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三极管开关电路分析及Rb计算[试题]
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三极管开关电路分析及Rb计算[试题]
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上篇文章“单片机驱动继电器 ”中，介绍了三极管驱动继电器类等较大功率器件的方法，贴图中我并没有把基极的电阻画出来，其目的就是想单独讲解三极管基极电阻的选择方法。
学过电路的朋友都清楚，三极管有三种工作区：截止区、放大区、饱和区，如下图所示：
如上图所示，三极管控制继电器时，要处于那种工作状态呢？三极管不导通时工作于截至状态；控制继电器工作时，希望CE极的压降越小越好，处于饱和状态。所以三极管控制继电器时应该处于截至状态和饱和状态。那基极的电阻该如何选取呢？
再以上篇文章中的继电器为例，其参数如下所示：
根据以上两个参数就可以确定，当继电器处于工作状态时，根据欧姆定律流过的继电器的电流为I=5/125=40mA。通过查阅S8050的数据手册，可以找到其特性曲线，如下图所示。
由图中可以看出，如果CE极流过的电流为40mA的话，那流过B极的电流大约为200uA，即：(5-0.7)V/0.0002A≈20K。一般为了电路的稳定性考虑，将CE极电流的容量设计为计算值的2倍，即按照CE极电流为80mA来算的话，流过B极的电流约为480uA,4.3/0.00048≈9K。所以B极电阻最好10K以内，继电器才能很好的吸合。
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C1971三极管丙类放大的问题
RT，请教各位前辈O(∩_∩)O~& &
C1971三极管做丙类放大时电路时经常可以看到基极接一个1uH电感并联一个几百欧姆电阻到地，这个电感的功能是什么呢，是不是为了对地释放积聚的电荷？（一般丙类放大基极对地是负偏压对吧）。
还有，电感的值设计为1uH是经详细计算，有特殊考虑的吗？换成10uH/100uH行不行？
请各位前辈指点O(∩_∩)O~，谢谢
对了，有时候功率管基极只是挂一个电阻到地，没有电感
哇。帖子好冷清
不知道朋友的具体电路的情况，大家都可能说不准确呢。所谓的丙类工作，也就是晶体管的导通角小于180度时的情况。如果等于180度，就成了乙类工作状态了。
对于象1971这样的双极性高频晶体管，当基极偏压小于0.6V时，就认为它已经工作到丙类状态了，当基极偏压等于0V时，还是处于丙类工作状态，只是效率相对更高一些。
要准确回答LZ的问题，其实，还需要知道很多参数，如放大器的工作频率等。如果工作频率很低，那么，1uH电感并联一个几百欧姆电阻到地，相当于把信号源短路了，就不能正常工作了，但如果工作频率很高，1uH电感并联一个几百欧姆电阻到地，相当于信号源的负载，是可以正常工作的。不知这样的回答，能否解决LZ的问题。
谢谢指导，这个1971是做调频发射功放的级，频率100M左右
& & 上图：
65987.jpg (10.81 KB, 下载次数: 36)
13:00 上传
这个电路，对于直流工作点来说，1971的基极与发射极是等电位的，也就是说，这只管子是工作在丙类工作状态。输入信号幅度小于0.6V时，这只管子是处于截止状态。如果要想让这只管子导通角更小一些，一种方法是在其发射极加一个并联的阻容电路。
本帖最后由 longshort 于
13:42 编辑
所谓负偏压，是由工作时的基-射结对输入整流产生的负电压，不是先加上去的，要是先加上去的话，导通角就会变得非常大，管子几乎就打不开了，也就没输出了。
1uH电感用来将导通角往前移，使管子尽快打开。在100MHz时，1uH电感大约有628欧的感抗，这个阻抗大了些，在输入信号的负半周时可能造成负峰过大而使基-射结击穿，所以需要将电感的品质因素降下来，100欧的电阻就是干这个用滴。
加不加电感和使用的频率与输入的强度都有关系，它需要经过分析以后才能确定。
不用1uH电感，这个电路也是工作在丙类状态。但并联这个电感后，可以减小输入信号中的直流分量对该级的不良影响。如输入信号的畸变就会含有直流分量，而直流分量，在电阻R上可以产生正偏压，会使1971退出丙类工作状态。而并联了这只小电感后，直流分量在这只电感上的压降可以忽略不计，就不会影响1971的工作状态了。
矿坛高手如云，学习了
所谓负偏压，是由工作时的基-射结对输入整流产生的负电压，不是先加上去的，要是先加上去的话，导通角就会变 ...
