&&& while (1)
& /*擦除完毕*/
& /*开始写入*/
& Address = FLASH_USER_START_ADDR;
&&& while (Address & FLASH_USER_END_ADDR)
&&& if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE)&& //将DATA_32写入相应的地址。
&&&&& Address = Address + 4;
&&&&& /* Error occurred while writing data in Flash memory.&
&&&&&&&& User can add here some code to deal with this error */
&&&&& while (1)
& FLASH_Lock();& //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。
//读出数据 检查写入值是否正确
& Address = FLASH_USER_START_ADDR;
& MemoryProgramStatus = 0x0;
&& while (Address & FLASH_USER_END_ADDR)
&&& data32 = *(__IO uint32_t*)A&& //读FLASH中的数据，直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。
&&& if (data32 != DATA_32)
&&&&& MemoryProgramStatus++;&&
&&& Address = Address + 4;
下边是使用STLink Utility读出的数据，检查一下，确实写进去数据了：
参考文档是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST网站下载。文档编号：PM0081。FLASH的有不少寄存器，各个含义手册上有详细介绍。我只是简单地看了下。使用库函数操作，好像不大需要详细理解这些寄存器了。
PS：这个实验主要代码来自ST的Demo。这里我只是加入了个人的注释。不当之处，望高人指点。
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