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同样都是苹果产品，有的会获得一致好评，有的是毁誉参半，还有的则是被喷得体无完肤。
苹果显然希望用这一做法来为接下来的谈判增加强有力的筹码。
正解SLC、MLC、TLC三种固态硬盘芯片，果友们注意了！
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青苹果, 积分 78, 距离下一级还需 122 积分
& && &&& 由于iPhone6（6+）一上市就有爆料128GB、64GB iPhone存在使用低端TLC芯片固态硬盘导致自己爱机死机、崩溃的问题！&&至于你的iPhone6（6+）芯片是mlc还是tlc,IOKitBrowser是一款可以帮助你查看自己iPhone6手机芯片的软件，这个大家都知道了，网上教程也有，这里就不过多解释！下面就SLC、MLC、TLC三种固态硬盘芯片做个正解：& &
SLC、MLC、TLC芯片区别：
1、SLC 默认1个存储器储存单元存放1位元，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命.
2、MLC 默认1个存储器储存单元存放2位元，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命.
3、TLC&&默认1个存储器储存单元存放3位元，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
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感谢分享^_^
你这明显是水帖 混分
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MP3、MP4时代，很多便宜的都用TLC垃圾闪存，价格便宜，像寐族、爱国者啥的品牌MP3就用MLC闪存。劣质闪存速度慢，不稳定，一出错，就需要格式化才能继续使用。
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我说你们能不能消停消停，128的就算每天擦写10G也要6400天即17.5年才用报废，即使是64G的也得7-8年，况且你每天会擦写10G容量吗？一个手机还真打算用到老吗
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这里不需要像你这样的人，你以为他们不知道么
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& && && &由于iPhone6（6+）一上市就有爆料128GB、64GB iPhone存在使用低端TLC芯片固态硬盘导致自己爱机死机、崩溃的问题！&&至于你的iP ...快成月经贴了！！
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你这明显是水帖 混分
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对heyong14-11-28 12:30:13在楼主发表的内容评分：人气:-1;
由于iPhone6（6+）一上市就有爆料128GB、64GB iPhone存在使用低端TLC芯片固态硬盘导致自己爱机死机、崩溃的问题！&&至于你的iPhone6（6+）芯片是mlc还是tlc,IOKitBrowser是一款可以帮助你查看自己iPhone6……心是好的，但是要做足功课，不要太水！
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别再谈这个话题了，伤部分人的心
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我说你们能不能消停消停，128的就算每天擦写10G也要6400天即17.5年才用报废，即使是64G的也得7-8年，况且你 ...
说的就是，这些人真是无聊透顶
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& Google揭秘SSD可靠性：SLC闪存神话破灭！
Google揭秘SSD可靠性：SLC闪存神话破灭！
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存储基础：SLC、eSLC、MLC、eMLC的区别
发表于：14年06月27日 10:53 [综述]
[导读]SLC、eSLC、MLC、eMLC的区别在哪里？
作为SSD主要元件的NAND闪存，我们经常见到的有SLC和MLC两种，甚至还细分出eSLC和eMLC等等，现在我们谈一下他们之间的区别。 SLC全称single-level cell，即单阶存储单元;MLC全称Multi-level
cell，即多阶存储单元。因NAND闪存是一种电压元件，因此它以不同的电压范围来代表不同的数据，原理如下面图片所示：
SLC就是在NAND闪存的每个存储单元里存储1bit的数据，存储的数据代表&0&还是&1&是由基于Vth电压阈值来判定，对于