longshort 发表于
这位朋友的解释得更准确。
还有阻抗匹配吧
本帖最后由 bobjams 于
23:19 编辑
丙类功放的负压是由功放管的BE结和基极对地的电阻构成了负偏压电路，高频电压经BE结整流后加在电阻上就产生了负偏压。
丙类放大器的输出功率跟导通角也有关系，相同的频率下，导通角越大，输出的平均功率也越大，但效率随之降低。有时为了提高输出功率，设计者会牺牲一些效率，在基极和地之间接一个数微亨的电感，将负偏压短路，以增大导通角。这时实际上电路工作在接近乙类的状态。
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三极管放大电路计算
三极管放大电路计算&一、共发射极放大电路（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。&&&Vcc(直流电源):&&&&&&&&&&& 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率&&&C1、C2(耦合电容):&&&&&&& &隔直流、通交流；&&&RB1、RB2(基极偏置电阻)：& 提供合适的基极电流&&&RC(集极负载电阻)：&&& & 将 DIC& ? DUC&，使电流放大 ? 电压放大&&&RE(发射极电阻)： &&&&&& & 稳定静态工作点“Q ”&&&CE(发射极旁路电容)：&&& & 短路交流，消除RE对电压放大倍数的影响（二）直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求：I1&?(5~10)IBQ，UBQ? (5 ~ 10)UBEQ&&&&&&求静态工作点Q：&&&&方法1.估算&工作点Q不稳定的主要原因：Vcc波动，三极管老化，温度变化稳定Q点的原理：&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&方法2.利用戴维宁定理求 IBQ&&（三）性能指标分析&将放大电路中的C1、C2、CE短路，电源Vcc短路，得到交流通路，然后将三极管用H参数小信号电路模型代入，便得到放大电路小模型如下图所示。&&1.电压放大倍数&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2.输入电阻计算&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&3.输出电阻&Ro&=&RC&没有旁路电容CE时：1.电压放大倍数&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&源电压放大倍数&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&2.输入电阻&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&3.输出电阻&&Ro&=&RC&二、共集电极放大电路 (射极输出器、射极跟随器)（一）电路组成与静态工作点共集电极放大电路如下图(a)所示，图(b)、(c)分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看，三极管的集电极是交流地电位，输入信号ui和输出信号uo以它为公共端，故称它为共集电极放大电路，同时由于输出信号uo取自发射极，又叫做射极输出器。IBQ&=(Vcc–UBEQ)/[RB&+(1+b)&RE] &&ICQ&= bIBQ，UCEQ=Vcc–ICQRE&（二）性能指标分析&&&&&&&&&&&&&&&1.电压放大倍数&&&&&&&2.输入电阻&&&&&&&& &&&&&&&&&&&R?L=RE//RL3.输出电阻&&&&&&&共集电极电路特点&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&共集电极电路用途1.Uo与Ui同相，具有电压跟随作用&&&&&&&&&1.高阻抗输入级2.无电压放大作用&&&& Au&1&&&&&&&&&&&&&&2.低阻抗输出级3.输入电阻高；输出电阻低&&&&&&&&&&&&&&&3.中间隔离级一、共基极放大电路共基极放大电路如下图所示。由图可见，交流信号通过晶体三极管基极旁路电容C2接地，因此输入信号ui由发射极引入、输出信号uo由集电极引出，它们都以基极为公共端，故称共基极放大电路。从直流通路看，也构成分压式电流负反馈偏置。（一）求“Q”略（二）性能指标分析&&&&&&&&RO=RC（三）特点：共基极放大电路具有输出电压与输入电压同相，电压放大倍数高、输入电阻小、输出电阻大等特点。由于共基极电路有较好的高频特性，故广泛用于高频或宽带放大电路中。
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