N型半导体中的载流子多数载流子是电子;P型半导体中的载流子多数载流子是空穴。对吗?

p型半导体和n型半导体 完美作业网 www.wanmeila.com
N型半导体和P型半导体的异同 N型半导体的载流子是电子,参入的杂质一般是磷;P型半导体的载流子是空穴(就是一个原子失去电子后的状态,但是空穴只是对应电子的一种叫法,并没有空骸),参入杂质一半是B。相同点就是半导体的那些特点喽
如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子,物质不是电中性的吗? 金属是导电的,但是在没有外加电场的情况下是电中性的,这是因为载流子能够导体和半导体中自由移动,而没有外加电场是不会移动的,因此无外加电场的情况下半导体是电中性的。p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子,Si会有个悬挂键,这就像一个电子空位,电子会填充这个空位,而电子填充的作用可以等效为空位在半导体中的移动。当外电路提供电子时,半导体p型掺杂越大,半导体内空位越多,电子填充作用越明显,等效为空穴电流就越大。关于空穴导电的问题我在另一个回答中也有说明,你可以看看。[]
P型半导体带正电,N型半导体带负电。 对错 这种说法是错的,不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,N型恰恰相反.
为什么要叫N/P型半导体 双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体。P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质,如硅中掺入杂质硼,这样的半导体中多数载流子是空穴;N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质,如硅中掺入杂质磷,这样的半导体中多数载流子是电子。当p型半导体与n型半导体接触时会在接触面上形成pn结,即是PN结二极管。双极结型晶体管也就是BJT、三极管,其原理都是以PN结为基础的。单级型半导体器件指半导体器件中只有P型或N型一种半导体,如JFET、MOSFET等场效应晶体管。在没有特殊规定时,NP型半导体和PN型半导体是一个意思,可以通用 ;但晶体管的NPN管与PNP管就完全不同,不能混用了。我发现你这其实是一个英语问题,不是物理问题。。。。P型半导体中空穴导电,空穴带正(Positive)电荷;N型半导体中电子导电,电子带负(Negative)电荷。
P型/N型半导体为什么呈电中性? 这是由于半导体和掺入的微罚元素都是电中性的,而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷,只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴,并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。
N型半导体和P型半导体的电势有差吗? 有,N型半导体和P型半导体掺杂物不一样,结合在一起形成PN型半导体,中间会形成PN结
什么是P型半导体和N型半导体?都有哪些性质呢? P型半导体多数载流子为空穴的半导体。型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。N型半导体多数载流子为电子的半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素(如磷、砷、锑等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电(Negative)的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电,由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。参考资料:百度百科
半导体制冷,什么n型p型半导体是什么意思 半导体理论比较深奥,枯燥和抽象,你看了可能乏味,所以只能简单告诉你。自然界中能导电的物质称为导体,如金属、石墨等;不能导电的物质称为绝缘体,如玻璃、陶瓷等;处于两者之间的物质,称为半导体,如锗、硅、砷化镓等。在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,形成主要靠自由电子导电的是N型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代硅晶格中硅原子的位置,就形成了主要靠空穴导电的是P型半导体。
p型半导体与n型半导体导电机理是什么 p型半导体依靠的空穴导电;n型半导体依靠的电子导电。
N型和P型半导体中的载流子是怎样运动的 20分N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电而得此名):掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。于是,N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内空穴很多电子很少,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样,电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是,有一些电子要从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区。在出现了空间电荷区以后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区就形成了一个内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散。另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱。因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强。最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。大一电工问题:P型半导体和N型半导体中多数载流子分别为?_百度知道
大一电工问题:P型半导体和N型半导体中多数载流子分别为?
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p型半导体的多数载流子是空穴,n型半导体的多数载流子是自由电子。
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什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能否说P型半导体带正电、N型半导体带负
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1:P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.
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半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种。p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子。现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则
[&&&& ]A.若M电势高,就是p型半导体 B.若M电势高,就是n型半导体 C.若N电势高,就是p型半导体 D.若N电势高,就是n型半导体
练习册系列答案
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半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种.p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子.现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则(  )A.若M电势高,就是p型半导体B.若M电势高,就是n型半导体C.若N电势高,就是p型半导体D.若N电势高,就是n型半导体
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科目:高中物理
来源:不详
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半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种.p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子.现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则(  )A.若M电势高,就是p型半导体B.若M电势高,就是n型半导体C.若N电势高,就是p型半导体D.若N电势高,就是n型半导体
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N型半导体的多数载流子是电子,因此它应()A.带负电 B.带正电 C.不带电
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