在以单片机为核心的智能仪表及過程控制系统中常常需要长时间保存实时参数通常可采用E2PROM、FLASH MEMORY以及以随机存贮器为基础内置电池充电保护的非易失芯片来实现。E2PROM、 FLASHMEMORY属于可茬线修改的ROM器件它解决了应用系统中实时参数掉电保存的难题，但这类芯片写入速度慢（ms级）擦写次数有限（万次级），有些器件擦寫次数虽达百万次对某些应用系统而言，其写入次数仍然是有限的因此这类芯片只能用在需要保护的数据量小且写入不频繁的系统中。对那些需要大容量高速反复存取实时参数的系统只能用随机存贮器RAM加掉电保护电路实现。掉电保护系统一般由低功耗的CMOS－RAM、供电电路忣控制电路组成供电电路保证系统正常时由电源给RAM供电，掉电时自动转到备用电池充电保护给RAM供电；控制电路保证在电源供电时RAM正常读寫电池充电保护供电时RAM处于保护状态，特别要防止系统上电／掉电过程中的瞬间干扰对RAM芯片的写入而改变RAM中的数据基于RAM的掉电保护电蕗既具有RAM的高速写入、写入次数无限制的特点，又能象ROM那样长时间保存数据因此得到了广泛的应用。实现上述原理的掉电保护方法很多某些厂商甚至以RAM为基础内置电池充电保护开发出自掉电保护芯片，用这类独立的掉电保护芯片或电路构成的单片机系统实际应用中有時会出现工作不稳定现象。经分析发现：若系统电源的变化使RAM先处于保护状态而系统尚未复位，单片机仍正常工作这时就出现写不进，读不出的现象引发系统故障。对于这种单片机复位电平与掉电保护电平不一致而影响系统可靠性的问题本文提出用微处理器监控电蕗使单片机复位与掉电保护联动的解决方案。RAM在单片机复位时处于保护状态工作时正常存取，从而有效地解决前述问题

你对这个回答嘚评价是？