NAND闪存的写入(编程)，就是对其充电，使得它的电压超过上图的电压判定点A，存储单元就表示0-已编程，如果没有充电或者电压阈值低于那个A点，就表示1-已擦除。 MLC则是每个存储单元里存储2bit的数据，存储的数据是&00&,&01&,&10&,&11&也是基于电压阈值的判定，当电压没到判定点B时，就代表&11&，当电压在B和C之间，则代表&10&，电压在C和D之间，则表示&01&，而电压达到D以上，则表示&00&。由上面的图片可以看到，MLC相比SLC电压之间的阈值被分成了4份，这样肯定会直接影响性能和稳定性，相对来说，主要受影响的有以下四点： 1.相邻的存储单元间会互相干扰，造成电压不稳定而出现bit错误，MLC由于阈值相比SLC更接近，所以出错几率会更大。 2.MLC读写性能降低，写入更达到50%的差距以上，因为需要更精确的充电处理。SLC只有&0&和&1&，，而MLC会有&00&,&01&,&10&,&11&
4个状态，在充电后还要去判断处于哪个状态，速度自然就慢了。 3.如上所说，因为有额外的读写压力，所以功耗明显增大。 4.同样因为有额外的读写压力，造成闪存的写入耐久度和数据保存期都受到影响。 前面说过SLC和MLC的区别，那eSLC和eMLC又是怎么一回事呢? 在NAND
Flash工厂制造处理过程中，厂商把晶元上最好的那部分Flash晶片挑选出来并用企业级的标准来检测晶片的数据完整性和耐久度。检测完成后，这些晶片被取下来改变内部参数并进行之后的比标准MLC更苛刻的测试。当这些晶片通过测试后，就被定义为eMLC级别组，余下的就成为MLC级别组了。同理eSLC就是从SLC晶元上挑出来的优质晶片经过内参调整和企业级标准筛选的产物。 相对普通MLC来说，eMLC的不同之处主要体现在下面4个方面： 1.标称P/E数，34nm镁光的eMLC是30,000次，而MLC则是5000次。 2.eMLC擦写操作和编程操作所需要的时间相比MLC更长。(通过内参调整达到增加P/E的目的) 3.当使用完厂商保证的P/E数后，eMLC的数据保存期一般在3个月，而MLC的数据保存期在1年。 4.相对在的企业级应用下，使用eMLC的稳定性比MLC要高得多，也就是出错的概率更小。
[责任编辑：朱朋博]
作为媒资行业的参与者，凤凰在很久之前就有了创新的“全媒体”战略规划，具体行动便是“2+7”的数据中心的建立，而同样颇具创新精神的华为运用自己的技术优势，将领先的ICT产品和解决方案与凤凰卫视多元化媒体业务深度结合，使得创新的ICT技术成为凤凰卫视在全媒体时代的核心技术竞争力。
华为OceanStor V3系列存储系统是面向企业级应用的新一代统一存储产品。在功能、性能、效率、可靠性和易用性上都达到业界领先水平，很好的满足了大型数据库OLTP/OLAP、文件共享、云计算等各种应用下的数据存储需求。
12月15日，中国闪存联盟成立，同时IBM Flash System卓越中心正式启动
DOIT、DOSTOR、易会移动客户端播报中国存储峰会盛况。秒杀一切MLC！史上最强SLC SSD大测试
日 08:29&&&出处：&& 作者:苏立源&& 编辑:苏立源
　　 对存储产品来说，架构上都是一样的，数据接口，磁盘主控、存储介质。与机械硬盘的差异在主要体现在存储介质上。而SSD之间的区别，除了主控外，就是存储介质（SLC与MLC）了。
　　 的结构相比机械硬盘，无非是原来机械部分的马达碟片换成了闪存颗粒，磁盘主控芯片、B总线连接接口均保留下来。换句话说，SSD相对机械硬盘，架构没变，改变的仅是存储介质。
SSD纤细的身材来自于存储介质的巨变
　　 实际上，国际上生产磁盘控制器的厂商不少，但基本是术业有专攻，在各自领域独树一帜，像我们常见的Marvell，凭借着芯片成本和性能间的完美契合，可说是占据了机械硬盘的半壁江山。但在其它领域，就不是那么游刃有余了。而光磁生产的主控芯片虽然性能出色，可无奈较高的芯片单价，所以在大多数机械硬盘上难寻其宗，但是依托其母公司的大而全的优势，其磁盘主控均被三星硬盘所采用。而LSI和WD的主控，由于出货量很小，基本是很难看到，希捷硬盘中某些特定型号采用过LSI主控，而WD虽然拥有主控技术，但也仅在自家的velociraptor中采用过。
市占率较高的磁盘控制器Marvell 88i8845C-BHG2
　　 对存储产品来说，磁盘控制器的优劣决定了存储产品的性能和安全性，也是存储产品中最重要的部件。传统硬盘领域上，磁盘控制器主要由Marvell、三星、LSI几家生产。遗憾的是，由于机械碟片和闪存芯片工作原理和物理架构差异太大，传统的磁盘控制器产品不能用在闪存产品上。
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固态硬盘容量：32GB 适用类型：笔记本/台式机 传输接口：SATA2 闪存架构：单层单元(SLC) 持续读取速度：250 持续写入速度：170
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摘要: 固态存储是一个振奋人心的技术领域，为企业应用程序的大范围采用提供了高性能保证。不幸的是，一些固态硬盘 (SSD) 供应商不负责任地宣传，将他们的产品定位为企业专用解决方案，而这些产品在实际使用时又达不到所宣 ...
固态存储是一个振奋人心的技术领域，为企业应用程序的大范围采用提供了高性能保证。不幸的是，一些 () 供应商不负责任地宣传，将他们的产品定位为企业专用解决方案，而这些产品在实际使用时又达不到所宣称的预期要求，给客户带来了困惑。另外，企业级领域（不能容忍严重故障的应用密集型企业环境）缺乏测试标准的事实，使这一问题更为严重。设计 SSD：基础条件设计 SSD 时必须集成两个关键组件以构建固态解决方案，即：非易失性和控制器。SSD 中最常用的内存是非易失性 NAND ，其质量参差不齐。设计 NAND 的技术基础是单层存储单元 () 或多层存储单元 ()。SLC 保持了每存储单元 1 位数据 (1bpc)，耐久性更好，但如果高容量产品，成本会急剧增加。SLC 的缺点在于，成本高，而总容量小。MLC NAND 的耐久性较低，因为多个数据位共享一个单元，但是 MLC 具有更大的容量，生产成本也要低很多。MLC 目前有两种类型：每存储单元 3 位 (3bpc) 和每存储单元 2 位 (2bpc)，3bpc 的 MLC 可用容量最高，代价是性能会更慢。NAND 之后，SSD 的另一个关键组件是控制器。控制器是 NAND 内存的命令中心，负责指派每个存储单元的的读写位置和与连接到计算机的进行通信。因为 NAND 自身不是完美的介质，所以控制器如何响应和纠正错误，就成为设计的关键部分。另外，NAND 每个存储单元的写入次数有限，之后便报废。经过巧妙设计的控制器采用一种损耗均衡设计，这种技术使用算法来管理存储单元的使用并在整个 NAND 上散布数据，最大限度地提高 SSD 的使用寿命。最后，NAND 及其控制器将作为设计的最终组成部分集成到电子产品和 ASIC 设备。设计 ASIC 和电子产品时要考虑到为 SSD 提供必要的电源/电压。设计方法各不相同，所选组件的质量也有差异。糟糕的 ASIC 设计可能导致组件过早发生故障，因此这个问题是不容忽略的。企业级存储中的 MLC 和 SLC在早期的 SSD 设计开发中，SLC 设计方案的定位是专用于超高性能的企业级应用，但是当时仅应用到那些不太关注存储成本应用。大部分企业公司都有系统成本和 IT 预算限制；因此，基于 MLC 的解决方案可能更为适用。然而，在企业中采用 MLC，写入耐用性和可靠性仍然是需要关注的问题。SSD 设计者意识到，如果能解决 MLC 相关的问题，它将成为大部分 0 级以上事务性能市场中的理想产品。为达到这个目的，希捷和三星已经着手合作解决这个问题。凭借希捷在介质纠错方面的专业知识和三星在 NAND 方面的知识，两家公司开始着手基于 MLC 的 SSD 解决方案的开发，以满足真正的企业存储环境的需要。企业与个人用户针对传统硬盘 (HDD) 存储，企业级设计的可靠性测试是在全天候满负荷周期下进行的。企业级也是以多硬盘环境为基础的，强调随机访问模式和混合工作负载。非企业类或个人用户，存储测试时以一般的每天 8 小时使用周期为基础的。另外，个人用户类存储更看重单硬盘环境。SSD 存储的需要与企业中的 HDD 相同，但是直到最近才出现行业标准。在此之前，市场上存在这样一个问题，即：许多 SSD 都标榜为企业级，实际上不具备真正的企业级 SSD 功能，在 OEM 认证和实际使用时故障频出从而遭到淘汰。2010 年 9 月，JEDEC 固态技术协会出版了两套关于 SSD 耐用性和可靠性的标准。JEDEC JESD218 和 JESD219 提供了企业和客户应用级耐用性的区分标准，这两个基本级别构成了当前和未来固态标准发展的基础。这两个标准的文档都可供下载。这些标准定义了每个应用类的具体要求，描述了测试方法并创建了 SSD 耐用性等级认定，其中提供了根据应用类性进行的 SSD 耐用性标准比较。希捷积极参与 JEDEC 标准的制定并领导 JEDEC JC-64.8 小组委员会，这个小组委员会为市场急需的固态标准制定提供平台。通过积极参与这些标准的制定和提供测试途径，可以更好地服务 OEM 存储制造商和客户，帮助他们最终获得能够通过测试和认证的 SSD，并信心十足的将它们应用于最适当的存储环境。
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